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Dissertations / Theses on the topic '28nm'

Author: Grafiati
Published: 9 March 2023
Last updated: 31 July 2025

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Biswas, Avishek Ph D. Massachusetts Institute of Technology. "Energy-efficient SRAM design in 28nm FDSOI Technology." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1721.1/91095.

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Abstract:
Thesis: S.M., Massachusetts Institute of Technology, Department of Electrical Engineering and Computer Science, 2014.<br>48<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (pages 75-81).<br>As CMOS scaling continues to sub-32nm regime, the effects of device variations become more prominent. This is very critical in SRAMs, which use very small transistor dimensions to achieve high memory density. The conventional 6T SRAM bit-cell, which provides the smallest cell-area, fails to operate at lower supply voltages (Vdd). This is due to the significant degradation of
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PIPINO, ALESSANDRA. "Design of Analog Circuits in 28nm CMOS Technology for Physics Applications." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2017. http://hdl.handle.net/10281/158126.

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Abstract:
Il trend esponenziale delle tecnologie CMOS previsto dalla legge di Moore è stato ampiamento dimostrato nel corso degli ultimi tre decenni. Si è osservato uno scaling costante, caratterizzato da dispositivi sempre più piccoli, per soddisfare le esigenze delle applicazioni digitali in termini di velocità, complessità, densità circuitale e basso consumo di potenza. Ogni nodo tecnologico è rappresentato dalla minima lunghezza ottenibile, che corrisponde alla lunghezza del canale del più piccolo transistor che si può integrare. Con l'arrivo delle tecnologie al di sotto dei 100nm, le performance d
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Lorrain, Vincent. "Etude et conception de circuits innovants exploitant les caractéristiques des nouvelles technologies mémoires résistives." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS182/document.

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Abstract:
Dans cette thèse, nous étudions les approches calculatoires dédiées des réseaux de neurones profonds et plus particulièrement des réseaux de neurones convolutionnels (CNN). En effet, l'efficacité des réseaux de neurones convolutionnels en font des structures calculatoires intéressantes dans de nombreuses applications. Nous étudions les différentes possibilités d'implémentation de ce type de réseaux pour en déduire leur complexité calculatoire. Nous montrons que la complexité calculatoire de ce type de structure peut rapidement devenir incompatible avec les ressources de l'embarqué. Pour résoud
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Torres, Florent. "Power amplifier design for 5G applications in 28nm FD-SOI technology." Thesis, Bordeaux, 2018. http://www.theses.fr/2018BORD0064/document.

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Abstract:
Le futur réseau mobile 5G est prévu pour être déployé à partir de 2020, dans un contexte d’évolution exponentielle du marché de la téléphonie mobile et du volume de données échangées. La 5G servira de levier à des applications révolutionnaires qui permettront l’émergence du monde connecté. Dans ce but, plusieurs spécifications pour le réseau sont attendues même si aucun standard n’est encore défini et notamment une faible latence, une consommation d’énergie réduite et un haut débit de données. Les bandes de fréquences traditionnellement utilisées dans les réseaux mobiles ne permettront pas d’a
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Arfaoui, Wafa. "Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4335.

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Abstract:
Au sein de la course industrielle à la miniaturisation et avec l’augmentation des exigences technologiques visant à obtenir plus de performances sur moins de surface, la fiabilité des transistors MOSFET est devenue un sujet d’étude de plus en plus complexe. Afin de maintenir un rythme de miniaturisation continu, des nouvelles architectures de transistors MOS en été introduite, les technologies conventionnelles sont remplacées par des technologies innovantes qui permettent d'améliorer l'intégrité électrostatique telle que la technologie FDSOI avec des diélectriques à haute constante et grille m
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Bayat, Shahin. "Experiments and simulations on negative/positive bias temperature instability in 28nm CMOS devices." Thesis, University of British Columbia, 2015. http://hdl.handle.net/2429/55104.

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Abstract:
CMOS transistors come with a scaling potential, which brings along challenges such as process variation and NBTI/PBTI (Negative/Positive Bias Temperature Instability). My objectives during this project are to investigate effects of aging on CMOS devices as well as to show experimental results in order to model the effect of N/PBTI specifically targeting the 28nm technology node. The direct effect of transistor aging is a degradation of device threshold voltage, which can lead to performance degradation or malfunctions. Places such as server farms, data centers, and outer space-crafts, where de
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Fonseca, Alexandre. "Conception et réalisation de circuits de génération de fréquence en technologie FDSOI 28nm." Thesis, Nice, 2015. http://www.theses.fr/2015NICE4100/document.

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Abstract:
Le déploiement à grande échelle de l’internet des objets nécessite le développement de systèmes de radiocommunication plus économes en énergie, dont le circuit de génération de fréquences est connu pour être particulièrement énergivore. L’objectif de ce travail de thèse est donc d’une part de développer une synthèse de fréquences très faible consommation et d’autre part de démontrer les performances de la technologie FDSOI pour des applications analogiques et radiofréquences. Dans le premier chapitre sont présentées les spécifications du standard choisi -le BLE-, les spécificités de la technol
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Souvignet, Thomas. "Contribution to the design of switched-capacitor voltage regulators in 28nm FDSOI CMOS." Thesis, Lyon, INSA, 2015. http://www.theses.fr/2015ISAL0043/document.

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Abstract:
Les appareils multimédias portables nécessitent toujours plus d'innovation pour satisfaire les besoins des utilisateurs. Les fabricants de système-sur-puces font donc face à une forte demande en capacité de calcul jusqu'à lors réservée aux ordinateurs de bureau. Ce transfert de performance se répercute inévitablement sur la consommation de ces appareils alors que dans le même temps la capacité des batteries n'est pas en mesure de répondre à cet accroissement. De nombreux compléments matériels et logiciels sont mis en places afin d'économiser l'énergie au maximum sans toutefois dégrader les per
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Sivadasan, Ajith. "Conception et simulation des circuits numériques en 28nm FDSOI pour la haute fiabilité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT118.

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Abstract:
La mise à l'échelle de la technologie CMOS classique augmente les performances des circuits numériques grâce à la possibilité d'incorporation de composants de circuit supplémentaires dans la même zone de silicium. La technologie FDSOI 28nm de ST Microélectroniques est une stratégie d'échelle innovante qui maintient une structure de transistor planaire et donc une meilleure performance sans augmentation des coûts de fabrication de puces pour les applications basse tension. Il est important de s'assurer que l'augmentation des fonctionnalités et des performances ne se fasse pas au détriment de la
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Rahhal, Lama. "Analyse et modélisation des phénomènes de mismatch des transistors MOSFET avancées." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT061/document.

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Abstract:
Afin de réaliser correctement leur fonction, certains blocs analogiques ou numériques comme les miroirs de courant ou les SRAM, nécessitent des paires de transistors MOS électriquement identiques. Cependant, les dispositifs sur silicium, même appariés, subissent des variations locales aléatoires ce qui fait varier leurs performances électriques. Ce phénomène est connu sous le nom désappariement. L'objectif de cette thèse est de comprendre les causes physiques de ce désappariement, de le quantifier et de proposer des solutions pour le réduire. Dans ce contexte, quatre thèmes principaux sont dév
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Vignetti, Matteo Maria. "Thermal simulations and design guidelines on multi-finger PAs based on 28nm FD-SOI technology." Thesis, KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), 2013. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-142677.

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Abstract:
The electrical performance of Silicon-On-Insulator (SOI) devices can be dramatically enhanced in terms of reduced parasitic capacitances, leakage current and power consumption. On the other hand, self-heating effects (SHE) are more pronounced than in a bulk device because of the buried oxide which limits power dissipation through the substrate. This issue is particularly important in the design of power amplifiers (PAs) for mobile applications where excellent RF performance is required while at the same time the current carrying capability of the devices have to be very high. In the present wo
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Kempf, Thibault. "Caractérisation et fiabilité des mémoires embarquées non volatiles pour les nœuds technologiques 40nm et 28nm." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019AZUR4093.

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Abstract:
Les technologies mémoires 1.5Tr proposent des améliorations non négligeables en termes de performance et de fiabilité pour les microcontrôleurs visant les marchés florissants de l’automobile et de l’internet des objets. Dans cette thèse, une mémoire unique en son genre et innovante basé sur un transistor de sélection vertical et enterré et appelé « embedded Select Trench Memory » (eSTM) est présenté. Après un état de l'art concis, un chapitre est consacré à la présentation d'outils pour améliorer la caractérisation et l'analyse du transistor mémoire unitaire ou intégré dans une macrocell. Plus
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Akbal, Madjid. "Effets d’antenne sur transistors FDSOI à film ultra mince issus de technologies 28nm et en deçà." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT012/document.

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Abstract:
Depuis ses débuts, l’industrie de la microélectronique s’est fixé comme objectif d’augmenter les performances et la densité des circuits, en suivant la loi de Moore. Ainsi, depuis la commercialisation du premier circuit en 1971, les industriels se sont atteler à miniaturiser les transistors, ce qui améliore automatiquement leurs performances. Cela dit, à partir du nœud 28nm, l’électrostatique est devenue très difficile à contrôler, et de nouvelles architectures de transistor, tel que le FDSOI est proposée par STMicroelectronics pour remédier à cette problématique. Les dégradations par effets d
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Hesse, Marjorie. "Développement de nouvelles architectures mémoires non-volatiles embarquées pour les plateformes technologiques avancées 40nm et 28nm." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019AZUR4069.

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Abstract:
Les applications avancées à base de microcontrôleurs couvrent de multiples domaines. L’accroissement du champ d’application des microcontrôleurs s’accompagne d’une augmentation de la puissance consommée qui limite l’autonomie des systèmes nomades. L’avancée technologique vers des plateformes CMOS à ultra basse consommation est un défi majeur pour répondre aux exigences des marchés nomades et autres applications émergentes avec mémoires non volatiles embarquées. Ces mémoires sont en constante évolution, notamment par la diminution de leur dimension vers des nœuds technologiques avancés comme le
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Daubriac, Richard. "Caractérisation de techniques d'implantations ioniques alternatives pour l'optimisation du module source-drain de la technologie FDSOI 28nm." Thesis, Toulouse, INSA, 2018. http://www.theses.fr/2018ISAT0031/document.

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Abstract:
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles architectures, la résistance de contact se dégrade au fil des nœuds technologiques. Celle-ci dépend fortement de deux paramètres physiques : la concentration de dopants actifs proches de la surface du semi-conducteur et de la hauteur de barrière Schottky
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Belfiore, Guido, Laszlo Szilagyi, Ronny Henker, and Frank Ellinger. "Low power laser driver design in 28nm CMOS for on-chip and chip-to-chip optical interconnect." SPIE, 2015. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A34801.

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Abstract:
This paper discusses the challenges and the trade-offs in the design of laser drivers for very-short distance optical communications. A prototype integrated circuit is designed and fabricated in 28 nm super-low-power CMOS technology. The power consumption of the transmitter is 17.2 mW excluding the VCSEL that in our test has a DC power consumption of 10 mW. The active area of the driver is only 0.0045 mm². The driver can achieve an error-free (<BER < 10^12) electrical data-rate of 25 Gbit/s using a pseudo random bit sequence of 2^7-1. When the driver is connected to the VCSEL module an open op
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Rostand, Neil. "Modélisation compacte de l'effet des radiations naturelles des dispositifs sub-28nm pour des applications automobiles et aéronautiques." Thesis, Toulouse, ISAE, 2019. http://www.theses.fr/2019ESAE0035.

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Abstract:
L’objectif de cette thèse était le développement de modèles SET (Single Event Transient) et TID (Total Ionizing Dose) pour les MOSFETs de technologies fortement intégrées, reposant notamment sur la technologie SOI. Ces modèles devaient respecter les standards de la modélisation compacte afin d’assurer leur utilisation dans les simulateurs de circuits SPICE (ELDO, SPECTRE, PSPICE …) tout en assurant la justesse du contenu physique. Le langage d’implémentation est alors le Verilog-A. En 1A, l’investigation physique des SET a été effectuée à l’aide de simulations TCAD. Cette tâche a supporté le d
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Fagot, Jean-Jacques. "Développement de nouvelles architectures de sélecteurs pour mémoires non-volatiles embarquées dans des plateformes technologiques avancées 28nm." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2019. http://www.theses.fr/2019AIXM0608.

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Abstract:
Avec la miniaturisation des composants et des technologies toujours plus agressives en termes de dimensions, les mémoires flash font face à des problèmes d’intégration de plus en plus complexes, engendrant des coûts élevés, notamment en 28nm FD-SOI et au-delà. Le marché des mémoires intégrées non-volatiles s’oriente donc vers des solutions novatrices en plein développement, plus attractives en termes de coûts et offrant une grande marge d’évolution. On retrouve notamment les mémoires ma-gnétiques (MRAM), résistives (RRAM) ou encore à changement de phase (PCM). Cependant, la compétitivité de ce
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Dobri, Adam. "Mémoires embarquées non volatiles à grille flottante : challenges technologiques et physiques pour l’augmentation des performances vers le noeud 28nm." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT030/document.

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Abstract:
Les mémoires flash sont intégrées dans presque tous les aspects de la vie moderne car leurs uns et zéros représentent les données stockées sur les cartes à puce et dans les capteurs qui nous entourent. Dans les mémoires flash à grille flottante ces données sont représentées par la quantité de charge stockée sur une grille en poly-Si, isolée par un oxyde tunnel et un diélectrique entre grilles (IGD). Au fur et à mesure que les chercheurs et les ingénieurs de l'industrie microélectronique poussent continuellement les limites de mise à l'échelle, la capacité des dispositifs à contenir leurs infor
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González, Santos Ángel de Dios. "Circuits de traitement de signal numérique en temps continu ultra-faible consommation en technologie 28nm FDSOI pour applications audio." Thesis, Lille 1, 2020. http://www.theses.fr/2020LIL1I047.

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Abstract:
L’objectif de ce travail c’est l’étude et développement d’un système d’extraction des caractéristiques en utilisant techniques de traitement de signal en temps continu, afin de mitiger les inconvénients des implémentations existants basées en techniques analogiques et numériques conventionnelles, d’un système toujours en veille pour l’Internet des Objets. La cible est l’extraction du contenu spectral d’un signal audio en utilisant une nouvelle architecture basée en une cascade configurable de filtres à réponse impulsionnelle fini en temps continu. Un schéma efficace pour cascader des filtres e
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Lecocq, Tristan. "Conception d'amplificateurs de puissance en technologie 130nm CMOS SOI et 28nm FD SOI pour des applications 5G NB-IoT." Electronic Thesis or Diss., Bordeaux, 2023. http://www.theses.fr/2023BORD0499.

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Abstract:
Le développement de la 5G ouvre de nouvelles possibilités pour des applications liées à l'Internet des objets. Dans l'objectif de multiplier la densité d'objets connectés, le développement de nouveaux protocoles de communication est nécessaire. Ainsi, ce nouveau standard, le NB-IoT, impose de concevoir des émetteurs-récepteurs à faible coût pour un déploiement à grande échelle. L'utilisation de technologies CMOS SOI est idéale pour une telle application, car elles sont plus performantes que les technologies CMOS pour un coût similaire. La conception de PAs en technologie CMOS SOI reste cependa
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Bernard, Sébastien. "Bascules à impulsion robustes en technologie 28nm FDSOI pour circuits numériques basse consommation à très large gamme de tension d'alimentation." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT071/document.

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Abstract:
Avec l'explosion du marché des applications portables et le paradigme de l'Internet des objets, la demande pour les circuits à très haute efficacité énergétique ne cesse de croître. Afin de repousser les limites de la loi de Moore, une nouvelle technologie est apparue très récemment dans les procédés industriels afin de remplacer la technologie en substrat massif ; elle est nommée fully-depleted silicon on insulator ou FDSOI. Dans les circuits numériques synchrones modernes, une grande portion de la consommation totale du circuit provient de l'arbre d'horloge, et en particulier son extrémité :
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Simiz, Jean-Gabriel. "Approche holistique du contrôle du focus en photolithographie 193nm immersion pour les niveaux critiques en 28nm et 14nm FD-SOI." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSES059/document.

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Abstract:
La complexification des intégrations sur les puces électroniques et la course à la miniaturisation sont les deux moteurs actuels de la microélectronique. Les limites optiques de la lithographie sont déjà atteintes depuis longtemps. Ainsi, la fabrication doit aussi être contrôlée de plus en plus étroitement afin d’éviter des variabilités qui nuiraient au bon fonctionnement du produit. Cette thèse présente une approche holistique du contrôle d’un des paramètres les plus importants de la photolithographie : le focus. Celui-ci est directement lié à la qualité de l’image transférée dans la résine p
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Marin, Răzvan-Cristian. "Transmetteurs radiofréquences numériques fortement parallélisés avec amplificateur de puissance commuté et filtre de bande embarqués en technologie 28nm FD-SOI CMOS." Thesis, Lille 1, 2017. http://www.theses.fr/2017LIL10100/document.

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Abstract:
Le présent travail de thèse porte sur l’étude, la conception et la démonstration d'émetteurs entièrement numériques, ciblant des standards de communication avancés pour les applications mobiles dans le cadre de l’Internet des Objets (IoT). Les innovations clés sont le modulateur Delta-Sigma (DSM) entrelacé et un amplificateur de puissance à réponse impulsionnelle finie (FIR-PA) basé sur une structure efficace à capacités commutées (SC). Le block FIR-PA utilise uniquement des inverseurs CMOS et des condensateurs dans une configuration SC, ce qui est entièrement compatible avec les nœuds technol
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Sarimin, Nuraishah. "Transmitter design in the 60 GHz frequency band." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066638.

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Abstract:
Avec la prolifération des appareils électroniques portables et mobiles communicants, il est recommandé de pouvoir échanger des données rapidement et commodément entre les appareils. Avec la pénurie de bande passante et la congestion dans le spectre des fréquences faibles, la technologie de communication à ondes millimétriques (Mm-wave) est considérée comme l'une des technologies clés du futur pour permettre des applications sans fil à débit élevé grâce à son large spectre abondant. Les nœuds de technologie CMOS avancés sont dotés de ft et fmax plus élevés qui permettent une utilisation peu coû
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Kumar, Pushpendra. "Impact of 14/28nm FDSOI high-k metal gate stack processes on reliability and electrostatic control through combined electrical and physicochemical characterization techniques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT114/document.

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Abstract:
Cette thèse concerne l’étude des procédés de fabrication des grilles HKMG des technologies FDSOI 14 et 28 nm sur les performances électriques des transistors MOS. Elle a porté spécifiquement sur l'aspect fiabilité et la maîtrise du travail de sortie effectif (WFeff), au travers de la diffusion des additifs comme le lanthane (La) et l’aluminium (Al). Ce travail combine des techniques de caractérisation électriques et physico-chimiques et leur développement. L'effet de l'incorporation de ces additifs sur la fiabilité et la durée de vie du dispositif a été étudié. Le lanthane dégrade les performa
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Ndiaye, Cheikh. "Etude de la fiabilité de type negative bias temperature instability (NBTI) et par porteurs chauds (HC) dans les filières CMOS 28nm et 14nm FDSOI." Thesis, Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0182/document.

Full text
Abstract:
L’avantage de cette architecture FDSOI par rapport à l’architecture Si-bulk est qu’elle possède une face arrière qui peut être utilisée comme une deuxième grille permettant de moduler la tension de seuil Vth du transistor. Pour améliorer les performances des transistors canal p (PMOS), du Germanium est introduit dans le canal (SiGe) et au niveau des sources/drain pour la technologie 14nm FDSOI. Par ailleurs, la réduction de la géométrie des transistors à ces dimensions nanométriques fait apparaître des effets de design physique qui impactent à la fois les performances et la fiabilité des trans
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Ndiaye, Cheikh. "Etude de la fiabilité de type negative bias temperature instability (NBTI) et par porteurs chauds (HC) dans les filières CMOS 28nm et 14nm FDSOI." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0182.

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Abstract:
L’avantage de cette architecture FDSOI par rapport à l’architecture Si-bulk est qu’elle possède une face arrière qui peut être utilisée comme une deuxième grille permettant de moduler la tension de seuil Vth du transistor. Pour améliorer les performances des transistors canal p (PMOS), du Germanium est introduit dans le canal (SiGe) et au niveau des sources/drain pour la technologie 14nm FDSOI. Par ailleurs, la réduction de la géométrie des transistors à ces dimensions nanométriques fait apparaître des effets de design physique qui impactent à la fois les performances et la fiabilité des trans
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Boussadi, Mohamed Amine. "Conception et développement d'un circuit multiprocesseurs en ASIC dédié à une caméra intelligente." Thesis, Clermont-Ferrand 2, 2015. http://www.theses.fr/2015CLF22552/document.

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Abstract:
Suffisante pour exécuter les algorithmes à la cadence de ces capteurs d’images performants, tout en gardant une faible consommation d’énergie. Les systèmes monoprocesseur n’arrivent plus à satisfaire les exigences de ce domaine. Ainsi, grâce aux avancées technologiques et en s’appuyant sur de précédents travaux sur les machines parallèles, les systèmes multiprocesseurs sur puce (MPSoC) représentent une solution intéressante et prometteuse. Dans de précédents travaux à cette thèse, la cible technologique pour développer de tels systèmes était les FPGA. Or les résultats ont montré les limites de
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Tmimi, Mohammed. "Nouvelle approche pour lien série en technologie FD-SOI 28 nm CMOS avancée et au-delà." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALT079.

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Abstract:
Dans le cadre de l’échange massif de données numériques, la solution du lien série est largement utilisée dans les systèmes électroniques. Dans ce cadre, il existe une course permanente pour accroître le débit de transfert de données. Notamment les efforts portent sur l’amélioration de l’efficacité énergétique du système et l’optimisation des canaux de transmission. Cependant la contrainte physique du canal de transmission est une donnée majeure dans cette approche de transmission de données à haut débit.Les méthodes standard de transmission intra-puces point à point utilisent la bande de base
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Foucaud, Mathieu. "Etude de la dégradation de la protection par des résines photosensibles de la grille métallique TiN lors de gravures humides pour la réalisation de transistors de technologies sub-28nm." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT030/document.

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Abstract:
La gravure chimique par voie humide des matériaux est toujours utilisée dans certaines étapes spécifiques des procédés de fabrication de transistors pour la microélectronique. Cette gravure est effectuée en présence de masques de résine photosensible, qui définissent les zones à protéger de l'attaque chimique. Une des difficultés rencontrées lors de cette étape technologique est la dégradation du masque en résine et de l'interface résine/matériau à graver, qui entraine un endommagement du matériau sous-jacent. L'objectif de cette thèse est d'étudier les dégradations occasionnées lors de la gra
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Bezza, Anas. "Caractérisation et modélisation du phénomène de claquage dans les oxydes de grille à forte permittivité, en vue d’améliorer la durée de vie des circuits issus des technologies 28nm et au-delà." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT097.

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Abstract:
.Aujourd’hui, la course à la miniaturisation a engendré de nouveaux défis dans l’industrie microélectronique. En plus de la forte concurrence que subissent les fabricants de composants, de nouvelles contraintes liées à la fiabilité des dispositifs se sont imposées. En effet, le passage d’une technologie « tout silicium » relativement simple à une technologie high-k/grille métal plus complexe, a entrainé une forte réduction des marges de fiabilité des oxydes de grille. A ce titre, Il est devenu nécessaire d’investiguer de nouvelles approches pouvant offrir davantage de gain en durée de vie pour
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Sourikopoulos, Ilias. "Techniques de traitement numérique en temps continu appliquées à l'égalisation de canal pour communications millimétriques à faible consommation." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10189/document.

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Abstract:
Les récepteurs pour les communications sans fil très haut débit à 60 GHz tirent profit des innovations des liens filaires afin de réduire le budget de puissance, ce qui permettra l'intégration de la prochaine génération des terminaux portables sans fil. L’implémentation d’un égaliseur de canal à décision rétroactive, utilisant des signaux mixtes, est proposé pour diminuer la consommation globale du système. Dans ce mémoire, la réduction de consommation est atteinte par l'élimination de l'horloge du chemin de rétroaction de l’égaliseur. Inspiré par des récents développements en traitement des s
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Mahmoud, Doaa. "Convertisseur analogique-numérique de type Sigma-Delta Passe-Bande avec résonateurs à un et deux amplificateurs." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2021. http://www.theses.fr/2021SORUS288.

Full text
Abstract:
Le récepteur radio logicielle (SDR) est une technique prometteuse pour les futurs récepteurs adaptés à une variété de protocoles. Il numérise le signal RF directement en basse fréquence. Nous proposons un récepteur SDR basé sur un modulateur sigma-delta à temps continu passe-bande (CT BP ). Nous nous concentrons sur les résonateurs RC actifs pour diminuer la surface du circuit. Nous ciblons les applications au voisinage de 400 MHz, à savoir Advanced Research and Global Observation Satellite (ARGOS), Medical Implant Communication Service (MICS), Automobile Keyless system et Industrial, Scientif
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Zine, el abidine Nacer. "Evaluation de Réticules Avancés : Propriétés optiques des réticules et prise en compte de leur processus de fabrication dans l’amélioration des modèles OPC pour étendre les fenêtres de procédés en lithographie optique par immersion, pour les noeuds technologiques 28nm et 14nm." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT079/document.

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Abstract:
Pour les technologies avancées, la lithographie optique par immersion utilisant des sources 193nm atteint ses limites en termes de résolutions. Les nouvelles techniques de lithographie telles que l’Extrême UV ou l’écriture à faisceaux multiples n’étant pas encore au point d’un point de vue industriel, un ensemble de techniques d’améliorations de la résolution (RET) en évolution constante permet de continuer à travailler avec les équipements à immersion. C’est dans ce contexte que s’inscrit cette thèse en se focalisant sur un des éléments principaux : le réticule. La première partie regroupe l’
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Viale, Benjamin. "Development of predictive analysis solutions for the ESD robustness of integrated circuits in advanced CMOS technologies." Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSEI117.

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Abstract:
Les circuits intégrés (CI) devenant de plus en plus complexes et vulnérables face aux décharges électrostatiques (ESD pour ElectroStatic Discharge), la capacité à vérifier de manière fiable la présence de défauts de conception ESD sur des puces comptant plusieurs milliards de transistors avant tout envoi en fabrication est devenu un enjeu majeur dans l’industrie des semi-conducteurs. Des outils commerciaux automatisés de dessin électronique (EDA pour Electronic Design Automation) et leur flot de vérification associé permettent d’effectuer différents types de contrôles qui se sont révélés être
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Sarimin, Nuraishah. "Transmitter design in the 60 GHz frequency band." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066638.

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Abstract:
Avec la prolifération des appareils électroniques portables et mobiles communicants, il est recommandé de pouvoir échanger des données rapidement et commodément entre les appareils. Avec la pénurie de bande passante et la congestion dans le spectre des fréquences faibles, la technologie de communication à ondes millimétriques (Mm-wave) est considérée comme l'une des technologies clés du futur pour permettre des applications sans fil à débit élevé grâce à son large spectre abondant. Les nœuds de technologie CMOS avancés sont dotés de ft et fmax plus élevés qui permettent une utilisation peu coû
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Wearn, Jennifer. "Understanding and improving the capping performance of 28mm plastic beverage closures." Thesis, University of Sheffield, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.434572.

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Taylor, Ian James. "Development of T2K 280m near detector software for muon and photon reconstruction." Thesis, Imperial College London, 2009. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.505000.

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Hartwig, Jason William. "Acetone-LIF at Elevated Pressure and Temperature for 282nm Excitation: Experiments and Modeling." Cleveland, Ohio : Case Western Reserve University, 2010. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1251506537.

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Abstract:
Thesis(M.S.)--Case Western Reserve University, 2010<br>Title from PDF (viewed on 2009-11-23) Department of EMC - Mechanical Engineering Includes abstract Includes bibliographical references and appendices Available online via the OhioLINK ETD Center
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Eriksson, Emil, and Anna Hammarstedt. "Utveckling av barnskyddande kapsyl." Thesis, Linnéuniversitetet, Institutionen för teknik, TEK, 2012. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:lnu:diva-19800.

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Abstract:
Emballator Växjöplast AB arbetar med att utveckla och tillverka kapsyler till världens ledande varumärken. De arbetar ständigt med utveckling och design av kapsyler för att skapa identitet, funktion och försäljning. Detta har lett till att företaget idag är Nordens största kapsyltillverkare. Dagens sortiment av 28mm barnskyddande kapsyler består av två varianter, öppen mynning eller insatspropp. De tillverkas i materialet polyoximetylen eller i polypropen i kombination med en liner. Båda materialen har god kemikalieresistans. De förslutningar detta projekt innefattar är de klassiska ”tryck och
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Lallement, Guénolé. "Extension of socs mission capabilities by offering near-zero-power performances and enabling continuous functionality for Iot systems." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2019. http://www.theses.fr/2019AIXM0573.

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Abstract:
Les développements récents dans le domaine des circuits intégrés (IC) à basse tension ont ouvert la voie à des dispositifs électroniques économes en énergie dans un réseau mondial en plein essor appelé l’internet des objets (IoT) ou l’internet des choses (IoE). Cependant, la durabilité de tous ces capteurs interconnectés est compromise par le besoin constant d’une batterie embarquée – qui doit être rechargée ou remplacée – ou d’un récupérateur d’énergie à rendement très limité. La consommation d’énergie des systèmes électroniques grand public actuels est en effet cinquante fois plus élevée que
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Chang, Pin-Hsin, and 張品歆. "ESD Protection Design in 28nm High-K / Metal Gate Process." Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/98588467377714995154.

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Abstract:
碩士<br>國立交通大學<br>電子工程學系 電子研究所<br>103<br>With the on-going shrinking of CMOS technologies, the devices in the integrated circuits (ICs) have been fabricated with ultra-thin gate oxide thickness to attain high speed and low power consumption. However, electrostatic discharge (ESD) events were not scaled down with the scaling in CMOS technologies. Although the high-k dielectric has been introduced in sub-50-nm CMOS technologies, the MOS transistors are still sensitive to ESD. Therefore, ESD has become the major concern of reliability for ICs in nanoscale CMOS technology. To discharge the high ESD
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Lin, Xuan-Yu, and 林軒宇. "Design and Comparative Study of 28nm ULV Bit-Interleaved SRAM Cells." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/dx7498.

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Wang, Chih-Hsuan, and 王志玄. "Junction Breakdown and Punch-Through Effect for 28nm n/p-MOSFETs." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/09787196638926436724.

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Abstract:
碩士<br>明新科技大學<br>電子工程研究所<br>101<br>With the advancement of technology, the feature size of field-effect transistors coming from semiconductor manufacturing technology has evolved from sub-micron to 28nm process generation or beyond. Following the Moore's law, besides the reduction of process cost and the increase of device density in ICs due to the dimensional shrinkage of transistor devices, the increase of transistor switch speed is chiefly considered. Recently, many researchers proposed several strain engineering processes to promote the electrical characteristics of devices. In strain techn
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Hu, Han-Wen, and 胡瀚文. "Comparative Study of 28nm Sub-threshold SRAM Designs Using Various 10T Bitcells." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/6g4nzs.

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Li, Kuang-Yu, and 李光宇. "28nm High-k Metal-Gate 256kb Near-/Sub-threshold 6T SRAM Design." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/4ydj65.

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Abstract:
碩士<br>國立交通大學<br>電子工程學系 電子研究所<br>104<br>In recent years, SRAMs are widely used as cache memory in high performance processor and embedded system. Because of the advantages of simple structure, high operation speed and high capacity density, the conventional 6T SRAM is the most widely used. With wearable devices and Internet of Things (IoT) is currently on the rise, Low-Power and Low-Voltage circuit design becomes a major trend in SoCs (System-On-Chip) nowadays. However, conventional 6T SRAM is hardly used to operate in low voltage due to severe read/write ability degradation in advanced process
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LIU, ZHI RONG, and 劉知融. "28nm Low Voltage 6T SRAM with Lower Power Consumption Assist Circuit Design." Thesis, 2017. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/tt3rja.

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lian, chun-wei, and 連俊瑋. "Electrical Quality of 28nm HK/MG pMOSFETs with PDA and DPN Treatment." Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/96706413682719100043.

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Abstract:
碩士<br>明新科技大學<br>電子工程研究所<br>102<br>Following the advanced process technology entering the nano-scale era, the semiconductor industry due to the feature-size shrinkage of semiconductor devices confronts several barrier challenges, such as a thin gate oxide layer causing carrier direct tunneling and a higher threshold voltage (VT) bringing about the possibly lower drive current. Adopting high-K and metal gate (HK/MG) technologies is a suitable choice to alleviate these previous problems. Using HK/MG technology also benefits to freely adjust the threshold voltage and diminish the power consumptio
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Huang, Tzu-Yi, and 黃子頤. "Energy Aware Low Voltage Cache Analysis and Design in 28nm CMOS Technology." Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/23640080597459252250.

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Abstract:
碩士<br>國立中正大學<br>電機工程研究所<br>102<br>This paper proposed a transistor level energy model of on-chip caches that use SRAM technology. This model describe energy distribution for on-chip cache memories which show the dependence of the cache energy on the cache parameter. This model includes not only general cache parameters such as cache size (C), block size(B), and associativity(A), but also array configuration parameter (Ndwl, Ndbl, Nspd, Ntwl, Ntbl, and Ntspd) that are responsible for determining the subarray aspect ratio and the number of subarrays. This model makes it quickly evaluate the cach
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