Książki na temat „Metal oxide semiconductor field-effect transistors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych książek naukowych na temat „Metal oxide semiconductor field-effect transistors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Pierret, Robert F. Field effect devices. 2nd ed. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaSoclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaPhysics of semiconductor devices. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaT, Andre Noah, and Simon Lucas M, eds. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaShur, Michael. Physics of semiconductor devices: Software and manual. London: Prentice-Hall, 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaOktyabrsky, Serge, and Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaAmara, Amara, and Rozeau Olivier, eds. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaTaylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaBaliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaCherem, Schneider Márcio, ed. MOSFET modeling for circuit analysis and design. Singapore: World Scientific, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaQuantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices. Konstanz: Hartnung-Gorre, 2006.
Znajdź pełny tekst źródłaJürgen, Mattausch Hans, and Ezaki Tatsuya, eds. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaWarner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródła1952-, Chattopadhyay Swapan, and Bera L. K, eds. Strained-Si heterostructure field effect devices. New York: Taylor & Francis, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaSaijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaCenter, Lewis Research, ed. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaCenter, Lewis Research, ed. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaWikström, Mats Olaf Tobias. MOS-controlled switches for high-voltage application. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.
Znajdź pełny tekst źródłaWilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaHisham, Haddara, ed. Characterization methods for submicron MOSFETs. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaL, Blue J., ed. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaL, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaCMOS: Circuit design, layout, and simulation. 3rd ed. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaLinder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.
Znajdź pełny tekst źródła1960-, Li Harry W., Boyce David E. 1940-, and Institute of Electrical and Electronics Engineers, eds. CMOS circuit design, layout, and simulation. New Delhi: Prentice-Hall of India, 2004.
Znajdź pełny tekst źródłaFoty, D. MOSFET modeling with SPICE: Principles and practice. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall PTR, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. New York: Oxford University Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaChaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013.
Znajdź pełny tekst źródłaBufler, Fabian M. Full-band Monte Carlo simulation of nanoscale strained silicon MOSFETs. Konstanz: Hartung-Gorre, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaWarner, R. M. Transistors: Fundamentals for the integrated-circuit engineer. Malabar, Fla: R.E. Krieger Pub. Co., 1990.
Znajdź pełny tekst źródłaEl-Khatib, Ziad. Distributed CMOS bidirectional amplifiers: Broadbanding and linearization techniques. New York: Springer, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaFleetwood, Daniel. Defects in microelectronic materials and devices. Boca Raton, FL: CRC Press, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaMadrid, Philip E. Device design and process window analysis of a deep submicron CMOS VLSI technology. Reading, Mass: Addison-Wesley, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. New York: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaChenming, Hu, ed. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaMaeda, Shigenobu. Teishōhi denryoku kōsoku MOSFET gijutsu: Takesshō shirikon TFT fukagata SRAM to SOI debaisu. Tōkyō: Sipec, 2002.
Znajdź pełny tekst źródła