Log in

Relevant bibliographies by topics / Фоточутливість

Contents

Journal articles
Dissertations / Theses
Conference papers

Academic literature on the topic 'Фоточутливість'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Фоточутливість.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Фоточутливість"

1

Козинець, О. В., та С. В. Литвиненко. "Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні". Ukrainian Journal of Physics 57, № 12 (2012): 1234. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.12.1234.

Full text

Abstract:

Досліджено вплив адсорбції молекул води на фоточутливість кремнієвого p–n-переходу із зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні. Показана можливість використання таких структур для створення ефективних хімічнихсенсорів.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Горішний, М. П. "Вольт-амперні характеристики, релаксаційні властивості і фоточутливість плівок політіопентацену". Ukrainian Journal of Physics 56, № 11 (2022): 1203. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.11.1203.

Full text

Abstract:

Вперше спостерігали гістерезис темнових вольт-амперних характеристик (ВАХ) плівок політіопентацену (ПТП), товщиною 1540 нм у сендвічних комірках ІТО(ПТП)Ag при кімнатній температурі і напругах 0–10 В. Встановили, що при негативній полярності ІТО-електрода густина темнового струму J зменшується до стаціонарного значення із сталими часу τ1 = 10 с і τ2 = 150 с. При позитивній полярності цього електрода після спаду J з τ1 = 10 с спостерігається його зростання з τ2 = 150 с. Часовізалежності J, густини струму короткого замикання Jsc, фотоструму Jph і алгебраїчної суми Jsc + Jph зумовлені релаксаційн

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Fedorenko, A. V. "Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, no. 3-4 (2020): 17–23. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2020.3-4.17.

Full text

Abstract:

Laser rangefinders are widely used to measure distances for various civil and military purposes, as well as in rocket and space technology. The optical channel of such rangefinders uses high-speed p–i–n, or avalanche, photodiodes based on Si, Ge or InGaAs depending on the operating wavelength of the rangefinder in question. The paper describes a manufacturing process for high-speed Ge-p–i–n photodiodes for laser rangefinders using the diffusion method. The passivation layer is made of ZnSe, which is a new solution for this type of photodiodes. The existing theoretical models are used to study

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Клюй, М. І., В. П. Костильов, А. М. Лук’янов та ін. "Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe". Ukrainian Journal of Physics 57, № 5 (2012): 538. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.5.538.

Full text

Abstract:

Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених методом термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша – відпал на повітрі. Після цього проводилась обробка зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки. Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ІТО/CdTe приводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але знач

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Буджеміла, Лінда, Василій Рудь, Доулбай Мелебаев, Вадим Давидов та Мурал Шамухаммедова. "Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP". Матеріали міжнародної науково-практиченої конференції "Екологія. Людина. Суспільство", 20 травня 2021, 99–102. http://dx.doi.org/10.20535/ehs.2021.233517.

Full text

Abstract:

Бар'єри Шоткі (БШ) на основі фосфіду галію (GaP) привертають увагу дослідників як перспективні структури для розробки різного роду радіаційно стійких електронних і електричних приладів, в тому числі високотемпературних приладів, приладів високочастотної силової електроніки, ультрафіолетової (УФ) фотоелектроніки і сонячної енергетики. Робота присвячена дослідженню фотоелектричних властивостей поверхнево бар'єрних (ПБ) структур Au-паладій-n-GaP у видимій області спектра під дією як природного, так і поляризованого випромінювання, з метою отримання нових даних про висоту бар'єру, зонної структурі

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Dissertations / Theses on the topic "Фоточутливість"

1

Малецький, М. А. "Фотоелектричні властивості тонких напівпровідникових плівок Ge та Si". Master's thesis, Сумський державний університет, 2020. https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82012.

Full text

Abstract:

Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у аналізі результатів та вивченні явища фотоефекту у тонких напівпровідникових плівках германію та кремнію, визначення чутливості плівкових зразків до дії зовнішнього опромінення у залежності від їх товщини. Під час виконання роботи використовувалися такі методи як термічне випаровування у вакуумі для одержання зразків, оптична інтерферометрія для визначення товщини та резистометрія для дослідження впливу опромінювання на величини опору плівок. В якості приладів використовувались установка ВУП-5М, і

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Доброжан, Олександр Анатолійович, Александр Анатольевич Доброжан, Oleksandr Anatoliiovych Dobrozhan та ін. "Рекомбінаційні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-SdTe". Thesis, Сумський державний університет, 2014. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40107.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Кушнір, Б. В., та І. Г. Ткачук. "Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3]". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729.

Full text

Abstract:

Шаруваті кристали FeIn2Se4 і In4Se3 – перспективні матеріали для створення фоточутливих гетеропереходів на їх основі , які можуть бути як n-, так і p- типу провідності. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної градки дозволяють методом Ван-дерваальсового контакту поверхонь створювати якісні гетеропереходи. Методом механічного контакту був сформований новий гетероперехід p-FeIn2Se4 – n-In4Se3. Монокристали In4Se3 вирощувалися методом Чохральського і володіли яскраво вираженою шаруватою структурою. В якості фронтального напівпровідника гетеропереходу були обрані кристали FeIn2Se4

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "Фоточутливість"

1

Файт, В. І., А. Ф. Стельмах та І. А. Балашова. "Ідентифікація генотипів і фенотипів озимої пшениці м’якої за фоточутливістю". У THE LATEST SCIENTIFIC ACHIEVEMENTS IN THE MODERN AGRO-INDUSTRIAL COMPLEX. Baltija Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.30525/978-9934-26-184-8-6.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!