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Dissertations / Theses on the topic 'Aluminium Nitride'

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Muensit, Supasarote. "Piezoelectric coefficients of gallium arsenide, gallium nitride and aluminium nitride." Phd thesis, Australia : Macquarie University, 1999. http://hdl.handle.net/1959.14/36187.

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Abstract:
"1998"--T.p.<br>Thesis (PhD)--Macquarie University, School of Mathematics, Physics, Computing and Electronics, 1999.<br>Includes bibliographical references.<br>Introduction -- A Michelson interferometer for measurement of piezoelectric coefficients -- The piezoelectric coefficient of gallium arsenide -- Extensional piezoelectric coefficients of gallium nitrides and aluminium nitride -- Shear piezoelectric coefficients of gallium nitride and aluminium nitride -- Electrostriction in gallium nitride, aluminium nitride and gallium arsenide -- Summary and prognosis.<br>The present work represents t
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Taylor, Matthew Bruce, and matthew taylor@rmit edu au. "A Study of Aluminium Nitride and Titanium Vanadium Nitride Thin Films." RMIT University. Applied Science, 2007. http://adt.lib.rmit.edu.au/adt/public/adt-VIT20080529.151820.

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Abstract:
Thin film coatings are used to improve the properties of components and products in such diverse areas as tool coatings, wear resistant biological coatings, miniature integrated electronics, micro-mechanical systems and coatings for optical devices. This thesis focuses on understanding the development of intrinsic stress and microstructure in coatings of the technologically important materials of aluminium nitride (AlN) and titanium vanadium nitride (TiVN) deposited by filtered cathodic arc deposition. Thin films of AlN are fabricated under a variety of substrate bias regimes and at diffe
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Xiao, Xiaoling, and S3060677@student rmit edu au. "Characterization of nano-structured coatings containing aluminium, aluminium-nitride and carbon." RMIT University. Applied Sciences, 2008. http://adt.lib.rmit.edu.au/adt/public/adt-VIT20081217.100453.

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Abstract:
There is an every increasing need to develop more durable and higher performing coatings for use in a range of products including tools, devices and bio-implants. Nano-structured coatings either in the form of a nanocomposite or a multilayer is of considerable interest since they often exhibit outstanding properties. The objective of this thesis was to use advanced plasma synthesis methods to produce novel nano-structured coatings with enhanced properties. Coatings consisting of combinations of aluminum (Al), aluminum nitride (AlN) and amorphous carbon (a-C) were investigated. Cathodic vacuum
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Boudjelida, Boumedienne. "Metal-aluminium gallium nitride Schottky contacts formation." Thesis, Sheffield Hallam University, 2006. http://shura.shu.ac.uk/19373/.

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Abstract:
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has been used to investigate the effect of various surface cleaning procedures on Al[x]Ga[1]-[x]N surfaces for x = 0.20 and 0.30. Results show that wet chemical etch in a HF solution followed by a 600°C in-situ annealing under ultra-high vacuum (UHV) is very effective in removing oxygen from the surface. Downward band bending of 0.87 eV and 0.99 eV also occurs between the solvents-treated and the annealed Al[x]Ga[1]-[x]N surfaces for x = 0.20 and 0.30, respectively. Increasing in-situ temperature annealing in increments of 100°C up to 600°C shows a re-ord
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Cheng, Chung-choi, and 鄭仲材. "Positron beam studies of fluorine implanted gallium nitride and aluminium gallium nitride." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2009. http://hub.hku.hk/bib/B43278577.

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Cheng, Chung-choi. "Positron beam studies of fluorine implanted gallium nitride and aluminium gallium nitride." Click to view the E-thesis via HKUTO, 2009. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B43278577.

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Rebholz, Claus. "Synthesis and properties of titanium aluminium boron nitride coatings." Thesis, University of Hull, 1999. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.310329.

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Norton, Murray Grant. "Characterisation and thick film metallisation of aluminium nitride substrates." Thesis, Imperial College London, 1989. http://hdl.handle.net/10044/1/47594.

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Ligl, Jana [Verfasser], and Oliver [Akademischer Betreuer] Ambacher. "Aluminium scandium nitride grown by metalorganic chemical vapour deposition." Freiburg : Universität, 2020. http://d-nb.info/1225294118/34.

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Martin, David Michael. "Electro-Acoustic and Electronic Applications Utilizing Thin Film Aluminium Nitride." Doctoral thesis, Uppsala universitet, Fasta tillståndets elektronik, 2009. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-100957.

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Abstract:
In recent years there has been a huge increase in the growth of communication systems such as mobile phones, wireless local area networks (WLAN), satellite navigation and various other forms of wireless data communication that have made analogue frequency control a key issue. The increase in frequency spectrum crowding and the increase of frequency into microwave region, along with the need for minimisation and capacity improvement, has shown the need for the development of high performance, miniature, on-chip filters operating in the low to medium GHz frequency range. This has hastened the ne
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Mushait, A.-N. "Electron spin resonance studies of doped alumina and aluminium nitride." Thesis, Durham University, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.381946.

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Cannard, P. J. "A study of some AlN related polytypes." Thesis, Bucks New University, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.234418.

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Alshaikhi, Abdullah Ali. "Thermal conductivity of single crystal, and micro and nanocrystalline ceramic aluminium nitride." Thesis, University of Exeter, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.496090.

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Abstract:
In this thesis, phonon transport properties in single crystal and ceramic aluminium nitride (AIN) have been studied. The Callaway theory (within the Debye's isotropic continuum scheme) has been applied in its full form with a detailed account of three-phonon scattering processes in order to calculate the thermal conductivity of different AIN samples. Other phonon scattering processes have also been taken into account. The N-drift contribution, due to the momentum conserving nature of three-phonon Normal processes, to the total conductivity has been quantified. The influence on the thermal cond
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Perry, Duncan. "Optimisation of a closed-field unbalanced magnetron sputter process : titanium aluminium nitride." Thesis, University of Salford, 1995. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.308219.

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Iqbal, Abid. "The Sputtering and Characterization of C-Axis Oriented Aluminium Nitride Thin Films On Top Of Cubic Silicon Carbide-On-Silicon Substrates for Piezoelectric Applications." Thesis, Griffith University, 2017. http://hdl.handle.net/10072/365840.

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Abstract:
The growth of micro-scale wireless electronics is increasing significantly because of their miniaturisation and low power consumption. These devices currently draw power from batteries or chemical fuel cells. Their limited life-spans prompt active research to find an alternative solution by harvesting ambient energy from the environment. Numerous sources are available such as solar, thermoelectric, acoustic, and mechanical vibrations. Among them, mechanical vibration is perhaps the most practical to power these wireless electronic devices via piezoelectric transduction. Three most common piezo
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Munktell, von Fieandt Sara. "Controlled interlayer between titanium carbon-nitride and aluminiumoxide." Thesis, Uppsala universitet, Institutionen för materialkemi, 2011. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-161088.

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Abstract:
In the industry of metal cutting tools the conditions are extreme; the temperature can vary thousand degrees rapidly and the pressure can be tremendously high. To survive this kind of stress the cutting tool must be both hard and tough. In order to obtain these properties different coatings are used on a base of cemented carbide, WC-Co. Common coatings are hard ceramics like titanium nitride and titanium carbon-nitride with an outer layer of aluminium oxide. In this thesis the possibility of using titanium dioxide as an interlayer between titanium carbon-nitride and aluminium oxide to control
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Masson, Isabelle. "Détermination des propriétés mécaniques en fluage a haute température et étude des microstructures de déformation de céramiques a base de nitrure d'aluminium." Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 1993. http://www.theses.fr/1993INPL136N.

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Abstract:
En vue d'applications en sidérurgie dans les nouveaux procédés de coulée continue de bandes minces, plusieurs céramiques à base de nitrure d'aluminium (AlN fritte (SAlN), AlN presse a chaud (HPAlN) et composites al#2o#3-AlN) ont été déformées en compression uniaxiale soit sous contrainte constante (150-250 MPa) soit à vitesse de déformation imposée (5. 10##6s##1) à des températures variant de 1200 à 1650c puis caractérisées en microscopie électronique à balayage, en microscopie électronique à transmission et par analyse EDX. En fluage a charge constante, la vitesse de déformation est proportio
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Piippo, Juha. "Electrochemical characterization of inorganic coatings : titanium nitride and aluminium oxide coatings characterized using electrochemical impedance spectroscopy /." [S.l.] : [s.n.], 1993. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=10309.

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Coudurier, Nicolas. "Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00994936.

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Abstract:
Cette thèse se place dans le contexte des recherches menées sur l'élaboration de support de haute qualité cristalline pour des applications optoélectronique et piézoélectrique. Les nitrures d'aluminium, AlN, et de bore, BN sont deux matériaux présentant des propriétés physiques intéressantes pour leurs utilisations en tant que substrat et partiellement comme couche active dans de telles applications. Les objectifs de cette thèse étaient de continuer les travaux en cours sur l'hétéroépitaxie d'AlN (avec le mélange H2 - NH3 - AlCl3 en phase gazeuse) sur substrat saphir et silicium, et d'explorer
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David, Dugdale. "Electronic structure calculations on nitride semiconductors and their alloys." Thesis, Durham University, 2000. http://etheses.dur.ac.uk/4324/.

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Abstract:
Calculations of the electronic properties of AIN, GaN, InN and their alloys are presented. Initial calculations are performed using the first principles pseudopotenial method to obtain accurate lattice constants. Further calculations then investigate bonding in the nitrides through population analysis and density of state calculations, the empirical pseudopotential method is also used in this work. Pseudopotentials 'or each of the nitrides are constructed using a functional form that allows strained material and alloys to be studied. The conventional k,p valence band parameters for both zincbl
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Coiffard, Grégoire. "Détecteurs à inductance cinétique pour l'astronomie millimétrique : étude des matériaux et des procédés de fabrication." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAI077/document.

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Abstract:
Depuis 10 ans, les détecteurs à inductance cinétique (Kinetic Inductance Detector KID) ont connu un essor considérable dans le domaine de la radioastronomie millimétrique pour atteindre des limites de sensibilités de l'ordre du bruit de photon. Le détecteur à inductance cinétique est un résonateur, équivalent à un circuit RLC dont la fréquence de résonance est f_0, lithographié dans un métal supraconducteur. Des photons incidents, possédant une énergie plus grande que le gap supraconducteur, sont absorbés dans le matériau et modifient son impédance de surface résultant en un décalage Df_0 de l
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Zetterling, Carl-Mikael. "Silicon dioxide and aluminium nitride as gate dielectric for high temperature and high power silicon carbide MOSFETs." Doctoral thesis, KTH, Electronic Systems Design, 1997. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-2514.

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Abstract:
<p>Silicon carbide (SIC) is a wide bandgap semiconductor thathas been suggested as a replacement for silicon in applicationsusing high voltages, high frequencies, high temperatures orcombinations thereof. Several basic process steps need to bedeveloped for reliable manufacturing of long-term stableelectronic devices. One important process step is the formationof an insulator on the silicon carbide surface that may be usedas a) a gate dielectric, b) for device isolation or c) forpassivation of the surface. Silicon dioxide and aluminumnitride have been suggested for these purposes. This thesisco
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Hussain, Syed Sajjad. "Elaboration, caractérisation structurale et luminescence de dépots AIN dopés Er obenus par PVD magnétron RF." Thesis, Nancy 1, 2010. http://www.theses.fr/2010NAN10060/document.

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Abstract:
Le travail présenté ici est une contribution à l’étude des propriétés de photoluminescence (PL) d’ions de terre rare (Erbium) insérés dans des matrices grand gap (AlN) de différentes morphologies et déposées sous forme de films minces. Une méthode de dépôt PVD magnétron rf a été utilisée pour obtenir des dépôts minces de nitrure d’aluminium dont les morphologies cristallines couvrent une gamme allant de la morphologie colonnaire classique jusqu’à l’état nano cristallisé et amorphe. On montre comment, plus la puissance magnétron est élevée plus les cristallites colonnaires d’AlN sont de grande
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Pasquet, Raphael. "Contribution au développement des aimants supraconducteurs MgB2 R & W refroidis par conduction solide." Thesis, Paris 6, 2015. http://www.theses.fr/2015PA066026/document.

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Abstract:
Actuellement, l’immense majorité des aimants supraconducteurs, notamment d’IRM, sont refroidis par un bain d’hélium liquide à pression atmosphérique. Néanmoins, ce type de refroidissement est onéreux et impose des contraintes sécuritaires importantes pour les grands volumes. Pour ces raisons, le refroidissement des aimants supraconducteurs est souhaitable sans l’hélium liquide. L’utilisation de cryogénérateur permet de refroidir par conduction solide jusqu’à 4 K et ainsi supprimer l’hélium liquide. Néanmoins, les faibles puissances disponibles combiner aux difficultés de mise en œuvre de ce ty
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Hood, John Paul. "Development of piezoelectric material aluminium nitride as a thin film transducer for the application of high temperature ultrasonic non destructive testing." Thesis, University of the West of Scotland, 2012. https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.748624.

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Vacek, Petr. "Rozsáhlé defekty v nitridech Ga a Al." Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. CEITEC VUT, 2021. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-447553.

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Abstract:
III-nitridy běžně krystalizují v hexagonální (wurtzitové) struktuře, zatímco kubická (sfaleritová) struktura je metastabilní a má pouze mírně vyšší energii. Jejich fyzikální vlastnosti jsou silně ovlivněny přítomností rozsáhlých defektů, které jsou v těchto dvou strukturách od sebe odlišné. U wurtzitových nitridů se jedná primárně o vláknové dislokace. Některé vláknové dislokace tvoří hluboké energetické stavy v zakázaném pásu, kterými ovlivňují elektrické a optoelektronické vlastnosti těchto materiálů. Oproti tomu, kubické nitridy obsahují množství vrstevných chyb, které představují lokální t
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Salameh, Chrystelle Mounir. "Synthèse de matériaux nitrures fonctionnels à base de bore ou d'aluminium pour des applications en énergie (production et stockage de l'hydrogène)." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20157/document.

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Abstract:
Les matériaux céramiques poreux présentent des propriétés de grand intérêt grâce à leur potentiel dans les applications de l'énergie. L'objectif général de cette thèse concerne le développement de matériaux (carbo)nitrures pour la production et le stockage de l'hydrogène (synthèse, caractérisation, propriétés et applications). La voie polymère précéramique, offrant un grand nombre de possibilités dans la chimie et la science des céramiques, est utilisée pour élaborer ces matériaux. Tout d'abord, nous avons préparé les systèmes binaires poreux tels que AlN et BN en répliquant la structure du CM
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Jeanmaire, Guillaume. "Précipitation des nitrures d’aluminium (AlN) dans un acier maraging à très faible teneur en azote : influence de la déformation plastique à chaud." Thesis, Université de Lorraine, 2015. http://www.theses.fr/2015LORR0162/document.

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Abstract:
Les aciers maraging classiques doivent leurs propriétés mécaniques à une composition chimique contrôlée et à des traitements thermiques adaptés, conduisant à des microstructures de martensite revenue et de précipitation de phases durcissantes (carbures et intermétalliques). Les performances de ce type d’aciers, en constante amélioration, ont donné naissance, au cours de la dernière décade, à une nouvelle nuance, le ML340TM, répondant à des applications spécifiques dans le domaine de l’aéronautique. Bien que la composition chimique soit strictement contrôlée en imposant, entre autres, une très
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Kaminski, Piotr M. "Remote plasma sputtering for silicon solar cells." Thesis, Loughborough University, 2013. https://dspace.lboro.ac.uk/2134/13058.

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Abstract:
The global energy market is continuously changing due to changes in demand and fuel availability. Amongst the technologies considered as capable of fulfilling these future energy requirements, Photovoltaics (PV) are one of the most promising. Currently the majority of the PV market is fulfilled by crystalline Silicon (c-Si) solar cell technology, the so called 1st generation PV. Although c-Si technology is well established there is still a lot to be done to fully exploit its potential. The cost of the devices, and their efficiencies, must be improved to allow PV to become the energy source of
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Pasquet, Raphael. "Contribution au développement des aimants supraconducteurs MgB2 R & W refroidis par conduction solide." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2015. http://www.theses.fr/2015PA066026.

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Abstract:
Actuellement, l’immense majorité des aimants supraconducteurs, notamment d’IRM, sont refroidis par un bain d’hélium liquide à pression atmosphérique. Néanmoins, ce type de refroidissement est onéreux et impose des contraintes sécuritaires importantes pour les grands volumes. Pour ces raisons, le refroidissement des aimants supraconducteurs est souhaitable sans l’hélium liquide. L’utilisation de cryogénérateur permet de refroidir par conduction solide jusqu’à 4 K et ainsi supprimer l’hélium liquide. Néanmoins, les faibles puissances disponibles combiner aux difficultés de mise en œuvre de ce ty
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Carminati, Paul. "Composites SiC/SiC à interphase de type BN de compositions variables et réactivité optimisée." Thesis, Bordeaux, 2016. http://www.theses.fr/2016BORD0248/document.

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Abstract:
Les composites SiC/SiC à renfort fibreux à base de SiC, et à matrice SiC sont développés pour applications aéronautiques. En vue d’améliorer leur durée de vie en atmosphère oxydante à haute température, l’utilisation d’interphase BN est préconisée,puisque l’oxyde de bore liquide permet de protéger le matériau. Cependant, sous atmosphère humide, la volatilisation de B2O3 sous forme d’hydroxyde HxByOz est non négligeable. L’objectif de ce travail est d’optimiser l’organisation structurale de BN élaboré par CVD/CVI, pour améliorer sa résistance à l’oxydation, et d’évaluer l’intérêt de l’ajout d’é
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Mortada, Oussama. "Conception et réalisation de micro-résonateurs piezoélectriques sur substrat de silicium sur isolant." Thesis, Limoges, 2016. http://www.theses.fr/2016LIMO0075/document.

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Abstract:
Les ondes acoustiques, démontrées théoriquement en 1885 par le scientifique anglais Lord Rayleigh, constituent de nos jours un sujet de recherches très intéressant. Elles sont devenues indispensables à la fabrication des systèmes de télécommunication miniatures et performants, tels que par exemple les filtres, les oscillateurs ou encore les capteurs. Les dispositifs fonctionnant grâce aux ondes acoustiques sont connus sous le nom de « dispositifs piézoélectriques » puisqu’ils transforment les signaux RF en ondes acoustiques, et vice versa, grâce au phénomène piézoélectrique direct. Le développ
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Van, Schalkwyk Louwrens. "Development and characterization of a tuneable AlGaN-based solar-blind UV-sensitive Schottky photodiode." Diss., University of Pretoria, 2015. http://hdl.handle.net/2263/49880.

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Abstract:
Several applications require the detection of terrestrial UV-C signatures. Efficiency, compactness, environmentally friendly and cost-effective requirements for UV-C–detectors resulted in a research interest in wide-bandgap (WBG) semiconductor-based photovoltaic diodes with a 280 nm cut-off wavelength. Advances in producing group-III-nitride materials allowed the growth of high quality Al[x]Ga[1−x]N, a direct-WBG ternary semiconductor in which the Al mole fraction (x) could be varied, allowing for a tuneable bandgap that made the semiconductor intrinsically 'blind' to longer wavelengths and re
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Du, Li. "Bulk crystal growth, characterization and thermodynamic analysis of aluminum nitride and related nitrides." Diss., Kansas State University, 2011. http://hdl.handle.net/2097/8625.

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Abstract:
Doctor of Philosophy<br>Department of Chemical Engineering<br>James H. Edgar<br>The sublimation recondensation crystal growth of aluminum nitride, titanium nitride, and yttrium nitride were explored experimentally and theoretically. Single crystals of these nitrides are potentially suitable as substrates for AlGaInN epitaxial layers, which are employed in ultraviolet optoelectronics including UV light-emitting diodes and laser diodes, and high power high frequency electronic device applications. A thermodynamic analysis was applied to the sublimation crystal growth of aluminum nitride to
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Jaramillo, Fernandez Juliana. "Tuning the thermal conductivity of polycrystalline films via multiscale structural defects and strain." Thesis, Châtenay-Malabry, Ecole centrale de Paris, 2015. http://www.theses.fr/2015ECAP0031/document.

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Abstract:
La compréhension et le contrôle de la conductivité thermique des couches minces polycristallines est fondamentale pour améliorer la performance et la fiabilité des dispositifs micro- et optoélectroniques. Toutefois, une description et un contrôle précis de la performance thermique de ces matériaux bidimensionnels restent une tâche difficile en raison de leur anisotropie et structure hétérogène. En effet, les couches minces obtenues par diverses techniques et avec une large gamme de paramètres de dépôt, sont composées de petites cristallites à l'interface avec le substrat, qui coalescent et évo
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Elias, Caroline. "Étude d'héterostructures HEMT ScAlN/GaN élaborées par épitaxie sous jets moléculaires assistée ammoniac." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2023. http://www.theses.fr/2023COAZ4137.

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Abstract:
L'alliage ScAlN est un semiconducteur III-N à large bande interdite connu pour ses propriétés piézoélectriques remarquables. Ses propriétés de polarisation spontanée et piézoélectrique sont également intéressantes pour la réalisation d'hétérojonctions avec le GaN en vue de fabriquer des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs). Dans ces hétérojonctions, remplacer le matériau barrière AlGaN habituellement utilisé par ScAlN présente plusieurs avantages, parmi lesquels la possibilité de générer des gaz bidimensionnels d'électrons (2DEGs) avec des densités bien plus importantes. En corola
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Hans, Marcus [Verfasser], Jochen M. [Akademischer Betreuer] Schneider, and Christian [Akademischer Betreuer] Mitterer. "Metastable cubic transition metal aluminium nitride and oxynitride coatings: Theoretical phase stability and defect structure predictions and verification by industrial-scale growth experiments / Marcus Hans ; Jochen Michael Schneider, Christian Mitterer." Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2017. http://d-nb.info/1162451203/34.

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Twait, Douglas J. "Codeposition of baron nitride plus aluminum nitride composites by chemical vapor deposition." Thesis, Georgia Institute of Technology, 1989. http://hdl.handle.net/1853/19581.

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Moseley, Michael William. "Study of III-nitride growth kinetics by molecular-beam epitaxy." Diss., Georgia Institute of Technology, 2013. http://hdl.handle.net/1853/47641.

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Abstract:
Since the initial breakthroughs in structural quality and p-type conductivity in GaN during the late 1980s, the group-III nitride material system has attracted an enormous amount of interest because of its properties and applications in both electronics and optoelectronics. Although blue light-emitting diodes have been commercialized based on this success, much less progress has been made in ultraviolet emitters, green emitters, and photovoltaics. This lack of development has been attributed to insufficient structural and electrical material quality, which is directly linked to the growth of
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Li, Ting. "Gallium nitride and aluminum gallium nitride-based ultraviolet photodetectors /." Digital version accessible at:, 2000. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.

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Melnick, Joshua Robert. "Aluminum Nitride Countour Mode Resonators." Thesis, Rochester Institute of Technology, 2015. http://pqdtopen.proquest.com/#viewpdf?dispub=1591270.

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Abstract:
<p> Resonators are a major component in RF electronic products. They are used in a host of ways to filter radio signals. Modern and Future RF communications have placed high demands on the industry; requiring low power usage, wide array of applications and resistance to noise. </p><p> In this thesis, a discussion of the motivation for RF MEMS filters and basic theory is given with an explanation of the concepts of Q factor, piezoelectricity, acoustics theory, the major types of resonators (SAW, BAW, CMR or LAMB), apodization theory and techniques as well as design, simulation of CMR and BAW
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Khoshman, Jebreel M. "Spectroscopic ellipsometry charactarization of single and multilayer aluminum nitride / indium nitride thin film systems." Ohio : Ohio University, 2005. http://www.ohiolink.edu/etd/view.cgi?ohiou1129584189.

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Arapan, Lilia. "Thin Film Plate Acoustic Resonators for Frequency Control and Sensing Applications." Doctoral thesis, Uppsala universitet, Fasta tillståndets elektronik, 2012. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-178592.

Full text
Abstract:
The recent development of the commercially viable thin film electro-acoustic technology has triggered a growing interest in the research of plate guided wave or Lamb wave components owing to their unique characteristics. In the present thesis i) an experimental study of the thin film plate resonators (FPAR) performance operating on the lowest symmetrical Lamb wave (S0) propagating in highly textured AlN membranes versus a variety of design parameters has been performed. The S0 mode is excited through an Interdigital Transducer and confined within the structure by means of reflection from metal
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Shih, Andy. "Resonant tunneling in gallium nitride and aluminum nitride nanowire heterostructures." Thesis, McGill University, 2013. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=117124.

Full text
Abstract:
III-V gallium nitride and aluminum nitride semiconductor nanowire heterostructures have emerged as promising candidates for numerous photonic device applications, ranging from the visible to the near-, mid- and far-infrared spectral range. In this work, the electrical properties of gallium nitride and aluminum nitride nanowire heterostructures were studied in the context of resonant tunneling. The negative differential resistance was observed in current-voltage measurements at room temperature and at 77 K for single nanowire devices as well as for large area devices, confirming the presence of
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Ho, Kwok-Lun. "Metalorganic chemical vapor deposition of aluminum nitride and gallium nitride." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1991. http://hdl.handle.net/1721.1/13142.

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Troadec, Carole. "Composite à matrice métallique Al-AlN : de la poudre au matériau." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG4205.

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Abstract:
Cette etude s'inscrit dans le cadre de l'elaboration de composites a matrice metallique aluminium/nitrure d'aluminium, par metallurgie des poudres. Deux types de poudres sont utilisees: une poudre dite composite synthetisee par nitruration directe de l'aluminium par l'azote et une poudre dite melange obtenue a partir d'un melange de poudres commerciales elementaires aluminium et nitrure d'aluminium. Ces deux types de poudres subissent un broyage hautement energetique par melangeur planetaire sous argon, puis sont frittes par compression a chaud en phase solide. La microstructure de ces materia
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Azeez, Qaisar A. "Synthesis of ultrafine aluminum nitride powders in a flow reactor." Ohio : Ohio University, 1988. http://www.ohiolink.edu/etd/view.cgi?ohiou1182779122.

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Borgonovo, Cecilia. "Synthesis of Aluminum-Aluminum Nitride Nanocomposites by Gas-Liquid Reactions." Digital WPI, 2013. https://digitalcommons.wpi.edu/etd-dissertations/224.

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Abstract:
An innovative method has been developed for synthesizing aluminum-aluminum nitride nanocomposite materials wherein the reinforcing nano-sized aluminum nitride particles are formed in-situ in a molten aluminum alloy. This method, which circumvents most issues associated with the traditional ways of making nanocomposites, involves reacting a nitrogen-bearing gas with a specially designed molten aluminum alloy. The method ensures excellent dispersion of the nanoparticles in the matrix alloy, which is reflected in enhanced mechanical properties. In this thesis, the author reviews the limitations o
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Keller, Kevin. "Schockwellensynthese und Charakterisierung von Aluminiumnitrid mit Kochsalzstruktur." Doctoral thesis, Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola", 2014. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-131930.

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Abstract:
Die vorliegende Arbeit beschreibt die Ergebnisse der Synthese und Charakterisierung der Hochdruckphase von Aluminiumnitrid mit Kochsalzstruktur (rs-AlN). Die Versuche wurden mittels Schockwellensynthese unter Verwendung der „flyer-plate-Methode“ mit anschließender Probenrückgewinnung durchgeführt. Für verschiedene Aluminiumnitridpulver mit einer Ausgangsporosität k = rho_solid/rho_porous von 1,5 bis 2,5 wurde bei einem Druck von 15 bis 43 GPa die Phasenumwandlung von der Wurtzitstruktur (w-AlN) in die Kochsalzstruktur (rs-AlN) bewirkt. Es ist damit erstmals gelungen, rs-AlN mit dynamischen HP-
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Wehrfritz, Peter. "Herstellung und Charakterisierung von Feldeffekttransistoren mit epitaktischem Graphen." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-172853.

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Abstract:
Als Graphen bezeichnet man eine einzelne freistehende Lage des Schichtkristalls Graphit. Im Gegensatz zur mechanischen Isolation von Graphit bietet die Züchtung auf Siliziumkarbid eine Methode zur großflächigen Herstellung von Graphen. Aufgrund der besonderen physikalischen Eigenschaften werden für Graphen viele verschieden Einsatzmöglichkeiten in diversen Bereichen prognostiziert. Mit seiner hohen Ladungsträgerbeweglichkeit ist Graphen besonders als Kanalmaterial für Feldeffekttransistoren (FET) interessant. Allerdings muss hierfür unter anderem ein geeignetes FET-Isolatormaterial gefunden we
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