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Dissertations / Theses on the topic 'Forte permittivité'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 12 February 2022

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Garello, Kevin. "Matériaux magnéto-diélectriques en couches minces à forte perméabilité et à forte permittivité pour les applications microondes." Limoges, 2009. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/40362767-dd75-4724-8290-dda5087628e2/blobholder:0/2009LIMO4054.pdf.

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Abstract:
Le travail a porté sur l'élaboration d'hétérostructures magnéto-diélectriques polycristallines en couches minces pour les applications radiofréquences. Le résultat marquant est l'obtention d'une compatibilité en température de procédé de la phase pérovskite du SrTiO3 des électrodes magnétiques du type FeCo/NiMn. Un tel matériau associe artificiellement une très forte permittivité (εr=100) et une très forte perméabilité( µr=200) qui permet de comprimer la longueur d'onde d'un signal radioélectrique, avec ici un caractère faiblement dissipatif jusqu'à 10 GHz environ. Ceci constitue une première
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Busani, Tito. "Elaboration et caractérisation de quelques diélectriques à forte permittivité avec application en microélectronique." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2006. http://www.theses.fr/2006GRE10093.

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Abstract:
Durant les dernières décades, les activités de l'industrie de la microélectronique, et ainsi la recherche en microélectronique, ont été guidées par la loi de Moore. Cela a conduit à une réduction importante des dimensions fondamentales des transistors. Pour certains procédés, la dimension des matériaux a rejoint l'échelle atomique, avec les problèmes de fabrication et de fiabilité que cela entraîne. Ainsi l'oxyde de grille est-il prévu d'être constitué de 0. 6 nm de SiO2 en 2013. A de telles épaisseurs l'oxyde fuit considérablement lorsqu'un champ électrique est appliqué sur la grille, avec po
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Guiraud, Alexandre. "Intégration de matériaux à forte permittivité diélectrique dans les mémoires non volatile avancées." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4763/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'intégration de matériaux de haute constante diélectrique (High-k) en tant que diélectrique interpoly dans les mémoires non volatiles de type Flash. L'objectif est de déterminer quel matériaux High-k seraient des candidats probables au remplacement de l'empilement ONO utilisé en tant que diélectrique interpoly. Une gamme de matériaux high-k ont été étudiés via des caractérisations électriques (I-V, C-V, statistique de claquage…) et physiques (TEM, EDX, XPS…) afin d'éliminer les matériaux ne répondant pas au cahier des charges d'un diélectrique interpoly. Les diff
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Chang, Youjean. "Etude de caractérisation de matériaux diélectriques de grille à forte permittivité pour les technologies CMOS ultimes." Lyon, INSA, 2003. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2003ISAL0035/these.pdf.

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Abstract:
Le travail présenté dans ce manuscrit concerne l'étude de nouveaux matériaux diélectriques à forte permittivité ("high-k") en vue de leur intégration comme isolant de grille dans les technologies CMOS ultimes. En effet, la miniaturisation agressive des dispositifs microélectroniques se heurte aujourd'hui aux limites du SiO2 et imposera à échéance de 2 ou 3 ans, son remplacement par un isolant à constante diélectrique plus élevée, ce qui constitue une véritable rupture technologique. Parmi les matériaux candidats les plus prometteurs, Al2O3 ("modeste-k"), HfO2 ("high-k") et SrTiO3 ("very high-k
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Gaillard, Sébastien. "Elaboration d'oxydes à forte constante diélectrique sur silicium par épitaxie par jets moléculaires." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2005. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/sgaillard.pdf.

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Abstract:
Le remplacement des oxydes de grille en SiO2 par des oxydes à plus forte constante diélectrique (high k) est inéluctable pour les technologies CMOS sub 50 nm, notamment pour les circuits à basse consommation d'énergie. Il s'agit dans ce projet de développer une technologie de fabrication de films minces d'oxydes monocristallins, à forte constante diélectrique, épitaxiés sur silicium, qui pourrait prendre le relais des technologies à base de films amorphes comme HfO2, dans les futures filières 45 nm ou 32 nm. La technique d'épitaxie choisie est l'épitaxie par jets moléculaires qui présente l'in
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Boujamaa, Rachid. "Caractérisations physico-chimiques et électriques d’empilements de couches d’oxyde à forte permittivité (high-k) / grille métallique pour l’ajustement du travail effectif de la grille : application aux nouvelles générations de transistors." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT100.

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Abstract:
Cette thèse s'inscrit dans le cadre du développement des technologies CMOS 32/28nm chez STMicroelectronics. Elle porte sur l'étude d'empilements de grille métal/diélectrique high-k élaborés selon une stratégie d'intégration Gate First, où le couple TiN/HfSiON est introduit avec une couche interfaciale SiON et une encapsulation de la grille TiN par du polysilicium. Cette étude s'est principalement focalisée sur l'analyse des interactions entre les différentes couches constituant les empilements, en particulier des additifs lanthane et aluminium, employés pour moduler la tension de seuil Vth des
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Delhaye, Gabriel. "Oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique épitaxiés sur silicium : SrO et SrTiO3." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2006. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/gdelhaye.pdf.

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Abstract:
L’étude de la croissance épitaxiale d’oxydes cristallins sur silicium présente un grand intérêt pour les technologies CMOS du futur ou l’intégration monolithique sur Si : la miniaturisation continue des composants de la microélectronique devrait conduire, pour les nœuds technologiques sub-22 nm, au remplacement de la silice comme oxyde de grille par des oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique afin de limiter les fuites par effet tunnel. La maîtrise de la croissance d'oxydes cristallins doit aussi permettre l'intégration sur silicium d’oxydes fonctionnels à propriétés ferroélectriq
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Devoivre, Thierry. "Impact des diélectriques à forte permittivité sur les performances des transistors MOS 0. 13 µm avancés." Grenoble INPG, 2000. http://www.theses.fr/2000INPG0039.

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Abstract:
Le courant tunnel des oxydes hyperfins est un des problemes les plus preoccupants pour la microelectronique d'aujourd'hui car il limite fondamentalement la reduction des dimensions du transistor, aux frontieres des generations 0. 1m. Une rupture technologique et l'adoption d'un dielectrique alternatif a forte permittivite comme le ta 2o 5 semblent donc necessaire. Cependant, les specifications des filieres cmos pour une telle integration sont severes (densite d'etats d'interface, mobilite interfaciale, niveau de courant de fuite, etc. ). Dans ce memoire, nous nous sommes attaches a etudier le
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Barbier, Bertrand. "Elaboration et caractérisation de condensateurs à base de CaCu3Ti4O12 à forte permittivité relative pour l'électronique de puissance." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/547/.

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Abstract:
Les céramiques massives issues de poudres de CaCu3Ti4O12 (CCTO) élaborées par co-précipitation suivie d'un traitement de calcination présentent des permittivités relatives colossales (150 000 à 1 kHz, Tamb), qui dépendent du taux de phase additionnelle CuO. L'étude confirme que le modèle de barrière interne est à l'origine de ces permittivités relatives. Par ailleurs, les caractérisations en tension et en impédance ont permis d'établir un modèle comportemental grâce à un circuit électrique équivalent facilement utilisable lors de simulations. Une étude originale a été menée sur des couches de
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Mastail, Cedric. "Modélisation et simulation du dépôt des oxydes à forte permittivité par la technique du Monte-Carlo cinétique." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00541993.

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Abstract:
Miniaturiser les composants impose des changements radicaux pour l'élaboration des dispositifs micro électroniques du futur. Dans ce cadre, les oxydes de grille MOS atteignent des épaisseurs limites qui les rendent perméables aux courants de fuite. Une solution est de remplacer le SiO2 par un matériau de permittivité plus élevée permettant l'utilisation de couches plus épaisses pour des performances comparables. Dans ce travail nous présentons une modélisation multi-échelle de la croissance par couche atomique (ALD) d'HfO2 sur Si permettant de relier la nano-structuration d'une interface au pr
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Mastail, Cédric. "Modélisation et simulation du dépôt des oxydes à forte permittivité par la technique du Monte-Carlo cinétique." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/989/.

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Abstract:
Miniaturiser les composants impose des changements radicaux pour l'élaboration des dispositifs micro électroniques du futur. Dans ce cadre, les oxydes de grille MOS atteignent des épaisseurs limites qui les rendent perméables aux courants de fuite. Une solution est de remplacer le SiO2 par un matériau de permittivité plus élevée permettant l'utilisation de couches plus épaisses pour des performances comparables. Dans ce travail nous présentons une modélisation multi-échelle de la croissance par couche atomique (ALD) d'HfO2 sur Si permettant de relier la nano-structuration d'une interface au pr
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Thevenod, Laurent. "Etude de la mobilité dans des transistors intégrant un oxyde de forte permittivité et une grille métallique." Grenoble INPG, 2009. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00476706.

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Abstract:
Afin de satisfaire aux exigences imposées par la Roadmap ITRS, l’industrie microélectronique doit envisager un certain nombre de révolutions dans ses procédés de fabrication des composants. En effet, la seule miniaturisation des dimensions du transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) ne suffit plus à améliorer les performances des dispositifs. Parmi les solutions envisagées, l’une des plus prometteuses consiste à remplacer l’isolant de grille « historique » en oxyde de silicium (SiO2) et la grille en polysilicium par un couple constitué d’une grille métallique et d’un mat
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Mortada, Hussein. "Croissance et caractérisation de nanostructures de Ge et Si déposées sur des substrats d'oxyde cristallin à forte permittivité LaA1O3." Phd thesis, Université de Haute Alsace - Mulhouse, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00584121.

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Abstract:
Les mémoires flash non volatiles - utilisées dans les ordinateurs, téléphones portables ou clés USB - peuvent être constituées de nanocristaux semiconducteurs (SC) insérées dans une matrice isolante. Elles nécessitent l'élaboration d'hétérostructures de type "oxyde/SC/oxyde/Si(00l)" et la maîtrise de chaque interface. Dans ce cadre, nous avons étudié les mécanismes de croissance initiale du Si et du Ge (SC) sur des substrats d'oxyde cristallins LaA1O3(001) à forte permittivité (high-k). Les propriétés chimiques et structurales ont été déterminées in-situ par photoémission X (XPS et XPD) et par
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Monnier, Denis. "Étude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits "High-k") pour les applications capacités MIM." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0036.

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Abstract:
La miniaturisation des composants dans la micorélectronique touche maintenant les composants passifs comme les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal). Pour augmenter la densité de capacité des capacités MIM, les diélectriques conventionnels (Si02, E = 3. 9) sont remplacés par des diélectriques à haute permittivité diélectrique dits « high-k » comme Zr02. Sa permittivité E est égale à 47 lorsqu'il se trouve sous la phase tétragonale. Le procédé de dépôt de Zr02 est la méthode PEALD. Nous avons étudié le procédé de dépôt de Zr02 avec les précurseurs TEMAZ et ZyALD. Les propriétés thermodynamiques d
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Bocquet, Marc. "Intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-k) dans les mémoires non-volatiles pour les générations sub-45 nm." Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0156.

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Abstract:
Les mémoires non-volatiles Flash sont aujourd'hui un élément clé du développement de l'électronique portable demandant de plus en plus de capacité de stockage à bas coût (netbook, clé USB. . . ). Afin d'assurer son maintien pour les années à venir, il est nécessaire de poursuivre l'amélioration de cette technologie. Ainsi, l'intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-K) et l'utilisation de mémoires à couche de piégeage discret sont de plus en plus envisagées. Le travail de cette thèse s'inscrit dans ce contexte. Il comprend tout d'abord une étude électrique de matériaux Hig
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Ribes, Guillaume. "Caractérisation et fiabilité des oxydes ultra fins et des diélectriques à forte permittivité issue des technologies CMOS 45nm et en deçà." Grenoble INPG, 2005. http://www.theses.fr/2005INPG0087.

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Abstract:
La course à la réduction des dimensions des technologies CMOS se caractérise entre autre par une diminution de l'épaisseur du diélectrique de grille. De cette manière l'oxyde devient de plus en plus conducteur et ses performances en terme de fiabilité sont fortement réduites. Il parait donc essentiel de fournir des modèles précis afin d'améliorer la détermination des durées de vie de ce diélectrique et donc de repousser un peu plus loin ces limites. En outre le besoin d'introduire, dans les nouvelles technologies, des diélectriques à forte permittivité se fait de plus en plus pressant. Afin d'
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Dabertrand, Karen. "Croissance de diélectrique à forte permittivité par la technique MOCVD en phase liquide pulsée : élaboration, et caractérisation de films de HfO2." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2006. http://www.theses.fr/2006GRE10199.

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Abstract:
La miniaturisation des transistors CMOS permet d'améliorer les performances, la densité d'intégration et le coût des circuits intégrés. Cependant, de nos jours, le transistor se heurte à des limitations physiques. Afin de perpétuer l'accroissement des performances, l'intégration de nouveaux matériaux devient incontournable. En particulier, l'oxyde d'hafnium, du fait de sa haute permittivité et de sa large bande interdite est largement étudié afin de remplacer l'oxyde de grille standard. L'utilisation du HfO2 vise ainsi à améliorer le compromis épaisseur d'oxyde/ courant de fuite. Dans ce conte
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Elisabeth, Stéphane. "Élaboration de couches minces diélectriques d’oxydes de titane et de silicium à forte permittivité et indice optique par procédé plasma PECVD basse pression." Nantes, 2015. https://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show/show?id=7e02e9c6-eea3-4b64-aeda-81caa1c7c185.

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Abstract:
Cette thèse est consacrée à l’élaboration de matériaux diélectriques à basse pression (0,4 mbar) et basse température (<100 °C), sur silicium, par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma RF (PECVD) à couplage inductif (ICP) en modes continu, puissance plasma pulsée et injection pulsée des précurseurs. Les diélectriques étudiés sont des oxydes à base de titane et de silicium (TiO2 et TiSiO) déposés dans des plasmas O2 à forte dilution des précurseurs de titane (TiPT, tetraisopropoxyde de titane) et/ou de silicium (HMDSO, hexaméthyldisiloxane). Une première partie est dédiée à l’étu
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Jeloaica, Leonard. "Etude Ab initio des mécanismes réactionnels dans la phase initiale du dépôt par couches atomiques des oxydes à moyenne et forte permittivité sur silicium." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00110050.

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Abstract:
L'objectif de ce travail est d'apporter un éclairage nouveau à la compréhension des mécanismes physico-chimiques qui contrôlent la croissance des trois oxydes d'Aluminium, de Zirconium, de Hafnium. Ces matériaux sont considérés comme les meilleurs candidats pour remplacer la silice en tant qu'oxyde de grille dans le futur composant MOS. La précision et la fiabilité de la méthode DFT associé à la fonctionnelle B3LYP, ont été testées à l'aide des résultats expérimentaux et des méthodes ab initio les plus précis telles que CCSD(T) et CISD(T), en utilisant différents ensembles des fonctions de bas
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Kahn, Maurice. "Elaboration par PE-MOCVD à injection pulsée et caractérisation de matériaux à forte permittivité de type multicouches ou alliées pour des appliations capacités MIM." Grenoble 1, 2008. http://www.theses.fr/2008GRE10091.

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Abstract:
Avec l'augmentation accrue du nombre de fonctions embarquées directement au dessus du circuit intégrés, les capacités Métal Isolant Métal (MIM) sont devenues des composants essentiels en microélectronique. Pour permettre une augmentation de la densité d'intégration des composants, des matériaux à forte permittivité ou high κ sont utilisés comme diélectriques. Cet isolant doit satisfaire plusieurs critères: une forte valeur de capacité surfacique, de faibles courants de fuite ainsi qu'une très bonne stabilité de la capacité surfacique avec la tension appliquée (linéarité en tension). Cependant,
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Blech, Vincent. "Analyse corrélée du plasma de pulvérisation et des films minces de La2O3 et de RuO2 pour les futurs transistors MOSFET." Paris 11, 2004. http://www.theses.fr/2004PA112040.

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Abstract:
Afin d'accroître la puissance de calcul et la rapidité des circuits intégrés, l'industrie de la micro électronique n'a cesse de miniaturiser les composants élémentaires logiques: les transistors à effet de champ (MOSFET). Cette miniaturisation conduit à une limitation fondamentale: sous 2 nm, le diélectrique de grille de SiO2 est fortement perméable aux courants tunnel. Une solution consiste à déposer des films plus épais d'un diélectrique à "forte permittivité" (e > 15). Nous avons étudié les propriétés physico-chimiques et électriques de films minces de La2O3 (e ~30) déposés par pulvérisa
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Jeloaica, Léonard. "Etude ab initio des mécanismes réactionnels dans la phase initiale du dépôt par par couches atomiques des oxydes à moyenne et forte permittivité sur silicium." Toulouse 3, 2006. http://www.theses.fr/2006TOU30077.

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Abstract:
L'objectif de ce travail est d'apporter un éclairage nouveau à la compréhension des mécanismes physico-chimiques qui contrôlent la croissance des trois oxydes d'Aluminium, de Zirconium, de Hafnium. Ces matériaux sont considérés comme les meilleurs candidats pour remplacer la silice en tant qu'oxyde de grille dans le futur composant MOS. La précision et la fiabilité de la méthode DFT associé à la fonctionnelle B3LYP, ont été testées à l'aide des résultats expérimentaux et des méthodes ab initio les plus précis telles que CCSD(T) et CISD(T), en utilisant différents ensembles des fonctions de bas
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Bezza, Anas. "Caractérisation et modélisation du phénomène de claquage dans les oxydes de grille à forte permittivité, en vue d’améliorer la durée de vie des circuits issus des technologies 28nm et au-delà." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT097.

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Abstract:
.Aujourd’hui, la course à la miniaturisation a engendré de nouveaux défis dans l’industrie microélectronique. En plus de la forte concurrence que subissent les fabricants de composants, de nouvelles contraintes liées à la fiabilité des dispositifs se sont imposées. En effet, le passage d’une technologie « tout silicium » relativement simple à une technologie high-k/grille métal plus complexe, a entrainé une forte réduction des marges de fiabilité des oxydes de grille. A ce titre, Il est devenu nécessaire d’investiguer de nouvelles approches pouvant offrir davantage de gain en durée de vie pour
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El, Khoury Diana. "Towards the use of electrostatic force microscopy to study interphases in nanodielectric materials." Thesis, Montpellier, 2017. http://www.theses.fr/2017MONTS078/document.

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Abstract:
Les interphases sont souvent considérées comme responsables des propriétés physiques des nanodiélectriques inexplicables par les lois de mélange. La prédiction de la permittivité diélectrique des nanodiélectriques nécessite de reconsidérer la permittivité intrinsèque et le volume de l'interphase. Malgré le besoin d'une caractérisation locale de ces régions interfaciales nanométriques, aucune méthode expérimentale fiable n'a encore été développée. La Microscopie à Force Electrostatique (EFM) constitue une technique prometteuse pour atteindre ce but. L'objectif de cette thèse est de développer d
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Boudida, Abdelmalek. "Caractérisation diélectrique des matériaux composites : Influence de l'anisotropie de forme et d'orientation." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1999. http://www.theses.fr/1999ECDL0021.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur la determination, par des methodes numeriques, de la permittivite effective complexe de materiaux heterogenes comportant differents types d'inclusions (spheriques, cylindriques et ellipsoidales), orientees selon differents angles par rapport a la direction du champ applique. Il est montre que les permittivites effectives complexes, pour une concentration donnee, sont plus elevees pour les materiaux a inclusions cylindriques que pour ceux a inclusions ellipsoidales. Les seuils critiques de connection se deplacent vers des concentrations d'inclusions plus elevees lorsque l'o
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Martinez-Llorca, Vincent. "Étude de la fiabilité de capacités Métal-Isolant-Métal Intégrées utilisant des diélectriques à fortes permittivité." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0119.

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Abstract:
Les capacités Métal-Isolant-Métal (MIM) sont utilisées dans les circuits intégrés pour de multiples applications analogiques et radiofréquences, ainsi que pour diverses fonctions telles que le découplage ou les mémoires. A l’instar des transistors, leur densité d’intégration doit croître continuellement afin de permettre la complexification des fonctions réalisées. Pour ce faire, des matériaux à forte permittivité (appelés « High-K ») ont fait leurs apparitions comme l’oxyde de tantale Ta2O5. Cependant, leur introduction en tant que diélectrique des composants MIM a été le point de départ de c
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Chang, Youjean Ducroquet Frédérique. "Etude de caractérisation de matériaux diélectriques de grille à forte permittivité pour les technologies CMOS ultimes." Villeurbanne : Doc'INSA, 2004. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=chang.

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Gaillard, Sébastien Hollinger Guy. "Elaboration d'oxydes à forte constante diélectrique sur silicium par épitaxie par jets moléculaires." Ecully : Ecole centrale de Lyon, 2005. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/sgaillard.pdf.

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Pometcu, Laura. "Matériaux et forme innovants pour l'atténuation en hyper fréquences." Thesis, Rennes 1, 2016. http://www.theses.fr/2016REN1S044/document.

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Abstract:
Les matériaux absorbants des ondes électromagnétiques sont des éléments importants pour l'évaluation de nombreux systèmes électroniques militaires mais également civils. Ces matériaux sont utilisés, par exemple, pour la réduction des interférences électromagnétiques (EMI) dans divers composants sans fils, la réduction de la surface équivalente radar (SER) ou comme absorbants à l'intérieur des chambres de mesures. C’est cette dernière application qui est visée par les travaux de cette thèse. L’objectif de mes travaux de thèse est d’optimiser des matériaux absorbants utilisés dans les chambres a
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Tarassov, Dmitri. "Méthode de mesure en champ fort de la permittivité hétérogène de matériaux traités en micro-onde." Toulouse, INPT, 1999. http://www.theses.fr/1999INPT030H.

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Abstract:
Un magnétron et sa charge sont fortement couplés dans un four micro-onde. La question posée par la thèse est de savoir quelles caractéristiques de la charge il est possible d'extraire de la puissance et de la bande de fréquence générées par le magnétron. La méthode consiste à partir d'un bon modèle du magnétron prenant en compte une charge non-adaptée et àeffectuer des mesures en temps réel. Cette approche permet de calculer l'impédance de l'applicateur dans une bande relativement étroite et partant de ce résultat, d'évaluer l'hétérogénéité diélectrique monodimensionnelle dans la profondeur de
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Mazaleyrat, Guillaume. "Modélisation multi échelles de la croissance des oxydes à fortes permittivités : simulation Monte-Carlo cinétique." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011574.

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Abstract:
La miniaturisation des composants électroniques et en particulier celle d'une des "briques élémentaires" de la microélectronique, le transistor MOS, nécessite l'emploi d'un nouvel oxyde de grille en remplacement du traditionnel oxyde de silicium. En effet, cette grille tend à devenir tellement fine que les courants de fuite à travers celle-ci deviennent trop importants pour garantir un fonctionnement satisfaisant. Plusieurs oxydes à fortes permittivités on été identifiés pour remplacer le SiO2. Notre étude repose sur le développement d'un simulateur Monte-Carlo cinétique original au sein d'une
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Hayakawa, Naoki, Masafumi Takei, Yoshikazu Hoshina, et al. "Permittivity Characteristics of Epoxy/Alumina Nanocomposite with High Particle Dispersibility by Combining Ultrasonic Wave and Centrifugal Force." IEEE, 2010. http://hdl.handle.net/2237/14533.

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Boulos, Madona. "Elaboration de poudres de titanates par chimie douce, caractérisation, mise en forme de céramiques et de couches, et propriétés électriques : application aux matériaux à très fortes valeurs de permitivité." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30261.

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Abstract:
Des grains nanométriques de titanate de baryum ont été obtenus par synthèse hydrothermale à 150 et 250°C et à partir de précurseur BaCl2. 2H2O/TiCl3 ou TiO2,. Le frittage à 1250°C pendant 10 ou 20 h a conduit à descéramiques de densité supérieure à 95%. Ces céramiques présentent une structure bimodale constituée de gros grains (60 µm) dans une matrice de petits grains (1µm). Des permittivités électriques relatives supérieures à 7000 (poudre ex-TiCl3) ou à 11000 (poudre ex-TiO2) sont notées à la température de Curie. Les couches épaisses présentent une permittivité supérieure à 4000. Des poudre
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GOLIAS, FRANCOIS. "Analyse electromagnetique globale de structures actives microruban a fonctionnement non-lineaire. Conception et caracterisation en bande millimetrique d'antennes imprimees passives et actives sur substrats a forte permittivite." Rennes, INSA, 1997. http://www.theses.fr/1997ISAR0005.

Full text
Abstract:
Cette these decrit l'analyse, la conception et la caracterisation d'antennes imprimees passives et actives pour la bande millimetrique. La methode d'analyse retenue est basee sur la technique des equations integrales resolues par la methode des moments. Son extension a l'etude du chargement par des composants non-lineaires est developpee a partir de l'association de la methode d'analyse electromagnetique a celle de balance harmonique. Les premiers resultats sur une structure microruban permettent de valider la resolution globale du probleme electromagnetique. L'outil electromagnetique est ensu
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Mejdoubi, Abdelilah. "Étude par simulation numérique des propriétés diélectriques d'hétérostructures multiphasiquescontenant des inclusions de forme arbitraire." Phd thesis, Université de Bretagne occidentale - Brest, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00866650.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur la modélisation numérique des propriétés diélectriques de matériaux composites modèles à deux et trois phases comportant des inclusions de forme arbitraire. Deux approches numériques basées sur la méthode des éléments finis (FE) et celle des différences finies dans le domaine temporel (FDTD) sont implantées et validées. Dans un premier temps nous décrivons une méthode de simulation FDTD pour étudier l'influence de la géométrie de l'inclu- sion sur les propriétés diélectriques effectives d'une structure hétérogène non-dissipative bidimensionnelle à deux phases. Nous avons s
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Mejdoubi, Abdelilah. "Étude par simulation numérique des propriétés diélectriques d'hétérostructures multiphasiques contenant des inclusions de forme arbitraire." Phd thesis, Université de Bretagne occidentale - Brest, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00175720.

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Abstract:
Ce travail porte sur la modélisation numérique des propriétés diélectriques de matériaux composites modèles à deux et trois phases comportant des inclusions de forme arbitraire. Deux approches numériques basées sur la méthode des éléments finis FE) et celle des différences finies dans le domaine temporel (FDTD) sont implantées et validées. Dans un premier temps nous décrivons une méthode de simulation FDTD pour étudier l'influence de la géométrie de l'inclusion sur les propriétés diélectriques effectives d'une structure hétérogène non-dissipative bidimensionnelle à deux phases. Nous avons spéc
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Versavaud, Sophie. "Mise en forme des thermoplastiques chargés de nanotubes de carbone : application à la microinjection de Polyamide 12." Phd thesis, Ecole nationale supérieure d'arts et métiers - ENSAM, 2012. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00866487.

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Abstract:
L'addition de nanotubes de carbone multiparois (MWNT) dans une matrice de polyamide 12 (PA 12), électriquement isolante, permet d'augmenter les propriétés électriques vers un comportement conducteur. Cette modification est influencée par l'arrangement des MWNT en chemins de conduction qui permettent le transfert des charges électriques entre deux électrodes. La conductivité électrique des nanocomposites isotropes atteint une valeur asymptote (~10-2 S.m-1) pour des teneurs supérieures à 1,2% en masse (seuil de percolation électrique). En microinjection, les nanocomposites sont soumis à des taux
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Okubo, Hitoshi, Masafumi Takei, Yoshikazu Hoshina, Masahiro Hanai, Katsumi Kato, and Muneaki Kurimoto. "Application of Functionally Graded Material for Reducing Electric Field on Electrode and Spacer Interface." IEEE, 2010. http://hdl.handle.net/2237/14528.

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Behrendt, Karsten. "Der Einfluss von Defekten auf das Schaltverhalten ferroelektrisch modulierter Substanzen." Doctoral thesis, Niedersächsische Staats- und Universitätsbibliothek Göttingen, 2015. http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0028-873E-C.

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Voisin, Christophe. "Mise en forme et élaboration par Spark plasma sintering de nanocéramiques à base de BaTiO3 : étude du processus de recuit, de la diffusion de l'oxygène et obtention de condensateurs céramiques aux propriétés diélectriques optimisées." Toulouse 3, 2013. http://thesesups.ups-tlse.fr/2193/.

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Abstract:
Ces travaux ont pour objectif l'élaboration de condensateurs céramiques à base de titanate de baryum présentant des permittivités relatives colossales et de faibles pertes diélectriques. Des poudres de BaTiO3 de stœchiométrie (rapport Ba/Ti), taille de grains et structure contrôlées ont été synthétisées par coprécipitation suivi d'un traitement thermique de calcination. Deux sources de titane différentes ont été utilisées : TiCl3 (Ti3+) et TiOCl2 (Ti4+). Des nanocéramiques BaTiO3-d densifiées à plus de 98% ont été élaborées par Spark Plasma Sintering (SPS). Pour la première fois, les paramètre
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Loppinet, Benoit. "Etude de la structure de solutions d'ionomères en solvants polaires par diffusion aux petits angles." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10208.

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Abstract:
Ce travail presente l'etude, principalement par diffusion aux petits angles (dpa) de neutrons et de rayons-x, de solutions d'ionomeres. Les differentes analyses de l'intensite dpa (variation de contraste, analyse du comportement asymptotique, positions du pic d'interferences), appliquees aux solutions d'ionomeres perfluores (ipf), menent a la conclusion de la presence de particules colloidales de symetrie cylindrique. Cette geometrie est obtenue pour des solutions de trois ipf dans des solvants varies couvrant une gamme importante de constante dielectrique. La valeur du rayon depend de l'ipf e
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Zippel, Jan. "Gepulste Laserabscheidung und Charakterisierung funktionaler oxidischer Dünnfilme und Heterostrukturen." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Leipzig, 2012. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-100358.

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Abstract:
In der vorliegenden Arbeit wird das Hauptaugenmerk auf die Untersuchung der Auswirkungen einer Modifikation der zugänglichen Prozessparameter auf die funktionalen Eigenschaften oxidischer Dünnfilme während der gepulsten Laserabscheidung (PLD) gelegt. Der erste Teil der Arbeit stellt die Herstellung von BaTiO3/SrTiO3-Mehrfach-Heterostrukturen auf thermisch und chemisch vorbehandelten SrTiO3-Substraten mittels gepulster Laserabscheidung (PLD) vor. Die zugängliche in-situ Wachstumskontrolle durch ein reflection high-energy electron diffraction (RHEED)-System ermöglicht es die Wachstumsprozesse in
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Coignus, Jean. "Etude de la conduction électrique dans les diélectriques à forte permittivité utilisés en microélectronique." Phd thesis, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557752.

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Abstract:
A partir du noeud technologique 45 nm, le remplacement de l'oxyde de grille SiO2 par un diélectrique high-κ est nécessaire pour poursuivre la loi de Moore : l'introduction d'un tel matériau permet de maintenir une capacité de grille élevée tout en limitant le courant de fuite parasite à travers la couche diélectrique. Toutefois, les mécanismes physiques à l'origine de la réduction de courant restent méconnus. Ce manuscrit présente une étude complète de la conduction électrique dans un empilement oxyde d'interface - high-κ - grille métallique. Nous présentons dans un premier temps la modélisati
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Sylvestre, Alain. "Apport de la spectroscopie diélectrique basse fréquence dans l'analyse de matériaux isolants à forte permittivité." Habilitation à diriger des recherches, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00651493.

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Abstract:
Les travaux présentés dans ce manuscrit sont centrés sur l'analyse diélectrique de deux familles de matériaux diélectriques en couche mince et à forte permittivité : la première concerne des pérovskites de type SrTiO3 et la seconde est un nanocomposite constitué d'une matrice de carbone amorphe contenant des particules métalliques de nickel. Concernant les couches SrTiO3, élaborées par IBS (Ion Beam sputtering) au CEA-Leti à Grenoble, les propriétés diélectriques (constante diélectrique ', pertes '' et facteur de dissipation tan) sont analysées en fonction de la fréquence, de la température
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Bocquet, Marc. "Intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-k) dans les mémoires non-volatiles pour les générations sub-45nm." Phd thesis, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00559617.

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Abstract:
Les mémoires non-volatiles Flash sont aujourd'hui un élément clé du développement de l'électronique portable demandant de plus en plus de capacité de stockage à bas coût (netbook, téléphones mobiles, PDA, clé USB...). Afin d'assurer son maintien pour les années à venir, il est nécessaire de poursuivre l'amélioration de cette technologie. Ainsi, l'intégration de matériaux à forte permittivité électrique (appelés : High-k) et l'utilisation de mémoires à couche de piégeage discret sont de plus en plus envisagées. Le travail de cette thèse s'inscrit dans ce contexte. Il comprend tout d'abord une é
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Monnier, D. "Etude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits « High-K ») pour les applications capacités MIM." Phd thesis, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00520511.

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Abstract:
La miniaturisation des composants dans la micorélectronique touche maintenant les composants passifs comme les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal). Pour augmenter la densité de capacité des capacités MIM, les diélectriques conventionnels (SiO2, ε = 3.9) sont remplacés par des diélectriques à haute permittivité diélectrique dits « high-k » comme ZrO2. Sa permittivité ε est égale à 47 lorsqu'il se trouve sous la phase tétragonale. Le procédé de dépôt de ZrO2 est la méthode PEALD. Nous avons étudié le procédé de dépôt de ZrO2 avec les précurseurs TEMAZ et ZyALD. Les propriétés thermodynamiques du
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Dabertrand, Karen. "Croissance de diélectrique à forte permittivité par la technique MOCVD en phase liquide pulsée : Elaboration, et caractérisation de films de HfO2." Phd thesis, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00130390.

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Abstract:
La miniaturisation des transistors CMOS permet d'améliorer les performances, la densité d'intégration et le coût des circuits intégrés. Cependant, de nos jours, le transistor se heurte à des limitations physiques. Afin de perpétuer l'accroissement des performances, l'intégration de nouveaux matériaux devient incontournable. En particulier, l'oxyde d'hafnium, du fait de sa haute permittivité et de sa large bande interdite est largement étudié afin de remplacer l'oxyde de grille standard. L'utilisation du HfO2 vise ainsi à améliorer le compromis épaisseur d'oxyde/ courant de fuite. Dans ce conte
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Thévenod, Laurent. "Étude de la mobilité des porteurs dans des transistors MOS intégrant un oxyde de grille de forte permittivité et une grille métallique." Phd thesis, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00476706.

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Abstract:
Afin de satisfaire aux exigences de plus en plus contraignantes imposées par la Roadmap ITRS, l'industrie microélectronique doit aujourd'hui envisager un certain nombre de révolutions dans ses procédés de fabrication des composants. En effet, la seule miniaturisation des dimensions du transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) ne suffit plus à améliorer les performances des dispositifs électroniques et de nouvelles approches doivent être imaginées. Parmi les solutions envisagées, l'une des plus prometteuses consiste à remplacer l'isolant de grille «historique» en oxyde de
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Kahn, Maurice. "Elaboration par PE-MOCVD à injection pulsée et caractérisation de matériaux à forte permittivité de type multicouches ou alliées pour des applications capacités MIM." Phd thesis, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00452477.

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Abstract:
Avec l'augmentation accrue du nombre de fonctions embarquées directement au dessus du circuit intégrés, les capacités Métal Isolant Métal (MIM) sont devenues des composants essentiels en microélectronique. Pour permettre une augmentation de la densité d'intégration des composants, des matériaux à forte permittivité ou high κ sont utilisés comme diélectriques. Cet isolant doit satisfaire plusieurs critères: une forte valeur de capacité surfacique, de faibles courants de fuite ainsi qu'une très bonne stabilité de la capacité surfacique avec la tension appliquée (linéarité en tension). Cependant,
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Guillan, Julie. "Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques à très forte constante diélectrique, BaTiO3, SrTiO3 et SrTiO3/BaTiO3 déposées par pulvérisation par faisceau d'ions." Phd thesis, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00141132.

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Abstract:
Dans l'optique d'une miniaturisation dans le secteur de la microélectronique et plus particulièrement dans celui de la téléphonie mobile, les matériaux pérovskites à très haute constante diélectrique sont des candidats intéressants au remplacement des diélectriques actuellement utilisés dans l'élaboration des capacités Métal/Isolant/Métal (MIM). Ce travail est consacré à l'élaboration et à la caractérisation de couches minces de titanate de strontium (SrTiO3) et de titanate de baryum (BaTiO3) déposées par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS) dans des structures capacitives MIM Pt/diélectriq
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