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Dissertations / Theses on the topic 'CdTe heterojunction'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 30 July 2025

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1

Kurbatov, Denys Ihorovych, Денис Игоревич Курбатов, Денис Ігорович Курбатов, et al. "Sublimation and microstructural investigations of ZnS/CdTe heterojunction." Thesis, Вид-во СумДУ, 2009. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/4222.

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2

Доброжан, Олександр Анатолійович, Александр Анатольевич Доброжан, Oleksandr Anatoliyovych Dobrozhan, et al. "Optical Losses of Thin Solar Cells on the Basis of n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe Heterojunctions." Thesis, Sumy State University Publishing, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33898.

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Abstract:

The optical reflection and absorption losses in the accessory layers of solar cells based on n-ZnS / p- CdTe and n-CdS / p-CdTe heterojunctions are defined in this work. Aluminum doped zinc oxide is used as the front conductive layer material. It is shown that the replacement of traditional window material (CdS) for a wide-one (ZnS) leads to an increase in accessory solar cells layers transmittance. When the thickness of the window layers is 50 nm, the transmittance using ZnS windows with the wavelength of 380-500 nm is higher in 7-40 % than the corresponding value for CdS. At 300 nm for t

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3

Dobrozhan, O. A., T. O. Berestok, D. I. Kurbatov, A. S. Opanasyuk, N. M. Opanasyuk, and V. F. Nefedchenko. "Optical Losses of Thin Solar Cells on the Basis of n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe Heterojunctions." Thesis, Sumy State University, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35590.

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Abstract:

The optical reflection and absorption losses in the accessory layers of solar cells based on n-ZnS / p- CdTe and n-CdS / p-CdTe heterojunctions are defined in this work. Aluminum doped zinc oxide is used as the front conductive layer material. It is shown that the replacement of traditional window material (CdS) for a wide-one (ZnS) leads to an increase in accessory solar cells layers transmittance. When the thickness of the window layers is 50 nm, the transmittance using ZnS windows with the wavelength of 380-500 nm is higher in 7-40 % than the corresponding value for CdS. At 300 nm for

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4

Painter, J. D. "Recrystallisation and interdiffusion in CdTe-CdS heterojunction solar cells." Thesis, Cranfield University, 1999. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.508015.

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5

Lau, Yin Ping. "Si/CdTe heterojunction fabricated by closed hot wall system." HKBU Institutional Repository, 1995. http://repository.hkbu.edu.hk/etd_ra/44.

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6

Gutta, Venkatesh. "INVESTIGATIONS OF CuInTe2 / CdS & CdTe / CdS HETEROJUNCTION SOLAR CELLS." UKnowledge, 2011. http://uknowledge.uky.edu/gradschool_theses/654.

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Abstract:

Thin film solar cells of Copper Indium Telluride and Cadmium Sulfide junctions were fabricated on plain ITO glass slides and also on those coated with intrinsic Tin Oxide. CdS was deposited through chemical bath deposition and CIT by electrodeposition. Both compounds were subjected to annealing at temperatures between 350°C and 500°C which produced more uniform film thicknesses and larger grain sizes. The CIT/ CdS junction was characterized after performing XRD and spectral absorption of individual compounds. Studies were also made on CdS / CdTe solar cells with respect to effect of annealing

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7

Chou, Hengchang. "Efficiency limiting defects and mechanisms in CdTe/CdS heterojunction solar cells." Diss., Georgia Institute of Technology, 1995. http://hdl.handle.net/1853/14897.

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8

Mackey, K. J. "Some aspects of the InSb-CdTe heterojunction system with a view to band offset measurement." Thesis, Bucks New University, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.234722.

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9

Бересток, Таїсія Олександрівна, Таисия Александровна Бересток, Taisiia Oleksandrivna Berestok, et al. "Modeling of the basic solar cells characteristics on the basis of n-ZnS/p-CdTe and n-CdS/p-CdTe heterojunctions." Thesis, Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34071.

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Abstract:

In this work we used SCAPS-3200 software environment for the realistic modeling of the basic electrical characteristics (current density of short circuit (Jsc), open circuit voltage (Uoc), fill factor (FF) and efficiency (h)) of thin solar cells films with n-ZnS/p-CdTe heterojunction. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34071

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10

Forsyth, Nicola M. "A study of Schottky barriers to CdS, and the CdTe : CdS heterojunction." Thesis, Cardiff University, 1989. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.375956.

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11

Bridge, Chris. "Optical electrical and microstructural characterisation of polycrystalline thin film CdTe/CdS heterojunction solar cells." Thesis, University of Manchester, 1999. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.680179.

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Бересток, Таїсія Олександрівна, Таисия Александровна Бересток, Taisiia Oleksandrivna Berestok, et al. "Solar Cells Efficiency On The Basis Of n-ZnS/p-CdTe heterojunctions with optical losses consideration." Thesis, Львівський національний університет, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34059.

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Abstract:

The aim of this work is to define the maximal theoretical SC efficiency value, that have the construction of glass/n-ZnO/n-ZnS/p-CdTe with the optical losses consideration on the interfaces of contacting materials depending on the thickness of these layers. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34059

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13

You, Lin. "Optimisation de la mesure de travail de sortie par microscopie à sonde locale sous vide : application aux dispositifs avancés." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00843031.

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Abstract:

La compréhension des propriétés électriques de nano-objets est essentielle pour le développement s des nanotechnologies. La microscopie à force Kelvin (KFM) est une des techniques les plus utiles pour cartographier simultanément la topographie et la différence de potentiel de contact (CPD) à l'échelle nanométrique. Après 20 ans de développement, la KFM est principalement utilisé dans des conditions normales de pression et de température, permettant d'effectuer, de manière simple, de multiples analyses comparatives. Toutefois, sous ultra-vide (UHV), comme la surface est contrôlée et que la sens

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Bassani, Franck. "Dopage indium d'hétérostructures CdTe/CdZnTe en épitaxie par jets moléculaires." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10043.

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Abstract:

Ce travail concerne le dopage indium des couches minces de cdte et des heterostructures cdte/cdznte elaborees par la technique d'epitaxie par jets moleculaires selon les orientations (001), (111) et (211). Nous avons mis en evidence l'importance des conditions stchiometriques de surface durant la croissance: un flux excedentaire de cd controle ainsi qu'une temperature d'elaboration basse (220c) sont necessaires. Pour une gamme de concentration d'indium comprise entre 10#1#6 et 10#1#8 cm##3, l'analyse des proprietes electrique et optique des couches minces de cdte(001) uniformement dopees montr

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Fallahi, Mahmoud. "Intégration hétérogène d'un détecteur N-CdTe à un transistor à effet de champ GaAlAs/GaAs." Toulouse 3, 1988. http://www.theses.fr/1988TOU30188.

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Abstract:

On realise sur un meme substrat gaas semi isolant des dispositifs comportant un photoconducteur interdigite cdte et un transistor fet gaalas/gaas pour montrer la faisabilite des circuits heterogenes. On developpe un modele de simulation pour concevoir les masques et analyser les caracteristiques du circuit. Pour realiser le transistor, on utilise la technique d'epitaxie en phase liquide. La croissance de la couche detectrice est obtenue par la methode de transport en phase vapeur a courte distance. On montre la compatibilite thermique et technologique de l'integration. Presentation, etude et c

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Napchan, Eliahu. "Heterojunctions of CdTe on Si." Thesis, Imperial College London, 1988. http://hdl.handle.net/10044/1/47200.

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17

Hartmann, Jean-Michel. "Epitaxie par jets moléculaires alternés d'hétérostructures CdTe/Mn(Mg)Te : application à la réalisation de super-réseaux verticaux." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10204.

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Abstract:

Le but de ce travail est de developper des methodes de croissance pour fabriquer in-situ des nanostructures - en particulier des reseaux de fils quantiques - a base de semiconducteurs ii-vi de la famille des tellurures. Pour ce faire, nous avons fait appel a l'epitaxie par jets moleculaires alternes (envoi alterne des elements ii et des elements vi), technique permet un controle ultime des phenomenes d'incorporation des atomes en surface. Nous avons obtenu pour cdte deux regimes d'autoregulation, le premier a 0. 5 monocouches (mc) de cdte deposees par cycle d'ejma entre 260c et 290c, le second

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Le, Cunff Delphine. "Epitaxie de terres rares sur les semiconducteurs II-VI CdTe et CdZnTe : croissance, dopage et caractérisation électrique." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10216.

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Abstract:

Ce travail concerne l'elaboration de contacts metalliques a base de terre rare sur les semi-conducteurs ii-vi cdte et cdznte. La croissance des couches minces a ete realisee en epitaxie par jets moleculaires et nous avons mis en evidence les differentes reconstructions que presente la surface des semi-conducteurs ainsi que leur influence sur les conditions de croissance. Le dopage de type n et p des couches semi-conductrices a ete obtenu avec differents elements. Nous montrons que l'iode est un candidat plus favorable que l'indium pour le dopage n des couches de cdte et de cdznte. En ce qui co

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Liu, Xilan. "Polymer Photodetectors: Device Structure, Interlayer and Physics." University of Akron / OhioLINK, 2013. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=akron1384334220.

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20

Liu, Piao. "Heterojunctions and Schottky Diodes on Semiconductor Nanowires for Solar Cell Applications." UKnowledge, 2010. http://uknowledge.uky.edu/gradschool_diss/77.

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Abstract:

Photovoltaic devices are receiving growing interest in both industry and research institutions due to the great demand for clean and renewable energy. Among all types of solar cells, cadmium sulfide (CdS) – cadmium telluride (CdTe) and cadmium sulfide (CdS) - copper indium diselenide (CuInSe2 or CIS) heterojunctions based thin film solar cells are of great interest due to their high efficiency and low cost. Further improvement in power conversion efficiency over the traditional device structure can be achieved by tuning the optical and electric properties of the light absorption layer as well

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Madsuha, Alfian Ferdiansyah [Verfasser], and Michael [Akademischer Betreuer] Krüger. "Introduction of nanocarbon materials into bulk-heterojunction hybrid solar cells based on colloidal CdSe quantum dots and conjugated polymers." Freiburg : Universität, 2017. http://d-nb.info/1141575760/34.

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Gros, Patricia. "Epitaxie métal sur semi-conducteur II-VI : cas des terres rares sur CdTe." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10079.

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Cette etude concerne l'epitaxie par jets moleculaires de couches metalliques sur du cdte (001). Nous avons montre que l'europium peut s'epitaxier sur du cdte, moyennant une rotation de 45 de ses axes 100 et 010 autour de l'axe de croissance 001. Nous avons mis en evidence que l'interface eu/cdte n'est pas abrupte: nous observons la formation d'une couche interfaciale (ci(eu)) entre la terre rare et le cdte. Nous avons egalement etudie les couches interfaciales formees par depot de samarium ou de neodyme. L'epaisseur de ces couches interfaciales depend de la temperature du substrat. La croissan

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Bodin-Deshayes, Claire. "Epitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures CdTe-CdMnTe : application aux structures laser et structures piézoélectriques." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10139.

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Abstract:

Des heterostructures de semiconducteurs ii-vi en cdte-cdmnte sont elaborees par la technique d'epitaxie par jets moleculaires (ejm). Elles sont ensuite caracterisees et etudiees en vue d'applications. Les conditions de croissance des couches de cdmnte sont optimisees selon les deux directions cristallographiques <001> et <111>. Le desaccord de maille entre le puits cdte et les barrieres cdmnte limite les structures coherentes realisables. La composition de l'alliage cdmnte, ainsi que les epaisseurs des couches sont maitrisees. Des structures de bonne qualite structurale et optique ont ete obte

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Graham, Amy L. "Characterization of Heterojunctions via X-Ray and UV Photoemission Spectroscopy: Energy Level Implications for Single and Mixed Monolayer SAMs, CdSe Nanoparticle Films, and Organic Semiconductor Depositions." Diss., The University of Arizona, 2010. http://hdl.handle.net/10150/195913.

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Abstract:

This work has centered on the interface dipoles arising at heterojunctions between metals, semiconductor nanoparticles, self-assembled monolayers, and organic semiconductor materials. Alkanethiol self-assembled monolayers, CdSe nanocrystals, and the organic semiconductors zinc phthalocyanine (ZnPc) and Buckminster fullerene (C60) were the basis of these investigations. UV photoemission spectroscopy has proven to be an invaluable tool to observe the vacuum level shifts for these analyses while using XPS to corroborate surface structure. With a full evaluation of these surfaces, the shifts in t

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BOUCHET-BOUDET, NATHALIE. "Etude par diffraction de rayons x d'heterostructures epitaxiees a base des semi-conducteurs ii-vi cdte et znte." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10153.

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Abstract:

Ce memoire traite de la caracterisation structurale par diffraction et reflectivite de rayons x d'heterostructures de semi-conducteurs ii-vi cdte et znte. Ce sont des heterostructures a fort desaccord parametrique, elaborees par epitaxie par jets moleculaires. Ce travail s'articule autour de deux themes: la caracterisation de reseaux de fils quantiques de znte, elabores par croissance par avancee de marche sur une surface vicinale de cdte (001), et l'etude des correlations verticales dans des superreseaux cd#0#. #8zn#0#. #2te/cdte et des superreseaux d'insertions fractionnaires de znte dans cd

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Charleux, Marion. "Étude par microscopie électronique d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI élaborés par épitaxie par jets moléculaires alternés : vers la réalisation de fils quantiques." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0045.

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Abstract:

Cette these est une etude par microscopie electronique en transmission (met) d'heterostructures de semiconducteurs ii-vi. Les systemes etudies, cdte/mnte et cdte/mgte, ont ete realises par epitaxie par jets moleculaires (ejm) et par epitaxie par jets moleculaires alternes (ejma). Le but de ce travail est de contribuer a la fabrication de structures quantiques unidimensionnelles ou fils quantiques : les resultats presentes dans ce memoire sont une premiere pour ces materiaux, bien qu'ils restent neanmoins encore loin de la perfection. En vue d'une optimisation des conditions de croissance, nous

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Weng, Fan, and 翁凡. "The preparation and characteristics of CdTe and CdMnTe heterojunction solar cells." Thesis, 2019. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/jw59v3.

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Abstract:

碩士<br>中原大學<br>物理研究所<br>107<br>In this thesis, CdMnTe as the active layer in intermediate band solar cells was investigated. CdMnTe and CdTe heterojunction solar cells on p-GaAs (100) substrates were grown by molecular beam epitaxy for comparison purposes. In photoluminescence (PL) spectra, we found that CdMnTe present three PL bands with the peaks at 1.3 eV, 2.0 eV and 2.3 eV. The peaks of 1.3 eV and 2.0 eV were attributed to the intermediate band from CdMnTe, and the peak of 2.3 eV was attributed to the band-to-band transition of CdMnTe. N-type ZnSe with carrier concentration of ~ 1.1×1019 cm

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Arnab, Salman Moazzem. "Modeling of the Current-Voltage Characteristics of CdTe Thin-Film and Bulk Heterojunction Organic Solar Cells." Thesis, 2013. http://spectrum.library.concordia.ca/977556/1/Arnab_MASc_F2013.pdf.

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Abstract:

The popularity of solar cell has been on the rise over the past few years. In order to be the substitute the fossil fuels, the energy production cost from solar cells must be reduced further. A lot of effort has been made by the scientific community to produce cheap and green energy from solar cells. High absorption coefficient and cost effective deposition technique have made polycrystalline CdTe a suitable applicant for thin-film solar cell technology. On the other hand, bulk heterojunction polymer solar cells based on blends of conjugated polymers (P3HT) and fullerene derivatives (PCBM) hav

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Zhou, Yunfei [Verfasser]. "Bulk-heterojunction hybrid solar cells based on colloidal CdSe quantum dots and conjugated polymers / Yunfei Zhou." 2011. http://d-nb.info/1011063204/34.

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