Log in

Relevant bibliographies by topics / Низькочастотна дисперсія

Contents

Journal articles
Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Низькочастотна дисперсія'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Низькочастотна дисперсія.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Низькочастотна дисперсія"

1

Chepilko, N. M., та S. A. Ponomarenko. "Узагальнена модель Друде–Лоренца та її застосування у металоплазмоніці". Ukrainian Journal of Physics 67, № 6 (2022): 431. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe67.6.431.

Full text

Abstract:

Узагальнено модель Друде–Лоренца на випадок плазмонiв у немагнiтних провiдниках, що знаходяться у статичних магнiтних H0 та електричних E0 полях iз врахуванням ефектiв просторової дисперсiї. Показано, що магнiтостатичне поле H0 та просторова дисперсiя формують два додатковi типи низькочастотних об’ємних плазмонiв, а дисперсiя всiх типiв об’ємних плазмонiв суттєво залежить вiд взаємної орiєнтацiї напряму їх розповсюдження ek та вектора магнiтостатичного поля H0. Що стосується поверхневих плазмонiв, то тут просторова дисперсiя приводить до двокомпонентної структури (в металi) їх електричного пол

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Стахіра, Й. М., О. Є. Флюнт та Я. М. Фіяла. "Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe". Ukrainian Journal of Physics 56, № 3 (2022): 267. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.3.267.

Full text

Abstract:

Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105 Па вздовж осі c, нормальної до площини шарів кристала. Встановлено, що діелектричний спектр високоомних кристалів GaSe з блокуючими електродами підлягаєуніверсальному степеневому закону ~ωn–1, де ω – кутова частота, n ≈ 0,8, який раніше спостерігали на високоомних зразках з контактами з наплавленого індію.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

МИХАЛЕВСЬКИЙ, Дмитро, та Олександр СТАЛЬЧЕНКО. "ОЦІНЮВАННЯ НАДІЙНОСТІ ВИРОБІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ ЗА РІВНЕМ НИЗЬКОЧАСТОТНИХ ШУМІВ". MEASURING AND COMPUTING DEVICES IN TECHNOLOGICAL PROCESSES, № 2 (29 червня 2023): 100–104. http://dx.doi.org/10.31891/2219-9365-2023-74-13.

Full text

Abstract:

У статті представлено результати дослідження для розширення можливостей контролю виробів електронної техніки за рівнем низькочастотних шумів для оцінювання кількісних параметрів надійності. Це дає можливість виробникам електроніки визначати відповідні границі допустимих рівнів шуму, на основі яких можна забезпечити відповідний рівень надійності та стабільної роботи пристроїв на основі виробів електронної техніки. Досліджено нестаціонарний процес деградації внутрішньої структури виробів електронної техніки на основі інформативного параметра та випадкової похибки для визначення параметрів

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

А., В. НІКІТЕНКО, та О. КОСТІН М. "Імовірнісно-статистичний і кореляційно-спектральний аналізи струму рекуперації електрорухомого складу постійного струму". Science and Transport Progress. Bulletin of Dnipropetrovsk National University of Railway Transport, № 3(51) (24 червня 2014): 51–64. https://doi.org/10.15802/stp2014/25818.

Full text

Abstract:

<strong>Мета. </strong>У праці<strong> </strong>необхідно визначити та проаналізувати<strong> </strong>ймовірнісні й спектральні характеристики випадкового процесу струму рекуперації електрорухомого складу постійного струму різних типів. <strong>Методика.</strong> Використано елементи теорії, методи та методики теорії ймовірностей, зокрема, теорія стаціонарних і нестаціонарних ви-падкових процесів. Також застосовувались методи математичної статистики з обробкою на персональних ЕОМ масивів значень випадкової величини струму рекуперації. <strong>Результати. </s

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Dissertations / Theses on the topic "Низькочастотна дисперсія"

1

Флюнт, О. Є. "Залежність параметрів низькочастотної дисперсії від одновісного тиску у кристалах GaSe". Thesis, Сумський державний університет, 2015. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40691.

Full text

Abstract:

В частотному діапазоні діелектричного спектра, в якому домінує низькочастотна дисперсія (НЧД), дійсна та уявна частини відносної діелектричної проникності зростають з пониженням частоти змінного електричного поля відповідно до степеневого закону 1/1-n з малими значеннями n. З пониженням частоти на декілька порядків дійсна та уявна частини діелектричної проникності матеріалу можуть зрости на, приблизно, таке ж саме значення порядків. Не зважаючи на великі значення діелектричної проникності та діелектричних втрат на низьких частотах, детальні дослідження НЧД часто вказують саме на об’ємний хар

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Флюнт, О. Є. "Закономірності поведінки низькочастотної дисперсії на діелектричних спектрах шаруватих кристалів GaSe". Thesis, Сумський державний університет, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43871.

Full text

Abstract:

Для пояснення поведінки НЧД зі зміною температури запропоновано модель на основі розподілу ефективних диполів системи за часами релаксації відповідно до степеневого закону. Розподіл пов’язаний з утворенням груп диполів, які виникають в результаті взаємодії між елементарними диполями; стрибки квазілокалізованих носіїв заряду можна розглядати як обертанням елементарних диполів між напрямами з мінімумами енергії.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!