Log in

Relevant bibliographies by topics / Епітаксія

Contents

Journal articles
Dissertations / Theses
Reports

Academic literature on the topic 'Епітаксія'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Епітаксія.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Епітаксія"

1

Усенко, В. О. "Орієнтаційна епітаксія в системі Cs/Mo(110)". Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія "Фізико-математичні науки", вип. 4 (2003): 335–42.

Find full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Дідоборець, Олександр, та Олександр Клєцков. "МЕТОДИ КОНТРОЛЮ ТОВЩИНИ ПЛІВОК CdSe/ZnTe ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ КЗО". Математичне моделювання, № 1(44) (1 липня 2021): 23–29. http://dx.doi.org/10.31319/2519-8106.1(44)2021.235895.

Full text

Abstract:

Метою роботи є визначення найбільш оптимального методу виміру товщини напівпровідникових плівок на основі зіставлення з експериментальними даними отриманими методом КЗО. Напівпровідникові плівки CdSe і ZnTe є матеріалами групи AIIBVI для використання в сучасних електронних пристроях, таких як сонячні елементи, світлодіоди, газові сенсори і інше [1,2]. Синтез тонких плівок CdSe і ZnTe, отримання і розуміння фізичної інформації про їх властивості є необхідною умовою розробки стабільних пристроїв на їх основі. Для отримання плівок селеніду кадмію і теллурида цинку використовують

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Лисенко, В. С., С. В. Кондратенко, Ю. М. Козирев та ін. "Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)". Ukrainian Journal of Physics 57, № 10 (2021): 1132. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.11.1132.

Full text

Abstract:

Розглянуто нанокластери Ge, вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисленій поверхні Si(001) при температурі 700 ºC. По дифракції рентгенівських променів та спектроскопії фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру із об'ємоцентрованою тетрагональною ґраткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ при 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge приводить до реконструкції поверхні та формуванню полікристалічного покриття із кубічною ґраткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною ґраткою. Край в

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Tsybulenko, V. V., and S. V. Shutov. "Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, no. 5-6 (2020): 33–39. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2020.5-6.33.

Full text

Abstract:

Heterostructures with lattice mismatched and compositionally different layers are widely used in modern electronic and optoelectronic device engineering. Generally such structures are manufactured by the methods of metal-organic vapor phase epitaxy, metal-organic chemical vapor deposition and molecular-beam epitaxy. However, the methods of deposition from a liquid phase are the most inexpensive and simple yet. Thus obtaining the above mentioned heterostructures from a liquid phase is still promising. In this work we demonstrated the possibility of using the method of scanning liquid phase epit

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Литвиненко, В. М. "ПОКРАЩЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ДІОДА З БАР’ЄРОМ ШОТТКІ". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 516–23. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.53.

Full text

Abstract:

Діод Шотткі – це напівпровідниковий діод, випрямні властивості якого засновані на взаємодії металу та збідненого шару напівпровідника. Для створення діодів Шотткі використовується перехід метал-напівпровідник. Робота цих діодів заснована на пере- несенні основних носіїв заряду і характеризується високою швидкодією, так як в них від- сутнє характерне для р-n переходів накопичення неосновних носіїв заряду. Діоди Шотткі використовують як елементи інтегральних мікросхем, а також як дискретні прилади.Найчастіше для виготовлення діодів з бар’єром Шотткі використовують підкладки з кремнію з низьким о

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

ЛИТВИНЕНКО, В. М. "ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ЕПІТАКСІАЛЬНО-ПЛАНАРНОГО ВАРИКАПА". Вісник Херсонського національного технічного університету, № 4(87) (29 січня 2024): 85–90. http://dx.doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2023.4.10.

Full text

Abstract:

Варикап – це напівпровідниковий діод, що використовує при своїй роботі залежність бар’єрної ємності р-n переходу від зворотної напруги. Ця залежність називається вольт-фарадною характеристикою. Варикапи застосовуються в схемах електронної перебудови частоти коливального контуру, в підсилюючих параметричних схемах, в дільниках і помножувачах частоти, в керованих фазообертачах тощо. Однак незважаючи на широке застосування, вартість варикапів залишається порівняно високою із-за низького виходу придатних діодів, що пояснюється високим рівнем зворотного струму приладів. В статті розглянуті причини

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Byrdeynyy, Volodymyr, and Vasul Kharutonovuch Kasianenko. "<b>ELECTRON ENERGETIC SPECTRA IN THE ELECTRIC FIELG OF THE</b> CHARGED QUANTUM NANORING." Herald of Khmelnytskyi National University. Technical sciences 335, no. 3(1) (2024): 32–40. http://dx.doi.org/10.31891/2307-5732-2024-335-3-5.

Full text

Abstract:

Завдяки сучасним технологіям фізика конденсованого стану збагачується все новими об′єктами дослідження, які дозволяють не тільки поглибити знання про порівняно непогано вивчені ефекти, але передбачають можливості відкриття явищ, притаманних саме цим об’єктам, одним із прикладів яких є квантові кільця (КК). Як правило, маються на увазі замкнені криволінійні утворення, які разом з оточуючою їх матрицею, формують двозв’зну структуру, яка за своїм складом, внутрішньою будовою і іншими характерними ознаками відрізняється від свого оточення. Складові елементи КК, атоми чи більш складні агрегати, зв’

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Воронько, Андрій Олександрович, Денис Олександрович Новіков та Олександр Бенедиктович Шимановський. "Температурний дрейф спектральної чутливості кремнієвого фотодіода". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 14 серпня 2023. http://dx.doi.org/10.20535/s002134702302005x.

Full text

Abstract:

Технічні характеристики напівпровідникових приладів здебільшого визначаються якістю гетероструктур, які використовують для їхнього виготовлення. Для отримання відтворюваних характеристик приладів необхідне забезпечення умов росту напівпровідникової структури з мінімальною кількістю дефектів. Для прецизійного контролю температури поверхні активних шарів твердих розчинів А3В5 під час проведення газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (ГФЕ МОС) використовують метод оптичної пірометрії. Оскільки рельєф та параметри поверхні при осадженні значно змінюються, використовується метод пірометрії

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Dissertations / Theses on the topic "Епітаксія"

1

Цибуленко, В. В., та С. В. Шутов. "Особливості вирощування напівпровідникових шарів імпульсними методами рідиннофазної епітаксії". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45794.

Full text

Abstract:

Вирощування напівпровідникових епітаксійних шарів імпульсними методами з рідинної фази має свої особливості. Справа в тому, що через малі розміри контейнерів і самого розчину-розплаву, а також , в деяких методах, через короткочасність контакту розчину-розплаву з робочою підкладкою, теплові процеси відбуваються набагато швидше за дифузійні процеси в розчині-розплаві. Метою роботи є дослідження фазової рівноваги при використанні імпульсних методів вирощування напівпровідникових епітаксійних шарів з рідинної фази.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Цибуленко, В. В., та С. В. Шутов. "Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64309.

Full text

Abstract:

При використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії контакт охолодженої підкладки з розчином-розплавом призводить до виникнення градієнту температури по її товщині. При цьому формуються механічні напруження, які можуть призвести до руйнування підкладки. Метою роботи є дослідження напружень, що виникають по товщині підкладки, при використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії. Моделювання проведено для системи Gе-GaAs в діапазоні температур 450÷850 оС. Товщина підкладки – 380 мкм, її початкова температура – 27 оС, товщина Ga-Ge розчину-розплаву – 3500 мкм.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Багмут, Олександр Григорович. "Формування структури і фазові перетворення при імпульсній лазерній конденсації металевих, оксидних і напівпровідникових плівок". Thesis, Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004. http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/30814.

Full text

Abstract:

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла.- Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, Харків, 2003. Дисертація присвячена розв'язанню проблеми встановлення фізичних механізмів формування структури при дискретному осадженні на підкладку пароплазмового потоку, сформованого імпульсним лазерним розпиленням одноелементних металевих і напівпровідникових мішеней, а також дослідженню структурних і фазових перетворень у плівках у постконденсаційний період. Запропоновані моделі і встановлені умови утворення е

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Reports on the topic "Епітаксія"

1

Піддубний, Б. А., та Володимир Миколайович Соловйов. Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні. РВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченка, 1999. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1025.

Full text

Abstract:

Поверхні, границі розподілу напівпровідників відіграють суттєву роль в процесі формування й функціонування значної кількості приладів та структур сучасної мікроелектроники. Ідеальна поверхня є неврівноваженою структурою, і в залежності від умов її одержання, відпалу, пасівації може трансформуватись в один з більш ніж 300 відомих станів. В сучасних теоретичних дослідженнях важливу роль відіграє комп’ютерне моделювання. Воно дозволяє дослідити атомну структуру, електронні, коливальні й оптичні властивості поверхні. В даній роботі методом молекулярної дннамики з потенціалом Стілінджера-Вебера дос

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!