Relevant bibliographies by topics / Напівпровідникові кристали

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Напівпровідникові кристали'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Напівпровідникові кристали.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Напівпровідникові кристали"

1

Федотов, В. Г., та О. І. Міхеєв. "ВПЛИВ ЕЛЕКТРИЧНО АКТИВНИХ ДЕФЕКТІВ НА ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНІ СТРУМИ В КРИСТАЛАХ ДИФОСФІДУ ЦИНКУ". Vodnij transport, № 1(32) (27 січня 2021): 128–33. http://dx.doi.org/10.33298/2226-8553.2021.1.32.13.

Full text
Abstract:
У статті проведено дослідження щодо впливу електрично активних дефектів на термостимульовані струми в кристалах дифосфіду цинку. Відомо, що зростання електропровідності у напівпровідникових матеріалах відбувається двома шляхами: за рахунок підвищення їх температури, а також через зріст кількісті домішок та дефектів у кристалах цих матеріалів. З цієї точки зору до перспективних напівпровідникових матеріалів можна віднести кристали дифосфіду цинку та кадмію. У нашому випадку у якості об’єкту дослідження були обрані кристали α - ZnP2. У тетрагональних кристалах дифосфіду цинку, які були вирощені
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Черніков, М. Г., І. Д. Чернікова, О. М. Чернікова та К. Д. Рибалко. "Фотоемісія з різних гранів монокристалів арсеніда галія". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 2 (272) (15 вересня 2022): 99–105. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2022-272-2-99-105.

Full text
Abstract:
Відомо, що іноді розділи науки переживають періоди швидкого розвитку, зумовлені появою якісно нових ідей, аналітичних приладів для отримання експериментальних результатів, а також удосконалення методів вимірів. Яскравий тому приклад – оптична спектроскопія, яка з появою лазерних джерел світла значно змінилася. Поряд з інтенсивним розвитком класичних напрямів у науці виникли нові методи та додатки. Серед нових напрямів особливе місце займає статистичний та спектральний аналіз світлових полів за допомогою фотодетекторів – спектроскопія оптичного усунення. Експериментальні методи спектроскопії оп
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Барабаш, О. І., І. Г. Вертегел, Є. Д. Чесноков, О. І. Овчаренко та Ю. П. Гнатенко. "Концентраційна залежність параметрів спектра ЯКР 127І змішаних напівпровідникових шаруватих кристалів (BiI3)1-x(PbI2)x". Ukrainian Journal of Physics 56, № 2 (2022): 158. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.2.158.

Full text
Abstract:
У роботi представлено результати дослiджень спектрiв ЯКР 127I при 77 K напiвпровiдникових змiшаних шаруватих кристалiв (BiI3)1–x(PbI2)x в широкому iнтервалi 0 ≤ x ≤ 0,50 вмiсту PbI2. Показано, що в дiапазонi 0 ≤ x ≤ 0,20 вмiсту PbI2 поведiнка параметрiв спектрiв ЯКР 127I при 77 K свiдчить про знаходження груп PbI2 в межах структурних шарiв кристала BiI3. При цьому вмiстi PbI2 у змiшаному кристалi (BiI3)1–x(PbI2)x вiдбувається утворення кластерiв з груп атомiв PbI2 острiвного типу. За подальшого збiльшення вмiсту PbI2 у спектрi ЯКР 127I кристала (BiI3)1–x(PbI2)x з’являється нова лiнiя так, що у
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

НОВОСАД, Олексій, Олег ШИГОРІН, Хадж Каддур БЕЛЛАҐРА, Людмила ПІСКАЧ та Віктор ГОМІЛКО. "ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ПО ПЕРЕРІЗУ Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12". Physics and educational technology, № 1 (30 квітня 2025): 108–13. https://doi.org/10.32782/pet-2025-1-14.

Full text
Abstract:
У роботі представлені результати досліджень термоелектричних та оптичних властивостей кристалів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12 із вмістом 10, 20, 30 мол.% Pb4Ga4GeS12.Мета роботи полягала в експериментальному визначенні питомої електропровідності, типу провідності, коефіцієнта Зеєбека, оцінці ширини забороненої зони та розрахунку термоелектричної потужності кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12. Усі дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К).Найвищими значення питомої електропровідності (σ≈170 Ом-1·м-1) володіли зразки твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12– Pb4Ga4G
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

ЗАМУРУЄВА, Оксана. "ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ ГРУПИ AIBIIIC2 VI". Physics and educational technology, № 2 (26 січня 2023): 9–15. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-2-2.

Full text
Abstract:
Показано, якщо на один аніон алмазоподібних і похідних від них структур припадає одна октаедрична та дві тетраедричні пустоти, коли катіони мають заповнювати половину тетраедричних пустот, це означає, що на формульну одиницю Ag2In2SiSe6 для утворення бездефектної моделі потрібно шість катіонів. Для іонів Ag+ у халькопіритній структурі відводиться 25 % усіх пустот (1/4 частину). У структурі Ag2In2SiSe6 арґентум заповнює 16,7 % (1/6 частину) загальної кількості тетраедричних пустот. При переході AgInSe2 до Ag2In2SiSe6 індій заміщується германієм, тому загальна кількість заповнених тетраедрів (In
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Кузавков, Василь, Марія Романенко та Юлія Болотюк. "Умови застосування методу власного випромінювання при вирішенні задач технічної діагностики напівпровідникових структур". Сучасні інформаційні технології у сфері безпеки та оборони 42, № 3 (2021): 55–62. http://dx.doi.org/10.33099/2311-7249/2021-42-3-55-62.

Full text
Abstract:
В статті розглянуто особливості застосування методу власного випромінювання для складних напівпровідникових структур (мікропроцесорів, мікроконтролерів, програмовано-логіних інтегральних схемах та ін.) 
 Метод власного випромінювання пов’язаний з реєстрацією параметрів електромагнітного поля в інфрачервоному діапазоні хвиль. Параметри цього випромінювання безпосередньо залежать від температури об’єкту контролю – температури напівпровідникової структури. Використання температури в якості діагностичного параметру вимагає аналітичного опису процесів в напівпровідникових структурах, а саме фі
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

ЯЦИНЮК, Тетяна, Андрій КЕВШИН, Володимир ГАЛЯН та ін. "ВПЛИВ ДЕФЕКТІВ І ДОМІШОК НА СТРУКТУРУ ТА ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ". Physics and educational technology, № 2 (26 січня 2023): 54–60. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-2-8.

Full text
Abstract:
Багатокомпонентні халькогенідні напівпровідники характеризуються високою концентрацією різних типів дефектів. Ефекти, що індуковані світлом (фотокристалізація, фотоіндукована анізотропія, фотоаморфізація, збільшення щільності речовини при освітленні, фотопотемніння та просвітління) є найбільше поширеними, в халькогенідних стеклах і обумовлюють трансформації структури та виникнення дефектних станів. Фотоіндуковані явища та відповідні структурні зміни в халькогенідних стеклах теоретично обґрунтовані на основі існування заряджених дефектів зв’язку, які бувають трьох типів: D+, D− і D0. Точковий д
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Гайдар, Г. П., С. В. Бердниченко, В. Г. Воробйов, В. І. Кочкін, В. Ф. Ластовецький та П. Г. Литовченко. "Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур". Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, № 3 (2 липня 2024): 35–43. http://dx.doi.org/10.15407/dopovidi2024.03.035.

Full text
Abstract:
Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок. Найбільш привабливим матеріалом для виготовлення детекторів є кремній завдяки розвиненій кремнієвій технології і можливості створювати не тільки дозиметричні й радіометричні, але й спектрометричні детектори. Напівпровідникові детектори на основі Si застосовуються для реєстрації заряджених частинок, а також γ-квантів, у тому числі з енергією менше 100 кеВ, та рентгенівського випромін
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Вернидуб, Р. М., О. І. Кириленко, Ю. Б. Мирошніченко, М. М. Філоненко та В. П. Тартачник. "ВИВЧЕННЯ ЯВИЩА ЕЛЕКТРОЛЮМІНІСЦЕНЦІЇ". Наукові записки, № 150 (26 квітня 2021): 49–57. http://dx.doi.org/10.31392/nz-npu-150.2021.04.

Full text
Abstract:
Відсутність у студентів початкового етапу навчання (1-2 курс) необхідних знань із фізики напівпровідників та основ зонної теорії твердого тіла створює методичні труднощі при поясненні ефектів, дотичних до явища електролюмінесценції.
 У статті запропоновано спосіб пояснення ефекту електролюмінесценції студентам початкових курсів чи пізніших етапів навчання в університетах, де фізика – не профільна дисципліна. Розуміння студентами молодших курсів механізмів випромінювальної рекомбінації, що забезпечують ефективну електролюмінесценцію в складних напівпровідникових структурах, може бути сформ
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Коваль, Ю. В., Л. В. Ящинський, С. А. Федосов, Д. А. Захарчук та Л. І. Панасюк. "ОСОБЛИВОСТІ КІНЕТИЧНИХ ЕФЕКТІВ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МОНОКРИСТАЛАХ З НЕОДНОРІДНИМ РОЗПОДІЛОМ ДОМІШОК". <h1 style="font-size: 40px;margin-top: 0;">Наукові нотатки</h1>, № 74 (27 лютого 2023): 62–66. http://dx.doi.org/10.36910/775.24153966.2022.74.10.

Full text
Abstract:
Досліджено вплив неоднорідностей в розподілі легуючої домішки телуру на кінетичні ефекти в монокристалах антимоніду кадмію. Відмічено, що наявність шаруватих періодичних неоднорідностей вздовж осі росту кристалу зумовлює утворення внутрішніх електричних полів між шарами росту. Виявлено, що при освітленні в зразках, вирізаних паралельно осі росту кристалу, значно зростають значення рухливості та середньої транспортної довжини вільного пробігу носіїв заряду
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Напівпровідникові кристали"

1

Фурс, Т. В. "Технологічні домішки в монокристалах PBI2 та способи їх видалення". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66565.

Full text
Abstract:
В природі відсутні абсолютно чисті матеріали. Не винятком є і напівпровідникові кристали, які у своєму складі завжди містять певну кількість домішок, набутих у процесі одержання матеріалу. Ці домішкові елементи часто називають забруднюючими і неконтрольованими, оскільки наперед спрогнозувати їх кількість, а відповідно і вплив на структуру і властивості буває досить складно.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Деменский, А. Н., С. Ю. Ерохин та В. А. Краснов. "Определение температуры рабочего перегрева серийных быстродействующих выпрямительных диодов FES10G". Thesis, Сумский государственный университет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64591.

Full text
Abstract:
Одним из актуальных направлений развития современной электроники является разработка и совершенствование неразрушающих способов определения температуры кристалла полупроводниковых приборов во время эксплуатации. Предложенный в работе способ определения температуры перегрева кристалла полупроводникового прибора обладает существенным недостатком, связанным со значительной погрешностью определения термочувствительности прибора s.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Напівпровідникові кристали' for particular source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography