Academic literature on the topic 'Тензорезистивний ефект'

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Тензорезистивний ефект.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Тензорезистивний ефект"

1

Луньов, С. В., П. Ф. Назарчук та О. В. Бурбан. "ОСОБЛИВОСТІ ТЕНЗООПОРУ МОНОКРИСТАЛІВ N-GE ПРИ СИЛЬНИХ ОДНОВІСНИХ ТИСКАХ". <h1 style="font-size: 40px;margin-top: 0;">Наукові нотатки</h1>, № 75 (7 жовтня 2023): 74–77. http://dx.doi.org/10.36910/775.24153966.2023.75.13.

Full text
Abstract:
Досліджено тензорезистивний ефект в монокристалах n-Ge при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту в умовах, коли одновісний тиск прикладався вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. Зростання тензоопору досліджувальних монокристалів n-Ge пояснюється зменшенням рухливості електронів при одновісному тискові, яка при деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] та [111] стає тензором. При одновісних тисках P//[100] значне зростання тензоопору пов’язане з (L1-Δ1) – інверсією типу абсолютного мінімуму в германії. Одержані залежності тензоопору n-Ge можуть бути ви
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Луньов С.В. та Цизь А.І. "ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ТЕНЗОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ γ-ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛІВ n-Si". Перспективні технології та прилади, № 20 (30 вересня 2022): 63–68. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2022-20-10.

Full text
Abstract:
&#x0D; Дослідженні електричні властивості та тензорезистивний ефект при одновісному тискові вздовж кристалографічного напрямку [100] для неопромінених та γ-опромінених монокристалів кремнію, легованих домішкою фосфору, при температурі рідкого азоту та кімнатній. На основі вимірювань ефекту Холла було встановлено, що при збільшенні дози γ-опромінення зменшується концентрація та рухливість електронів в монокристалах n-Si. Значне зменшення концентрації електронів при T=77 K для опромінених дозою Ф=5·108 Р монокристалів n-Si пов’язане з утворенням при γ-опромінені значної концентрації акцепторних
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Горін, А. Є., Г. В. Громова, В. М. Єрмаков та ін. "Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів". Ukrainian Journal of Physics 56, № 9 (2022): 917. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.9.917.

Full text
Abstract:
Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X ║ [100], X ║ [110], X ║ [111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТР ефекту в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано із зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості при зростанні X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X ║ [100] відбуваєт
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Гуржій, Андрій Миколайович, Валерій Яковлевич Жуйков, Анатолій Тимофійович Орлов та ін. "Викладання фізики з використанням вітчизняної електронної цифрової лабораторії, створеної на основі ІКТ". Theory and methods of e-learning 4 (17 лютого 2014): 69–78. http://dx.doi.org/10.55056/e-learn.v4i1.372.

Full text
Abstract:
У зв’язку із загальною інформатизацією освіти і швидким розвитком цифрових засобів обробки інформації назріла необхідність впровадження в лабораторні практикуми вищих та середніх навчальних закладів цифрових засобів збору, обробки та оформлення експериментальних результатів, в тому числі під час виконання лабораторних робот з основ електротехнічних пристроїв та систем. При цьому надмірне захоплення віртуальними лабораторними роботами на основі комп’ютерного моделювання в порівнянні з реальним (натурним) експериментом може призводити до втрати особової орієнтації в технології освіти і відсутнос
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Dissertations / Theses on the topic "Тензорезистивний ефект"

1

Кулак, А. С. "Трансформація уявлень про тензорезистивний ефект у плівкових матеріалах". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66900.

Full text
Abstract:
Ефект тензочутливості був відкритий англійським фізиком Томсоном (Лорд Кельвін) у 1856 р. при дослідженні електропровідності тонких металевих дротів. Суть явища полягає у тому, що при деформації тонкої дротини, пластини чи плівки відбувається зміна електричного опору.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Однодворець, Лариса Валентинівна, Лариса Валентиновна Однодворец, Larysa Valentynivna Odnodvorets, Д. П. Дудецький та О. І. Кучма. "Тензорезистивний ефект у феромагнітних плівкових матеріалах". Thesis, Видавництво СумДУ, 2007. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/15224.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Білинський, Є. А. "Теоретичні моделі тензорезистивного ефекту в плівкових матеріалах". Thesis, Видавництво СумДУ, 2008. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/4292.

Full text
Abstract:
Науковий керівник: Проценко І.Ю.<br>У роботі проаналізовано питання про тензочутливість одно- і багатошарових плівкових матеріалів з точки зору розробки теоретичних моделей, накопичених експериментальних результатів та досягнень у застосуванні як чутливих елементів тензодатчиків. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/4292
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!