Log in

Relevant bibliographies by topics / Опромінення іонами

Contents

Journal articles
Dissertations / Theses
Reports

Academic literature on the topic 'Опромінення іонами'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Опромінення іонами.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Опромінення іонами"

1

Shirokov, S., та M. Vyshemirsky. "Застосування важких іонів для моделювання радіаційного пошкодження металів". Nuclear and Radiation Safety, № 3(51) (6 вересня 2011): 59–62. http://dx.doi.org/10.32918/nrs.2011.3(51).11.

Full text

Abstract:

Наведено огляд наявних методів вирішення проблеми моделювання радіаційного пошкодження металів із застосуванням важких іонів, а також аналіз отриманих у ході дослідження результатів. Показано, що опромінення металів важкими іонами може імітувати нейтронне опромінення еквівалентної дози з достатньою точністю, уможливлюючи детальне вивчення радіаційного пошкодження металів.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Комаров, А. В., А. В. Лось, С. М. Рябченко та С. М. Романенко. "Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn і Fe". Ukrainian Journal of Physics 56, № 10 (2022): 1056. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.10.1056.

Full text

Abstract:

Cпектри пропускання і фарадеївського обертання площини поляризації світла, виміряні при температурі 2 K, порівняно для монокристалів 4H–SiC, імплантованих іонами Mn і 6H–SiC, імплантованих іонами Fe і контрольних зразків тих же монокристалів, що не піддавалися імплантації. Імплантацію проводили при енергії пучка 190 кеВ і з повними дозами опромінення 3,8 · 1016 см–2 і 5,5 · 1016 см–2. Вона приводить до створення поверхневих шарів з товщиною близько 0,2 мкм, легованих цими іонами, із середньою концентрацією іонів Mn або Fe близько 1021 см–3. Пропускання світла через імплантовані кристали змінил

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Kontsur, A. Z., I. Z. Dumas та L. V. Sysa. "Очищення водних систем від надлишку фосфатів за допомогою бентоніту, активованого надвисокочастотним випромінюванням". Scientific Bulletin of UNFU 28, № 7 (2018): 78–82. http://dx.doi.org/10.15421/40280717.

Full text

Abstract:

Вивчено сорбційні властивості бентоніту, опроміненого мікрохвилями, на прикладі вилучення ним фосфат-іонів із концентрованих розчинів. Використано фізико-хімічні методи аналізу та графічно-аналітичну обробку результатів експериментів. Досліджено нативні (необроблені) зразки сорбенту та зразки, опромінені мікрохвилями у два способи: а) попереднє промивання бентоніту чистою водою під дією мікрохвиль ("стимуляція"); б) опромінення мікрохвилями суспензії бентоніту безпосередньо в робочих розчинах фосфатів ("пряме опромінення"). Показано, що останній спосіб активації збільшує сорбційну здатність бе

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Луньов, С. В., М. В. Хвищун, П. Ф. Назарчук та В. Т. Маслюк. "РАДІАЦІЙНО-СТИМУЛЬОВАНЕ ЗРОСТАННЯ РУХЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОНІВ В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ". <h1 style="font-size: 40px;margin-top: 0;">Наукові нотатки</h1>, № 74 (27 лютого 2023): 84–86. http://dx.doi.org/10.36910/775.24153966.2022.74.14.

Full text

Abstract:

На основі вимірювань iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiї та ефекту Холла було встановлено, що основними радіаційними дефектами, які впливають на електричні властивості опромінених різними потоками електронів з енергією 12 МеВ монокристалів n-Si, є комплекси VOi, CiOi та VOiP. Величина холівської рухливості електронів буде визначатися механізмами фононного розсіяння, розсіянням електронів на іонах домішки фосфору, заряджених радіаційних дефектах та флуктуаційному потенціалі. Встановлено, що опромінення n-Si потоком електронів Ф=5·1016 ел./см2призводить до аномального зростання холівської рухливос

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Бойчук, Б. Я. "Порівняння ефективності різних способів мікрохвильової активації бентоніту у процесі очищення ним стічних вод від надлишку фосфатів". Scientific Bulletin of UNFU 32, № 2 (2022): 45–49. http://dx.doi.org/10.36930/40320207.

Full text

Abstract:

Досліджено можливості зменшення вмісту фосфатів у скидах стічних вод прибережних населених пунктів малих річок шляхом сорбційного очищення. Для прикладу обрано верхню течію річки Прут в околицях міста Яремче (Івано-Франківська обл., Україна). Підтверджено раніше опубліковані дані автора статті та інших дослідників про те, що у річковій воді на вказаній ділянці збільшилась кількість забруднювачів, зокрема сполук фосфору. Показано, що значний вплив на цей факт мають не повністю очищені стічні води санаторіїв та інших рекреаційних закладів міста Яремче, які містять надлишок фосфат-іонів. На підст

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Smirnov, A. B., A. A. Korchovyi, N. M. Krolevec, et al. "Study of the Morphology of p-CdHgTe Layers Structured by Grazing Silver-Ion Beam Irradiation." Ukrainian Journal of Physics 60, no. 10 (2015): 1055–61. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe60.10.1055.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

ЗАМУРУЄВА, Оксана. "ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ ГРУПИ AIBIIIC2 VI". Physics and educational technology, № 2 (26 січня 2023): 9–15. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-2-2.

Full text

Abstract:

Показано, якщо на один аніон алмазоподібних і похідних від них структур припадає одна октаедрична та дві тетраедричні пустоти, коли катіони мають заповнювати половину тетраедричних пустот, це означає, що на формульну одиницю Ag2In2SiSe6 для утворення бездефектної моделі потрібно шість катіонів. Для іонів Ag+ у халькопіритній структурі відводиться 25 % усіх пустот (1/4 частину). У структурі Ag2In2SiSe6 арґентум заповнює 16,7 % (1/6 частину) загальної кількості тетраедричних пустот. При переході AgInSe2 до Ag2In2SiSe6 індій заміщується германієм, тому загальна кількість заповнених тетраедрів (In

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Dissertations / Theses on the topic "Опромінення іонами"

1

Вінниченко, М. В. "Особливості оптичного поглинання металевих аморфних та опромінених високоенергетичними іонами полікристалічних систем". Дис. канд. фіз.-мат. наук, Мін-во освіти України, КУ ім. Т. Шевченка, 1998.

Find full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Шабля, Василь Трохимович, Василий Трофимович Шабля та Vasyl Trokhymovych Shablia. "Масоперенесення в металічних системах на основі Fe, Cu i Al при імпульсному та інтенсивному опроміненні іонами". Thesis, Видавництво СумДУ, 2008. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/15831.

Full text

Abstract:

У зв'язку з розвитком нових пучкових технологій модифікування поверхневих шарів, осадження плівок і покриттів за допомогою іонно-плазмових технологій, перемішування тонких плівок під дією лазерного, електронного та іонного пучків необхідний кількісний і якісний контроль складу та структурно-фазового стану модифікованих шарів, покриттів і профілів імплантованих іонів. Помітне місце займають дослідження, що дозволяють вирішувати поставлені завдання, однак є ряд методичних і фізичних труднощів у інтерпретації результатів для одержання достовірної інформації про розподіл елементів, процеси сегрега

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Шовкопляс, Оксана Анатоліївна, Оксана Анатольевна Шовкопляс та Oksana Anatoliivna Shovkoplias. "Вплив умов формування та терморадіаційної обробки на структуру й властивості покриттів систем Ti-W-C і Ti-W-B". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44630.

Full text

Abstract:

Дисертація присвячена питанням структурної інженерії іонно-плазмових покриттів систем Ti-W-C і Ti-W-B. У роботі проведені систематичні комплексні дослідження процесів утворення структури, фазового складу, субструктурних характеристик, напружено-деформованого стану та їх впливу на фізико-механічні властивості в залежності від параметрів осадження, посконденсаційного відпалу та радіаційної дії при опроміненні покриттів прискореними іонами. Визначені умови формування аморфноподібного структурного стану і росту стовпчастої структури з анізомірними кристалітами; режими осадження, які забезпечують

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Reports on the topic "Опромінення іонами"

1

Піддубний, Б. А., та Володимир Миколайович Соловйов. Комп’ютерне моделювання радіаційно-стимульованої стабілізації (001) Si поверхні. РВГІЦ КДПУ ім. В. Винниченка, 1999. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1025.

Full text

Abstract:

Поверхні, границі розподілу напівпровідників відіграють суттєву роль в процесі формування й функціонування значної кількості приладів та структур сучасної мікроелектроники. Ідеальна поверхня є неврівноваженою структурою, і в залежності від умов її одержання, відпалу, пасівації може трансформуватись в один з більш ніж 300 відомих станів. В сучасних теоретичних дослідженнях важливу роль відіграє комп’ютерне моделювання. Воно дозволяє дослідити атомну структуру, електронні, коливальні й оптичні властивості поверхні. В даній роботі методом молекулярної дннамики з потенціалом Стілінджера-Вебера дос

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!