Добірка наукової літератури з теми "Canaux à haute mobilité"
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Статті в журналах з теми "Canaux à haute mobilité":
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Esposito, Emilio, and Mario Raffa. "Qualité et sous-traitance dans l'industrie italienne : quelques résultats d'une étude empirique." Revue internationale P.M.E. 5, no. 2 (February 16, 2012): 57–82. http://dx.doi.org/10.7202/1008139ar.
Анотація:
À partir de quelques évidences empiriques, ce travail propose une contribution au débat sur la nature des nouveaux rapports liant les grandes entreprises de haute technologie et les petites entreprises de sous-traitance. Le cadre de référence spécifiquement considéré est l’industrie italienne. L’approche utilisée étudie la façon dont la grande entreprise de haute technologie sollicite le développement des petites entreprises de sous-traitance. L’analyse a été menée à partir d’un modèle de transmission de la technologie entre les grandes et les petites entreprises. Dans le modèle, la technologie est décrite comme un ensemble de quatre composantes : machines, capacités professionnelles, règles d’organisation et documents. Les vecteurs de liaison transportant ces composantes entre les entreprises se définissent comme canaux de transmission de la technologie. L’enquête repère donc ces canaux de transmission de la technologie entre la grande entreprise de haute technologie et les petites entreprises de sous- traitance. La conclusion à laquelle conduit cette recherche est que la grande entreprise de haute technologie, afin de gérer le cycle de production dans le respect de standards de qualité élevés, sollicite et soutient la croissance des petites entreprises de sous-traitance. La petite entreprise abandonne l'optique de court terme et s’oriente vers un processus de croissance quantitatif et qualitatif.
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Merllié, Dominique. "Les Classements Professionnels dans les Enquêtes de Mobilité." Annales. Histoire, Sciences Sociales 45, no. 6 (December 1990): 1317–33. http://dx.doi.org/10.3406/ahess.1990.278910.
Анотація:
Parmi les facteurs qui ont convergé pour faire de la « mobilité sociale » un des thèmes centraux, ou en tout cas très généralement reconnu comme important, de la sociologie, figure sans doute en bonne place son identification avec l'outil statistique des tables de mobilité et des indices qu'elles permettent de construire. L'existence d'une technique statistique d'usage assez général a permis à la fois de poser les problèmes dans un langage apparemment commun et d'imprimer au développement des recherches un tour plutôt méthodologique. Ces travaux se sont concentrés sur les méthodes de présentation, d'analyse ou d'interprétation des résultats, beaucoup plus que sur celles, en amont, de leur établissement. La logique de la division technique du travail statistique reposant sur des enquêtes importantes poussait dans ce sens, mais la logique comparative aussi. Une enquête sur la mobilité n'est informative que par comparaison : comparaisons avec d'autres enquêtes réalisées ailleurs ou à un autre moment (permettant d'identifier des conditions socio-historiques de la mobilité) ; comparaisons internes, de sous-populations, permettant d'observer des « canaux » de mobilité, des catégories, générations, etc. diversement mobiles ; même l'analyse d'une seule enquête suppose qu'on en situe les résultats dans la gamme de ceux qui étaient possibles compte tenu des caractéristiques techniques des tables construites.
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Chartrand, P. J., and K. L. Pond. "Cheminement des carrières de direction dans la fonction publique au Canada." Relations industrielles 24, no. 2 (April 12, 2005): 318–32. http://dx.doi.org/10.7202/028021ar.
Анотація:
Cet article présente un résumé d'une étude entreprise auprès des hauts fonctionnaires dans la fonction publique du Canada. Elle porte sur le cheminement des carrières et touche aussi à la mobilité, à l'occupation et aux sources de recrutement.
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Piché, Victor, Joel Gregory, and Denise Desrosiers. "Migration et sous-développement en Haute-Volta : essai de typologie." Articles 10, no. 1 (January 6, 2009): 87–120. http://dx.doi.org/10.7202/600843ar.
Анотація:
RÉSUMÉ L’objectif du présent article est de présenter les conclusions empiriques les plus importantes de l’Enquête nationale sur les mouvements migratoires en Haute-Volta (1974-1975) et de les situer dans une perspective historique et théorique. Notre démarche procède en trois points : (1) description du contexte historique de la migration voltaïque, (2) présentation du cadre théorique (migration et capitalisme périphérique) et d’une typologie de la mobilité (espace géographique contre espace économique), (3) illustration de la typologie à partir des données sur les migrations voltaïques (flux migratoires et matrices socio-professionnelles).
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Belhadj, Abdenabi, Pierre Audren, Christian Vuchener, Joseph Paugam, and Jean-Michel Dumas. "Caractérisation et résultats de fiabilité de transistors à haute mobilité électronique (HEMT)." Annales Des Télécommunications 45, no. 11-12 (November 1990): 585–90. http://dx.doi.org/10.1007/bf02995708.
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Thibert, V., J. Di Bussolo, C. Lafontaine, M. Castillo, T. Thomas, and H. Othman. "Analyse haute cadence de buprénorphine et d’éthanol par un système CL–SM/SM multi-canaux." Toxicologie Analytique et Clinique 28, no. 2 (June 2016): S45—S46. http://dx.doi.org/10.1016/j.toxac.2016.03.078.
7
BERNARD, Paul, and Jean RENAUD. "Contre-mobilité et effets différents : une réflexion sur la transmission des biens inclusifs et des biens exclusifs." Sociologie et sociétés 8, no. 2 (September 30, 2002): 81–98. http://dx.doi.org/10.7202/001050ar.
Анотація:
Résumé II y a deux façons d'appréhender l'influence que les variables d'origine familiale exercent sur le déroulement de la carrière des individus: d'une part les études de contre-mobilité - où les trajectoires de carrière sont classifies selon qu'il y a ultimement retour au statut d'origine ou non - et d'autre part, les analyses causales du processus d'acquisition de statut qui permettent d'identifier les effets différés des variables d'origine. Les auteurs, après avoir montré que ces deux procédures reflètent une même réalité, tentent d'expliquer pourquoi certaines variables d'origine, tel le statut professionnel du père, ont une influence plus importante au milieu de la carrière alors que d'autres, telle l'éducation, ont un effet direct qui décroît avec le: temps. À ces fins ils introduisent une distinction entre biens inclusifs et biens exclusifs; chacun de ces types de biens, à cause de sa nature et des canaux de transmission entre générations qui lui est propre présente un profil caractéristique d'influence dans le temps.
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Sallé, Damien, and Philippe Bidaud. "Optimisation multi-objectif d'un instrument robotisé à haute mobilité pour la chirurgie mini-invasive." Techniques et sciences informatiques 25, no. 8-9 (October 1, 2006): 1179–208. http://dx.doi.org/10.3166/tsi.25.1179-1208.
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Nassiet, Michel. "Une étude de mobilité géographique à l'époque moderne : la petite noblesse de Haute-Bretagne." Annales de démographie historique 1986, no. 1 (1987): 235–50. http://dx.doi.org/10.3406/adh.1987.1662.
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Francfort, Henri-Paul, and Olivier Lecomte. "Irrigation et société en Asie centrale des origines à l’époque achéménide." Annales. Histoire, Sciences Sociales 57, no. 3 (June 2002): 625–63. http://dx.doi.org/10.3406/ahess.2002.280068.
Анотація:
RésuméL’article fait le point sur la question de l’origine de l’agriculture irriguée en Asie centrale au début du IIIe millénaire et de son développement jusqu’à l’époque achéménide d’après une documentation principalement archéologique, car les sources textuelles sont rares. Les informations tirées des fouilles et des prospections (vestiges de canaux anciens, sites d’habitat, artefacts) sont confrontées aux données paléo-environnementales pour évaluer l’importance des paramètres naturels et celle des facteurs économiques et sociaux dans l’émergence, à haute époque, de cultures archéologiques homogènes sur de vastes territoires. Ces cultures sont souvent prises comme des expressions matérielles de formations socio-politiques appelées «proto-étatiques». Cette notion de proto-État, ses implications socio-économiques, ainsi que la conception de l’Asie centrale comme périphérie d’empires moyen-orientaux font l’objet d’une discussion critique.
Дисертації з теми "Canaux à haute mobilité":
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Shchepetov, Andrey. "Étude et fabrication de dispositifs nanométriques pour applications THz." Thesis, Lille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008LIL10069/document.
Анотація:
Les applications émergentes dans la gamme des fréquences Térahertz (THz, 10¹² Hz) stimulent le développement des composants actifs et passifs rapides ainsi que des émetteurs et des détecteurs de radiation travaillant dans ce domaine. Les dispositifs actuels ne répondent pas à tous les besoins de l'industrie à cause de la consommation, la taille et le coût très importants. La solution pour la réalisation des émetteurs et des détecteurs peut venir des transistors à ondes plasma que nous avons étudiés. Ce sont les composant à base de HEMT Ill-V exploitants les nouvelles propriétés de transport électronique. Les mesures de ces dispositifs ont montré les possibilités de l'émission et de la détection de la radiation autour de 1 THz, à température basse et ambiante. Une détection résonante avec une fréquence ajustable est possible. D'un autre côté il est nécessaire de réaliser les composants actifs électroniques (transistors) capables de fonctionner aux fréquences proches du THz. Ceci est nécessaire pour la réalisation des circuits rapides comme les amplificateurs, les mélangeurs et autres. Pour répondre à cette demande, nous avons étudié deux types de transistors double-grilles. Les mesures ont prouvé l'amélioration des performances statiques et dynamiques (saturation de courant de drain et courant de drain maximal, efficacité de commande, transconductance et conductance de sortie, fréquences de fonctionnement). De plus, la consommation aux performances équivalentes est plus faible. Les simulations montrent que les performances peuvent être améliorées d'avantageThe emergent applications in the Terahertz (THz) frequencies range stimulate the development of active and passive rapid devices as much as of emitters and detectors working in this domain. Actually existent devices do not respond to all industry needs because of too high consumption, size and cost, and other inconvenient. A solution for realisation of emitters and detectors could come from plasma-wave transistor that we studied. These devices are based on 1I1-V HEMT and utilised a particular behaviour of electronic transport. Measurements have shown the possibility of emission and detection of radiation at about 1 THz. From the other hand it is necessary to realize electronic active devices (transistors) able to operate near the THz range. This is necessary for realisation of rapid integrated circuits such as amplifiers, mixers and so on. To do this we have chosen to study two kinds of double-gate transistors. Measurements have shown the increasing of static and dynamic performances (maximum drain current and drain current saturation, efficiency of charge control, transconductance, output conductance, operation frequencies). Besides, the same performances can be obtained at lower consumption. Simulations show that performances could be improved even more
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Hutin, Louis. "Etude des transistors MOSFET à barrière Schottky, à canal Silicium et Germanium sur couches minces." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0159.
Анотація:
Jusqu’au début des années 2000, les règles de scaling de Dennard ont permis de réaliser des gains en performance tout en conservant la structure de la brique de base transistor d’une génération technologique à la suivante. Cependant, cette approche conservatrice a d’ores et déjà atteint ses limites, comme en témoigne l’introduction de la contrainte mécanique pour les générations sub-130nm, et les empilements de grille métal/high-k pour les nœuds sub-65nm. Malgré l’introduction de diélectriques à forte permittivité, des limites en termes de courants de fuite de grille et de fiabilité ont ralenti la diminution de l’épaisseur équivalente d’oxyde (EOT). De façon concomitante, la diminution de la tension d’alimentation (VDD) est devenue une priorité afin de réduire la densité de puissance dissipée dans les circuits intégrés. D’où le défi actuel : comment continuer de réduire à la fois la longueur de grille et la tension d’alimentation plus rapidement que l’EOT sans pour autant dégrader le rapport de performances aux états passant et bloqué (ON et OFF) ? Diverses solutions peuvent être proposées, passant par des architectures s’éloignant du MOSFET conventionnel à canal Si avec source et drain dopés tel que défini en 1960. Une approche consiste en réaliser une augmentation du courant passant (ION) tout en laissant le courant à l’état bloqué (IOFF) et la tension de seuil (Vth) inchangés. Concrètement, deux options sont considérées en détail dans ce manuscrit à travers une revue de leurs motivations historiques respectives, les résultats de l’état de l’art ainsi que les obstacles (fondamentaux et technologiques) à leur mise en œuvre : i/ la réduction de la résistance parasite extrinsèque par l’introduction de source et drain métalliques (architecture transistor à barrière Schottky) ; ii/ la réduction de la résistance de canal intrinsèque par l’introduction de matériaux à haute mobilité à base de Germanium (CMOS Ge, canaux SiGe en contrainte compressive, co-intégration Dual Channel n-sSi/p-sSiGe). En particulier, nous étudions le cas de couches minces sur isolant (substrats SOI, SiGeOI, GeOI), un choix motivé par : la préservation de l’intégrité électrostatique pour les nœuds technologiques sub-22nm; la limitation du courant de fuite ambipolaire dans les SBFETs; la limitation du courant de fuites de jonctions dans les MOSFETs à base de Ge (qui est un matériau à faible bandgap). Enfin, nous montrons pourquoi et dans quelles conditions l’association d’une architecture SBFET et d’un canal à base de Germanium peut être avantageuse vis-à-vis du CMOS Silicium conventionnelUntil the early 2000’s Dennard’s scaling rules at the transistor level have enabled to achieve a performance gain while still preserving the basic structure of the MOSFET building block from one generation to the next. However, this conservative approach has already reached its limits as shown by the introduction of channel stressors for the sub-130 nm technological nodes, and later high-k/metal gate stacks for the sub-65 nm nodes. Despite the introduction of high-k gate dielectrics, constraints in terms of gate leakage and reliability have been delaying the diminution of the equivalent oxide thickness (EOT). Concurrently, lowering the supply voltage (VDD) has become a critical necessity to reduce both the active and passive power density in integrated circuits. Hence the challenge: how to keep decreasing both gate length and supply voltage faster than the EOT without losing in terms of ON-state/OFF-state performance trade-off? Several solutions can be proposed aiming at solving this conundrum for nanoscale transistors, with architectures in rupture with the plain old Silicon-based MOSFET with doped Source and Drain invented in 1960. One approach consists in achieving an ION increase while keeping IOFF (and Vth) mostly unchanged. Specifically, two options are considered in detail in this manuscript through a review of their respective historical motivations, state-of-the-art results as well as remaining fundamental (and technological) challenges: i/ the reduction of the extrinsic parasitic resistance through the implementation of metallic Source and Drain (Schottky Barrier FET architecture); ii/ the reduction of the intrinsic channel resistance through the implementation of Germanium-based mobility boosters (Ge CMOS, compressively-strained SiGe channels, n-sSi/p-sSiGe Dual Channel co-integration). In particular, we study the case of thin films on insulator (SOI, SiGeOI, GeOI substrates), a choice justified by: the preservation of the electrostatic integrity for the targeted sub-22nm nodes; the limitation of ambipolar leakage in SBFETs; the limitation of junction leakage in (low-bandgap) Ge-based FETs. Finally, we show why, and under which conditions the association of the SBFET architecture with a Ge-based channel could be potentially advantageous with respect to conventional Si CMOS
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Zimmermann, Katrin. "Contacts ponctuels quantiques dans le graphène de haute mobilité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAY008/document.
Анотація:
Dans le régime de l'effet Hall quantique, les porteurs de charge se propagent le long de canaux unidimensionnels situés au bords d'un gaz d'électron bidimensionel (2D electron gas, 2DEG). Un contact ponctuel quantique (quantum point contact, QPC) - une constriction étroite confinant spatialement le gaz électronique - permet de contrôler la transmission de ces canaux de bords. Dans un 2DEG conventionnel, une tension négative appliquée sur les grilles électrostatiques du QPC engendre la déplétion locale du gaz électronique sous la grille, forçant les électrons à se propager au travers de la constriction. Cependant, dans le graphène, du fait de l'absence de bande interdite, une tension négative provoque la transition continue du dopage d'électrons à trous. Dans le régime de l'effet Hall quantique, électrons et trous se propagent le long de l'interface p-n dans la même direction, et la diffusion inélastique induit un transfert de charge et du mélange entre eux.Au cours de cette thèse, nous avons fabriqué des dispositifs à base de graphène encapsulé dans deux feuillets de hBN, et munis de grilles électrostatiques définissant un QPC. Nous avons étudié l'effet du QPC sur la propagation des canaux de bords entiers et fractionnaires de l'effet Hall quantique, et sur le mélange entre eux. Dans l'effet Hall quantique, nous avons démontré que les canaux entiers et fractionnaires peuvent être contrôlés et sélectivement transmis au travers de la constriction. Du fait de la haute mobilité de nos structures, et de la levée de dégénérescence complète des niveaux de Landau qui en résulte à fort champ magnétique, l'équilibrage à l'interface p-n est réduit aux sous-niveaux de même spin et au niveau de Landau N=0.Un QPC dans le régime de l'effet Hall quantique constitue également un système idéal pour l'étude de l'effet tunnel des porteurs de charge entre canaux de bords fractionnaires, unidimensionnels et fortement corrélés, se propageant dans des directions opposées, décrits par la théorie de Tomonaga-Luttinger. Nous avons étudié l'effet tunnel entre canaux de bords fractionnaires dans notre structure muni un QPC, en nous concentrant sur l'état fractionnaire 7/3 et la dépendance en température de ses propriétés tunnelsIn the quantum Hall regime, the charge carriers are conducted within one-dimensional channels propagating at the edge of a two-dimensional electron gas (2DEG). A quantum point contact (QPC) – a narrow constriction confining spatially electron transport – can control the transmission of these quantum Hall edge channels. In conventional 2DEG systems, a negative voltage applied on the electrostatic split gates depletes locally the electrons underneath them forcing the electrons to pass through the constriction. In contrast, due to the absence of a band gap in graphene, a negative gate voltage induces a continuous shift of the doping from electrons to holes. In the quantum Hall regime, electron and hole edge channels propagate along the pn-interface in the same direction while inelastic scattering induces charge transfer and mixing between them.In this PhD thesis, we have fabricated ballistic graphene devices made by van der Waals stacking of hBN/Gr/hBN heterostructures, and equipped with split gates forming a quantum point contact (QPC) constriction. We have studied the effect of the QPC on the propagation of integer and fractional quantum Hall edge channels and the mixing among them. In the quantum Hall regime, we demonstrate that the integer and fractional quantum Hall edge channels can be controlled and selectively transmitted by the QPC. Due to the high mobility of our devices and the resultant full lifting of the degeneracies of the Landau levels in strong magnetic field, equilibration at the pn-interface is restricted to sublevels of identical spins of the N=0 Landau level.A QPC in the quantum Hall regime offers also an ideal system to study the tunnelling of charge carriers between counter-propagating fractional edge channels of highly correlated, one-dimensional fermions described by the theory of Tomonaga-Luttinger. We study the tunnelling between fractional quantum Hall edge channels in our QPC device in graphene and focus on the 7/3-fractional state to explore the temperature dependence of tunnelling characteristics
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Lesic-Arsic, Biljana. "Mobilité de l'îlot de haute pathogénicité de Yersinia pseudotuberculosis." Paris 6, 2004. http://www.theses.fr/2004PA066204.
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Sallé, Damien. "Conception optimale d'instruments robotisés à haute mobilité pour la chirurgie mini-invasive." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00762265.
Анотація:
Cette thèse concerne la conception optimale de systèmes robotisés à haute mobilité pour la chirurgie mini-invasive. Elle este basée sur un processus d'optimisation par algorithmes évolutionnaires mult-objectifs, couplés à une simulation réaliste de la tache chirurgicale qui prend en compte tous les paramètres nécessaires à l'évaluation fidèle des robots. Cette méthodologie de conception a été appliquée au geste de suture lors d'une procédure de pontage coronarien. Elle aboutit à l'obtention d'un instrument chirurgical robotisé adapté, doté de 9 degrés de liberté: DRIMIS. Un prototype en a été réalisé et ses performances cinématiques évaluées.
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Weber, Olivier. "Etude, fabrication et propriétés de transport de transistors CMOS associant un diélectrique haute permittivité et un canal de conduction haute mobilité." Lyon, INSA, 2005. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2005ISAL0127/these.pdf.
Анотація:
La miniaturisation des transistors CMOS permet d'améliorer les performances, la densité d'intégration et le coût des circuits électroniques. Plusieurs ruptures technologiques concernant l'architecture et les matériaux des transistors doivent s'additionner pour atteindre les dimensions ultimes, à l'échelle de l'atome. L'introduction d'un diélectrique haute permittivité comme isolant de grille à la place du SiO2 vise à améliorer le compromis épaisseur d'oxyde/courant de fuite de grille. Un canal haute mobilité doit permettre d'améliorer la vitesse des porteurs et donc le compromis vitesse (fréquence d'horloge)/puissance active des circuits. Cette thèse porte sur l'étude, la fabrication et les propriétés de transport de transistors CMOS cumulant ces deux nouvelles options technologiques. Ceci concerne en particulier des transistors avec un empilement de grille TiN/HfO2 : nMOS à canaux Si contraints, pMOS à canaux SiGe(:C) ou Ge contraints et une nouvelle architecture pMOS selon l'orientation cristallinne (111). Des gains en mobilité élevés par rapport aux transistors de référence HfO2/Si, pouvant atteindre +800% pour la mobilité des trous sur les transistors Ge contraints, sont obtenus conjointement avec l'effet du diélectrique HfO2 : une réduction de 4 décades du courant de fuite de grille par rapport à un oxyde SiO2. Une caractérisation électrique approfondie permet de montrer l'importance de l'optimisation de l'interface diélectrique/canal sur les gains en mobilité. Les caractéristiques des transistors sont analysées et discutées jusqu'à des longueurs de grille inférieures à 50nm. Finalement, la dégradation de la mobilité avec un empilement de grille TiN/HfO2, point critique limitant l'émergence de tels empilements, est analysée en détail et les mécanismes de collisions des porteurs sont déterminés expérimentalementCMOS scaling allows an improvement of the performance, the integration density and the price of electronic circuits. Several breakthroughs, concerning the MOSFET architecture and materials must be added to push the transistor at his atomic scale limit. The replacement of the gate silicon oxide by a high-k dielectric is promising to improve the oxide thickness/gate leakage current trade-off. A high mobility channel provides a carrier velocity improvement and thus, an increase of the speed/active power ratio in the circuits. This work concerns the study, the fabrication and the transport properties of CMOS transistors with both of these new technological options. It includes several different transistors with a TiN/HfO2 gate stack: strained Si channel nMOSFETs, strained SiGe(:C) or Ge pMOSFETs and a new pMOS architecture with a (111) surface oriented channel. High mobility enhancements compared to the HfO2/Si reference, up to +800% for the hole mobility in strained Ge, are reported in addition to the high-k dielectric characteristic: a 4 decades gate leakage reduction compared to the silicon oxide. Our in-depth electrical characterization demonstrates that the dielectric/channel interface optimization is crucial to obtain high mobility gains. Transistors characteristics are presented and discussed down to 50nm gate length. Finally, the mobility degradation with a TiN/HfO2 gate stack, which constitutes a serious issue for the high-k/metal gate stack emergence, is analysed and the mobility scattering mechanisms are determined experimentally
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Mouis, Mireille. "Étude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction." Paris 11, 1988. http://www.theses.fr/1988PA112053.
Анотація:
L'étude des transistors à effet de champ, utilisant le transport au voisinage d'une hétérojonction, est fondée sur une simulation Monte-Carlo qui tient compte à la fois des effets de géométrie bidimensionnelle, du caractère non stationnaire du transport et de la possibilité de transfert spatial des électrons chauds par émission au-dessus de l'hétérojonction
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Sabatini, Giulio. "Étude Monte Carlo de matériaux et composants électroniques à haute mobilité pour les applications TeraHertz." Montpellier 2, 2009. http://www.theses.fr/2009MON20170.
Анотація:
La radiation TeraHertz fait partie d'une zone du spectre électromagnétique qui n'est pas encore maîtrisée. Elle possède pourtant des propriétés physiques qui intéressent des domaines très divers : la spectroscopie, les télécommunications, l'imagerie, la sécurité, etc. Pour comprendre le comportement des dispositifs travaillant dans ce domaine de fréquences, une connaissance approfondie des propriétés de transport des matériaux qui les constituent est nécessaire. La méthode Monte Carlo a été employée dans cette thèse afin d'étudier des phénomènes physiques présents dans l'InGaAs et l'InAs, qui peuvent être exploités pour le développement de nouvelles sources ou détecteurs THz. Nous avons donc mené une étude détaillée du transport statique et dynamique des électrons et des trous dans l'InGaAs massif, constituant possible du canal d'un HEMT (High Electron Mobility Transistor), et dans l'InAs massif, vu ces propriétés de transport encore meilleurs. Nous avons aussi dirigé notre recherche sur leur comportement à hautes fréquences et sur différents paramètres associés aux fluctuations. Ensuite, nous avons analysé les propriétés de transport électronique des diodes nanometriques InAs, qui peuvent être apparentées à la zone de collecteur d'un QHET (Quantum Hot Electron Transistor). L'objectif de cette partie est de caractériser les différents régimes de transport, leurs dépendances en fonction du dopage et du type d'injection, avant d'étudier les effets balistiques présents dans ce type de structuresTeraHertz radiation belongs to a part of the electromagnetic spectrum which is not mastered at present. Nevertheless, it is characterized by physical properties which are of interest for different domains: spectroscopy, wireless telecommunications, imaging, security, etc. To understand the behavior of the devices working in this frequency range, a thorough knowledge of the transport properties of the materials which constitute them is necessary. The Monte Carlo method was employed in this thesis to study the physical phenomena present in InGaAs and InAs, which can be exploited for the development of new THz sources or detectors. We thus undertook a detailed study of the static and dynamic transport of electrons and holes in bulk InGaAs, possible component of the HEMT channel (High Electron Mobility Transistor), and in bulk InAs, considering its even better transport properties. We have also directed our research on their high frequency behavior and on various parameters associated with fluctuations. Then, we have analyzed the properties of electronic transport of InAs nanometric diodes, which can be related to the collector zone of a QHET (Quantum Hot Electron Transistor). The objective of part work is to characterize the various modes of transport, their dependences as functions of doping and the type of injection, before studying the ballistic effects present in this type of structures
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Besseron, Guillaume. "Contrôle de la stabilité des systèmes locomoteurs à haute mobilité évoluant sur des terrains accidentés." Paris 6, 2008. http://www.theses.fr/2008PA066545.
Анотація:
Les recherches présentées dans ce mémoire portent sur l'amélioration des capacités de locomotion de systèmes mobiles autonomes en milieux naturels. Dans le cadre de ces travaux, un système de locomotion adaptatif bénéficiant d'une structure cinématique redondante hybride roue-patte a été conçu et réalisé permettant de répondre à cette problématique. Ce type de mécanisme dispose en effet de capacités intrinsèques d'adaptation aux variations géométriques des terrains extérieurs qui lui permettent d'y répondre efficacement. Outre ces capacités cinématiques d'adaptation, la notion d'autonomie est également liée à la dépendance énergétique de ces systèmes. Or l'actionnement des mobilités internes pour la reconfiguration du véhicule lors de son évolution sur un terrain accidenté nécessite un apport non négligeable d'énergie. Dans cette optique, une commande de gestion de posture cherchant à limiter les phases de reconfigurations du robot a été mise en place. Celle-ci s'attache à modifier l'état postural du système seulement lorsque son intégrité, en l'occurrence sa stabilité, est mise en péril. Une loi de commande originale de gestion de la posture s'appuyant sur une mesure de stabilité dynamique du robot conduit à ce type de comportement grâce à l'utilisation des champs de potentiels. Cette commande des déplacements du robot s'appuie sur l'inversion de son modèle cinématique à partir duquel un découplage des termes de posture et de trajectoire est réalisé assurant simultanément le suivi de chemin et la modification éventuelle de son état postural. La reconfiguration de la posture du robot intervient alors lorsque la mesure de la stabilité atteint une valeur critique déterminée comme telle. Ce principe de commande est validé et montre son intérêt à travers des simulations numériques au cours desquelles le comportement dynamique du robot en évolution sur un terrain naturel quelconque a été modéliséThe research presented in this report deals with the improvement of the autonomous mobile robots locomotion capacities on natural terrains. In this work, an adaptive locomotion system with a redundant wheel-legged hybrid kinematic structure was designed and realized. Indeed, this kind of mechanism has the capacities to adapt itself to uneven grounds. The autonomy of the robot is linked to both its kinematics capacities of adaptation and to its energetic dependence. When the vehicle reconfigurates itself, while moving on an uneven field, a big amount of energy is needed by its internal mobilities. That is why, a posture control aiming at minimizing the number of reconfigurations of the robot has been developed. The goal is to modify the posture of th erobot only when its integrity, i. E. Its stability is jeopardized. The use of a posture control command law based on the potential fields allow to obtain the wanted behaviour of the robot. The command of the movements of the robot relies on the inverse of the differential kinematic model. In this model, the different terms are split, ensuring so both the trajectory and the change of the posture of th erobot. The robot reconfigurates itself when its stability reached a pre-determined value. The principle of this control is validated through numeric simulations representing the dynamic behavoiur of the robot moving on a natural terrain
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Najjar, Atallah Leïla. "Estimation haute résolution des directions d'arrivée et des retards temporels de propagation dans un contexte de radio communications." Paris 11, 2002. http://www.theses.fr/2002PA112095.
Анотація:
Dans cette thèse, nous considérons le problème d'estimation des paramètres de propagation dans les canaux de radio communications à partir d'une antenne multi-capteurs. Une approche à haute résolution fondée sur la formulation des sous-espaces est adoptée pour l'estimation des Directions D'Arrivée (DDAs) et des retards temporels relatifs aux émetteurs présents dans le même canal fréquentio-temporel. Ces paramètres servent aussi bien pour affiner l'estimée du canal en vue d'améliorer les performances du récepteur que pour localiser les émetteurs en vue d'utiliser un schéma d'accès multiple par diversité spatiale. La poursuite du sous-espace source par une approche adaptative est d'abord considérée et l'extension de la méthode PASTd au cas de multi-trajets cohérents est réalisée à travers deux versions originales qui incorporent des procédures de décorrélation. Nous nous intéressons dans la suite à une approche supervisée faisant usage de signaux connus dans l'estimation des DDAs ou retards et DDAs. Une méthode originale PADEC est proposée pour localiser et associer les DDAs aux émetteurs. Elle consiste en des traitements parallèles par retard symbole dans la réponse impulsionnelle de chaque canal mono-utilisateur. Dans le cadre de la localisation spatio-temporelle supervisée, deux algorithmes sont suggérés. Ils estiment séquentiellement les retards et les DDAs des trajets de chaque émetteur. Les méthodes supervisées utilisent les réponses impulsionnelles des canaux, estimées de façon non structurée, par filtrage adapté ou par optimisation d'un critère EQMM. On montre que l'utilisation de la connaissance des signaux de référence permet, par le traitement séparé des sous ensembles de trajets, de réduire aussi bien les contraintes sur la taille minimale de l'antenne que la charge calculatoire. Les performances obtenues sont améliorées par rapport au cas aveugle et l'association des paramètres estimés aux sources est garantieIn this PhD, array processing is used for the estimation of propagation parameters in radio communication channels. A high resolution approach based on a subspace formulation is adopted for the estimation of Directions Of Arrival (DOA) and time delays corresponding to the co-channel users. The estimated parameterized channel is expected to enhance the performances at the reception. These parameters also serve to localize the users which can be exploited in a spatial diversity multiple access scheme. An adaptive approach is firstly used for the source subspace tracking and the algorithm PASTd is adapted through two new versions to handle coherent arrivals that frequently occur in multipath scenario. After this, a supervised approach using known signals is considered for the DOA or delays and DOA estimation. A new method called PADEC is proposed to estimate and to associate DOA to users. It consists of a parallel processing per tap delay in the impulse response of each user channel. In the spatio-temporal frame, two supervised algorithms are proposed. They sequentially process delays then DOA of each user paths. In the supervised approach, unstructured estimates of the impulse response of SIMO channels are firstly recovered by matched filtering or via the optimization of an MMSE criterion. The use of known signals is shown to relax the constraint on the antenna size, through processing only a subset of paths at a time. Also, an important reduction in the computational load is obtained. The estimation performance is enhanced in comparison to blind approach and the parameters and users are naturally gathered
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Aimon, Dominique. "Chapitre 7 : Le pneumatique : innovation et haute technologie pour faire progresser la mobilité." In Chimie et transports, 135–48. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-1149-6-013.
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Isoardi, Delphine, and Laurie Tremblay Cormier. "Mobilité des individus et des biens dans la vallée de l’Ubaye (Alpes-de-Haute-Provence) et le Guillestrois (Hautes-Alpes) à l’âge du Fer." In La conquête de la montagne : des premières occupations humaines à l’anthropisation du milieu. Éditions du Comité des travaux historiques et scientifiques, 2019. http://dx.doi.org/10.4000/books.cths.7902.