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Dissertations / Theses on the topic 'III-V technology'

Author: Grafiati

Published: 15 June 2024

Last updated: 31 July 2025

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1

Moran, David A. J. "Self-aligned short gate length III-V HEMT technology." Thesis, University of Glasgow, 2004. http://theses.gla.ac.uk/6577/.

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Abstract:

This thesis presents a ne- approach to the fabrication of short gate length HI-V High Electron Mobility Transistors (HEMTs) that reduces the impact of external parasitic elements, and in particular access resistances, upon device performance. This was approached through the development of a self-aligned T-gate process with non-annealed ohmic contacts. The process was used to fabricate both GaAs pseudomorphic HEMT and subsequently lattice matched InP devices. In addition, a new selective recess etch was developed for cap layers containing indium. Characterisation of the self-aligned GaAs pHEMT

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2

Green, Richard Philip. "Physics and technology of Intersubband transitions in III-V semiconductor heterostructures." Thesis, University of Sheffield, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.419619.

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3

Pacella, Nan Yang. "Platform for monolithic integration of III-V devices with Si CMOS technology." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2012. http://hdl.handle.net/1721.1/76119.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Materials Science and Engineering, 2012.<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (p. 169-165).<br>Monolithic integration of III-V compound semiconductors and Si complementary metal-oxide- semiconductor (CMOS) enables the creation of advanced circuits with new functionalities. In order to merge the two technologies, compatible substrate platforms and processing approaches must be developed. The Silicon on Lattice Engineered Silicon (SOLES) substrate allows monolithic integration. It is a Si

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4

Dohrman, Carl Lawrence. "Substrate engineering for monolithic integration of III-V semiconductors with Si CMOS technology." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2008. http://hdl.handle.net/1721.1/44323.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Materials Science and Engineering, 2008.<br>Includes bibliographical references (p. 165-172).<br>Ge virtual substrates, fabricated using Si1-xGex-.Ge, compositionally graded buffers, enable the epitaxial growth of device-quality GaAs on Si substrates, but monolithic integration of III-V semiconductors with Si CMOS using this platform is hampered by the large thickness of the Si1-xGex graded region. To address this issue, the Silicon on Lattice-engineered Silicon (SOLES) was developed, consisting of a silicon-on-insulator (SOI) st

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5

Perkins, James Michael 1978. "Magnetically assisted statistical assembly of III-V heterostructures on silicon : initial process and technology development." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2002. http://hdl.handle.net/1721.1/32712.

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Abstract:

Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2002.<br>Includes bibliographical references (leaf 75).<br>This work is the initial investigation of magnetically assisted statistical assembly (MASA), a novel silicon I-v integration technique developed at M.I.T. Initially procedures for processing optoelectronic devices into magnetically sensitive 40 micron discs were performed and refined. Cobalt palladium thin films were obtained and their magnetic properties were studied. An initial procedure was developed to easily integrate these

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6

Medjoubi, Karim. "Investigation of new solar cell technology III-V//Si behavior under irradiations for space applications." Thesis, Institut polytechnique de Paris, 2021. http://www.theses.fr/2021IPPAX004.

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Abstract:

Ce travail s’intéresse au comportement en environnement spatial d’une nouvelle technologie de cellules solaires photovoltaïque : les tandems III-V//Si (2- et 3-jonctions), obtenues par collage direct. Ces cellules ont été exposé à des irradiations électrons et protons et testé dans deux type d’environnement : a) irradiance normale, 1 soleil, et température ambiante 300K, condition NIRT (orbites terrestres) et b) basse irradiance, 0,03 soleil, et basse température 120K, condition LILT (espace lointain). Dans une étape préliminaire une étude comparative a été mené sur 2 simulateurs solaires, équ

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7

Wu, Xiaoyue. "Simulation Study of Epitaxially Regrown Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers." Thesis, KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), 2011. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-52896.

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Abstract:

The vertical-cavity surface-emitting laser or VCSEL is a special type of diode laser, which has established itself in optoelectronic applications asa low-cost, high-quality miniaturized light source. The development of VCSELs can be largely promoted with support from computer simulations. In this study, we have used such simulations, on one hand to understand and improve the VCSEL performance, and on the other hand to prepare for analyzing new device concepts such as transistor-VCSELs. This thesis starts with a background introduction to the principle idea of VCSELs and then states the signifi

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8

Bouillaud, Hugo. "Fabrication et optimisation des caractéristiques thermiques de diodes Schottky de la filière GaAs et reportées sur SiHR pour des applications de multiplication de fréquences." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2023. http://www.theses.fr/2023ULILN043.

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Abstract:

Les besoins exponentiels liés aux applications exploitant le domaine THz nécessitent d'accroitre l'éventail des sources disponibles et d'optimiser leur fabrication. Dans ce travail de thèse, nous nous sommes intéressés aux diodes schottky en vue de la réalisation de multiplicateurs de fréquences. Notre travail de recherche expérimental a consisté en l'optimisation des caractéristiques de diodes schottky de filière GaAs, par le développement et la mise en œuvre d'un procédé de fabrication innovant. Dans un premier temps, nous avons réalisé des diodes schottky GaAs sur substrat GaAs de différent

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9

Lindberg, Martin. "Mode Matching Analysis of One-Dimensional Periodic Structures." Thesis, KTH, Elektroteknisk teori och konstruktion, 2018. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-231842.

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Abstract:

In this thesis, we analyze the electromagnetic wave propagation in waveguidestructuresexhibiting periodical geometry, including glide symmetry. The analysisis performed using a mode matching technique which correlates the different modecoefficients from separate but, connected regions in the structure. This technique isused to obtain the dispersion diagrams for two one-dimensional periodic structures:a glide-symmetric corrugated metasurface and a coaxial line loaded with periodicholes. The mode matching formulation is presented in Cartesian and cylindricalcoordinate system for the former and t

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10

Fawaz, Hussein. "Technologie multifonction de transistors à effet de champ sur matériaux III-V pour logique rapide et hyperfréquences." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10038.

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11

Callen, Olivier. "Nouvelle méthode d'investigation par effet Hall des états d'interface dans les composants à base d'hétérostructures III-V." Montpellier 2, 2000. http://www.theses.fr/2000MON20029.

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Abstract:

Cette these demontre l'interet des heterostructures semi-conductrices pour la caracterisation des etats presents aux interfaces dielectrique/semi-conducteur (d/sc), etats qui jouent un role important dans les composants electroniques actuels. Deux methodes originales de caracterisation de l'interface d/sc sont proposees. La premiere est une methode de mesure du spectre dit(e) des etats d'interface. Elle est basee sur la mesure de la densite de porteurs ns dans des motifs de hall recouverts du dielectrique a caracteriser et equipes d'une grille metallique (structures mis-h : metal-isolant-semic

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Ung, Thuy Dieu Thi. "SYNTHÈSE ET CARACTÉRISATION DE NANOCRISTAUX COLLOÏDAUX DE SEMI-CONDUCTEURS III-V DOPÉS PAR DES TERRES RARES." Phd thesis, Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00626513.

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Abstract:

Cette thèse s'est axée sur la synthèse de nanocristaux (NCs) colloïdaux semi-conducteurs III -V dopés par des ions de terre rare (TR) à l'aide de diverses méthodes de synthèses. Des séries quasi-monodisperses de nanocristaux InP et In(Zn)P ainsi que des NCs cœur/coquille fortement luminescent d'InP/ZnS et d'In(Zn)P/ZnS ont été synthétisés avec succès en faisant réagir le précurseur d'In (myristate d'indium) avec différents précurseurs phosphorés tel que le phosphore jaune, le PH3 gazeux ou le P(TMS)3 dans le 1-octadecene, solvant non-coordinant. Ces NCs ont été caractérisés par DRX sur poudre,

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Le, Pallec Michel. "Technologie de photorécepteurs intégrés sur InP." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0144.

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Abstract:

Ce memoire de these rend compte d'une etude de circuits integres optoelectroniques sur substrat inp dans le contexte des transmissions optiques par multiplexage de longueur d'onde. Le travail traite tous les aspects de la technologie d'un photorecepteur integre multicanaux : epitaxie movpe simultanee de transistors et de photodetecteurs pin gainas, etude des structures et des methodes d'elaboration donnant des dispositifs integres aussi performants que des composants discrets, mise en oeuvre d'un procede avec le minimum de niveaux de masques, aboutissant a une puce de tres petite taille (1,2 x

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Sciancalepore, Corrado. "Intégration hétérogène III-V sur silicium de microlasers à émission par la surface à base de cristaux photoniques." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00915280.

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Abstract:

La croissance continue et rapide du trafic de données dans les infrastructures de télécommunications, impose des niveaux de débit de transmission ainsi que de puissance de traitement de l'information, que les capacités intrinsèques des systèmes et microcircuits électroniques ne seront plus en mesure d'assurer à brève échéance : le développement de nouveaux scenarii technologiques s'avère indispensable pour répondre à la demande de bande passante imposée notamment par la révolution de l'internet, tout en préservant une consommation énergétique raisonnable. Dans ce contexte, l'intégration hétéro

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Bouguen, Laure. "Annulation de la dérive thermique de capteurs magnétiques à base d'hétérostructures pseudomorphiques AlGaAs/InGaAs/GaAs." Montpellier 2, 2009. http://www.theses.fr/2009MON20075.

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Abstract:

L'objectif de cette étude était de diminuer, voire d'annuler, la dérive en température de capteurs magnétiques à base d'hétérostructures AlGaAs/InGaAs/GaAs. Pour répondre à la question posée, la solution envisagée a consisté à contrôler avec une grande précision l'ancrage du niveau de Fermi à la surface d'hétérostructures existantes. Ce contrôle a été assuré par l'adjonction d'une grille de géométrie optimisée et polarisée de façon adéquate. Nous avons montré qu'une modélisation linéaire du composant n'était pas adaptée et qu'il était nécessaire de mettre au point une analyse à deux dimensions

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Mbow, Babacar. "Etude des réponses spectrales dans le proche infra-rouge des composés mixtes III-V, ternaires et quaternaires, à base de GaSb et de leurs dérivés." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20048.

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Abstract:

Des mesures de reponse spectrale dans la gamme (0,4 ev a 2 ev) ont ete effectuees sur des homojonctions gasb#n/gasb#p, ga#1##xin#xsb#n/ga#1##xin#xsb#p, ga#1##xal#xsb#p/ga#1##xal#xsb#n deposees sur un substrat de gasb et des hetero-structures ternaires ga#1##xin#xsb#p/gasb#n et quaternaires avec effet fenetre gasb#p/ga#1##xin#xas#1##ysb#y#n/gasb#n. Des modeles theoriques sur le calcul du rendement quantique de ces dispositifs sont proposes. En s'appuyant sur les resultats de la simulation et en accordant les spectres experimentaux aux spectres theoriques, on determine les valeurs des parametres

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Bringer, Charlotte. "Technologie et caractérisation des VCSELs à diaphragme d'oxyde : application à la détection en cavité verticale." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30008.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur la fabrication et la caractérisation de lasers à cavité verticale émettant par la surface à diaphragme d'oxyde enterré (VCSELs AlOx) émettant à 850 nm. Tout d'abord, nous détaillons la conception de la structure ainsi que le procédé de fabrication. Les caractérisations optiques et électriques permettent de mettre en évidence l'amélioration des performances de ces composants et d'identifier les limitations actuelles. Ensuite, nous exposons le principe des détecteurs en cavité résonante puis déclinons chaque géométrie verticale explorée : photodétecteur simple, VCSE

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BRINGER, Charlotte. "Technologie et caractérisation des VCSELs à diaphragme d'oxyde. Application à la détection en cavité verticale." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010239.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur la fabrication et la caractérisation de lasers à cavité verticale émettant par la surface à diaphragme d'oxyde enterré (VCSELs AlOx) pour les communications optiques et les microsystèmes. Ces composants deviennent de sérieux concurrents aux diodes laser classiques dans les liens de communications à courte distance. De plus, la réalisation de microsystèmes optiques intelligents nécessite de créer des composants photoniques qui soient multifonctions. Ainsi, nos travaux concernent-ils plus particulièrement l'intégration de la photodétection dans une structure VCSEL.

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Lee, Sang-Goog. "Réalisation et caractérisation d'un capteur magnétique en couche mince." Rouen, 1994. http://www.theses.fr/1994ROUES050.

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Abstract:

Ce travail concerne l'étude d'un élément Hall de performances intéressantes, et réalisé en technologie couche mince. L'analyse bibliographique nous a conduit à privilégier l'antimoniure d'indium. L'ouvrage, après examen critique des techniques de fabrication de couches minces composées, présente la nouvelle méthode que nous avons développée ainsi que les procédés mis en oeuvre pour optimiser les caractéristiques structurelles des couches. Les résultats expérimentaux concernant l'analyse structurelle, les procédures de recuit et le comportement électrique en présence de champ magnétique des cou

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Salzenstein, Patrice. "Technologie des composants à hétérostructures pour les têtes de réception par satellite aux longueurs d'ondes millimétriques." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 1996. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00077055.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de composants non linéaires à hétérostructures d'une part, et de guides de propagation coplanaires sur membrane d'autre part.<br />Pour les dispositifs actifs, le composant développé est une hétérostructure à simple barrière qui présente des non-linéarités en capacité extrêmement marquées utilisables dans les multiplicateurs de fréquences. Par rapport aux dispositifs Schottky varactors conventionnels, les hétérostructures permettent de tirer parti de propriétés de symétrie et d'optimiser et d'optimiser au mieux l

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Amat, Cédric. "Technologie et caractérisation de VCSELs à détection intégrée pour applications aux communications optiques et à l'instrumentation." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00157963.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation d'un composant intégrant un laser à cavité verticale (VCSEL) et un détecteur. En détectant l'émission latérale, qui peut être corrélée à l'émission stimulée du VCSEL, il est possible d'asservir la puissance moyenne émise (monitoring). Afin de réaliser ces composants, plusieurs étapes technologiques de fabrication d'un VCSEL ont nécessité un développement et une optimisation spécifiques. Ainsi nous présentons les travaux réalisés dans le domaine de la gravure sèche assistée par plasma, de la métallisation, de l'ox

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Pirro, Luca. "Caractérisation et modélisation électrique de substrats SOI avancés." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT096/document.

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Abstract:

Les substrats Silicium-sur-Isolant (SOI) représentent la meilleure solution pour obtenir des dispositifs microélectroniques ayant de hautes performances. Des méthodes de caractérisation électrique sont nécessaires pour contrôler la qualité SOI avant la réalisation complète de transistors. La configuration classique utilisée pour les mesures du SOI est le pseudo-MOFSET. Dans cette thèse, nous nous concentrons sur l'amélioration des techniques autour du Ψ-MOFSET, pour la caractérisation des plaques SOI et III-V. Le protocole expérimental de mesures statiques ID-VG a été amélioré par l'utilisatio

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Desplats, Olivier. "Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires : réalisation de micro et nano structures sur GaAs." Toulouse 3, 2008. http://thesesups.ups-tlse.fr/299/.

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Abstract:

La structuration de surface et la reprise d'épitaxie sont des technologies clé pour le développement des (nano)dispositifs optoélectroniques avancés. Nos travaux de thèse ont visé la préparation de surfaces GaAs micro et nanostructurées pour l'épitaxie et l'étude de la croissance dirigée de boîtes quantiques InAs sur ces surfaces. La lithographie électronique a été retenue pour structurer la résine en surface et une attaque chimique pour le transfert du motif dans le semiconducteur. La décontamination de la surface par plasma micro-onde O2 : SF6 a été démontrée. Sa rugosité a été supprimée par

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Teng, Sin Yong. "Intelligent Energy-Savings and Process Improvement Strategies in Energy-Intensive Industries." Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství, 2020. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-433427.

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Abstract:

S tím, jak se neustále vyvíjejí nové technologie pro energeticky náročná průmyslová odvětví, stávající zařízení postupně zaostávají v efektivitě a produktivitě. Tvrdá konkurence na trhu a legislativa v oblasti životního prostředí nutí tato tradiční zařízení k ukončení provozu a k odstavení. Zlepšování procesu a projekty modernizace jsou zásadní v udržování provozních výkonů těchto zařízení. Současné přístupy pro zlepšování procesů jsou hlavně: integrace procesů, optimalizace procesů a intenzifikace procesů. Obecně se v těchto oblastech využívá matematické optimalizace, zkušeností řešitele a pr

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Chu, Rei-Lin, and 朱瑞霖. "Antimonide-based compound semiconductors for III-V CMOS technology." Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/63929518091134061196.

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Abstract:

博士<br>國立清華大學<br>材料科學工程學系<br>102<br>Antimonide-based compound semiconductors are emerging materials for the high-speed low-power electronics in complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) industry beyond 7-5 nm node technology, mid-infrared sensors/detectors in military/medical industry, and solar cells in green energy industry, due to their wide range of tunable band gaps and high carrier mobilities among the III-V compound semiconductors. However, despite the increasing demand in antimonide-based material system for realizing the high performance transistors operated at ultra-low driving v

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KUO, HENG, and 郭衡. "Development of III-V Epitaxial Lift-off Processes by Supercritical Fluids Technology." Thesis, 2016. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/30964994810584047707.

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Abstract:

碩士<br>國立高雄大學<br>電機工程學系碩士班<br>104<br>Considering the key of high cost for producing high efficiency III-V compound solar cell is mainly due to its expensive substrate. Therefore, developing of reproducible and stable Epitaxial Lift-Off (ELO) technology has been regarded as the key way for cost down issue. Which ELO process is based on selectively attacking a thin sacrificial AlAs layer from GaAs under aqueous hydrofluoric acid (HF) solution (selectivity: >106, as compared to GaAs). Looking into the bottleneck of traditional ELO technology by wet etching method, people found its later etch rate

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Hwang, Jung Min, and 黃忠民. "KEY TECHNOLOGY DEVELOPMENT FOR HIGH EFFICIENCY III-V BASED SOLID-STATE LIGHTING SOURCE." Thesis, 2005. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/19750220019717228324.

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Abstract:

博士<br>國立清華大學<br>電子工程研究所<br>93<br>There had various methods to generate the white light of SSL. Each method could be evaluated by cost, performance, and technology requirement. The research and challenge for industry or scientist was still in progress. The thesis was focus on the discussion of performance and technology requirement. The major technology now for III-nitride based LED fabricated including III-Nitride growth, doping, contact, etching and package was presented. How to make the high efficiency device was the research key point in this thesis. The solution was listed below in my rese

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Hau-YuLin and 林浩宇. "The Study of Substrate-Strained Silicon Technology and III-V Compound Semiconductor for Realizing High Performance Transistors." Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/29240663120737958427.

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Chang, Pen, та 張翔筆. "Interface engineering between high-κ dielectrics and III-V high mobility channel materials for passivation enabling the technology beyond Si CMOS". Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/26050156900427811103.

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Abstract:

博士<br>國立清華大學<br>材料科學工程學系<br>100<br>The High-κ/Metal-Gate plus III-V high mobility channel materials is regarded as a urgent issue for achieving high performance and low power dissipation complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology beyond 15 nm node. A combination of electrical, chemical, and structural characterization methods to evaluate the MOS interface passivation quality. The interface engineering of in-situ directly deposited not only rare-earth oxide (REOs) but also HfO2-based high-κ dielectrics on III-V surface exhibited the successful passivation, in terms of low interfa

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Wu, Yan-Dar, and 吳彥達. "The study of high k dielectrics and metal gates on Si and III-V semiconductor substrates for the advanced CMOS technology." Thesis, 2012. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/87326659377380981542.

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Abstract:

博士<br>國立清華大學<br>材料科學工程學系<br>101<br>Looking beyond the 15 nm node ICs, the consensus is that not only high-κ dielectrics but also appropriate channel material should replace the long-standing SiO2/Si system. The combination of high-κ dielectrics with channel of the III-Vs will have to be integrated onto Si. The themes of this work were divided into three parts: 1. Silicon wafer and MBE-grown HfO2 thin template were used as substrates for sputtering deposition. From TEM pictures, the interfacial layer thickness of HfO2 deposited on Si and MBE-grown thin HfO2 template is 19.3 Å and 9 Å. At

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Ok, Injo 1974. "A study on electrical and material characteristics of hafnium oxide with silicon interface passivation on III-V substrate for future scaled CMOS technology." Thesis, 2008. http://hdl.handle.net/2152/3974.

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Abstract:

The continuous improvement in the semiconductor industry has been successfully achieved by the reducing dimensions of CMOS (complementary metal oxide semiconductor) technology. For the last four decades, the scaling down of physical thickness of SiO₂ gate dielectrics has improved the speed of output drive current by shrinking of transistor area in front-end-process of integrated circuits. A higher number of transistors on chip resulting in faster speed and lower cost can be allowable by the scaling down and these fruitful achievements have been mainly made by the thinning thickness of one key

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Chen, Yi-Ren, and 陳奕任. "Growth of Silver-nanoparticle-distributed Zinc Oxide Thin Films to Improve The Efficiency of III-V(InGaP/GaAs/Ge) Solar Cells Using Spin-coating Technology." Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/92g2gz.

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Abstract:

碩士<br>國立虎尾科技大學<br>光電與材料科技研究所<br>102<br>ilver-nanoparticle-distributed Zinc Oxide (Ag/ZnO) thin films was prepared by spin-coating technology in this thesis. The solution composed of zinc acetate, sodium hydroxide and silver nitrate is used as the coating, which spins on the silicon and glass substrate uniformly. The Ag/ZnO films will form on the substrate after baking in furnace system. The effects of zinc acetate concentration, sodium hydroxide concentration, silver nitrate concentration were investigated in this thesis.The optimal concentration of zinc acetate and sodium hydroxide and silver

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Fastlund, Martina. "Arseniks löslighet i grundvattenakviferen i Hjältevad : Utvärdering med geokemisk modellering." Thesis, 2018. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-343032.

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Abstract:

Excessive concentrations of arsenic in soil- and groundwater constitute a global issue. The spread of arsenic is due to both natural and anthropogenic effects in the environment. Historically, the anthropogenic emissions have originated from several different industrial sectors e.g. wood impregnation. In Sweden, there are approximately 85 000 contaminated sites. Most of them are contaminated due to industrial activities. The emissions of arsenic in Sweden are mainly due to the wood impregnating agent CCA (copper, chromium and arsenic). Arsenic is a toxic metalloid that predominantly occurs as

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