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Academic literature on the topic 'Oxidação de carbeto de silício'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 11 February 2022

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Journal articles on the topic "Oxidação de carbeto de silício"

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Santos, C., K. Strecker, B. G. Simba, and M. J. Bondioli. "Resistência a oxidação de cerâmicas de carbeto de silício sinterizadas por fase líquida." Matéria (Rio de Janeiro) 13, no. 1 (2008): 171–79. http://dx.doi.org/10.1590/s1517-70762008000100021.

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Abstract:
Neste trabalho foram preparados materiais cerâmicos a base de carbeto de silício, sinterizados com a adição de AlN-Y2O3. Quatro composições foram obtidas, variando-se as quantidades e composições dos aditivos. Ensaios de oxidação foram realizados em temperaturas variadas (1200, 1300 e 1400ºC), fixando o tempo de exposição em 120 horas. Os resultados foram relacionados com a densificação e composição das amostras. A partir dos resultados do ganho de massa em função da área superficial, obtiveram-se os valores do coeficiente de crescimento parabólico da taxa de oxidação (k p). Dos resultados obt
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Florian, M., L. E. Carvalho, K. Iha, M. L. A. Graça, and C. A. A. Cairo. "Compósitos SiCf /SiC utilizados em sistemas de proteção térmica." Cerâmica 51, no. 319 (2005): 280–84. http://dx.doi.org/10.1590/s0366-69132005000300017.

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Abstract:
Compósitos de carbeto de silício (SiC) reforçado com fibras de carbeto de silício (SiCf) são materiais candidatos em potencial para utilização em sistemas de proteção térmica em altas temperaturas devido principalmente à boa condutividade térmica na direção da fibra e muito baixa condutividade térmica na direção transversal à fibra, alta dureza, estabilidade térmica e à corrosão por oxidação. O compósito SiCf/SiC possui uma matriz de SiC reforçada com fibras contínuas policristalinas de SiC e é obtido por reações de conversão em altas temperaturas e atmosfera controlada, utilizando o compósito
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Bondioli, M. J., C. Santos, and K. Strecker. "Estudo da oxidação de cerâmicas à base de carbeto de silício sinterizado via fase líquida utilizando nitreto de alumínio e óxido de ítrio como aditivos." Cerâmica 54, no. 330 (2008): 198–202. http://dx.doi.org/10.1590/s0366-69132008000200010.

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Abstract:
Materiais cerâmicos à base de carbeto de silício foram desenvolvidos através de sinterização via fase líquida usando AlN-Y2O3 como sistema de aditivos. Duas composições foram desenvolvidas utilizando pós de SiC e diferentes teores de AlN e Y2O3. Os pós foram misturados e homogeneizados, secados e subseqüentemente desaglomerados. As misturas do pó foram compactadas por prensagem uniaxial com subseqüente prensagem isostática a frio e os compactos foram sinterizados a 2080 ºC, por 1 h, em atmosfera 0,2 MPa de N2. As amostras sinterizadas foram caracterizadas por difração de raios X e pela sua den
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Godoy, A. L. E., J. C. Bressiani, and A. H. A. Bressiani. "Cerâmicas à base de SiC: Al2O3:Y2O3 com adição de polímeros precursores." Cerâmica 54, no. 329 (2008): 110–19. http://dx.doi.org/10.1590/s0366-69132008000100016.

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Abstract:
O carbeto de silício (SiC) é utilizado como material estrutural devido à boa combinação de propriedades, como altas resistências ao desgaste, ao choque térmico e à oxidação. Cerâmicas à base de SiC foram obtidas com aditivos poliméricos polimetilhidrogenossiloxano, polimetilhidrogenossiloxano com D4Vi e, como aditivos de sinterização, alumina (Al2O3, 4% em peso) e ítria (Y2O3, 4% em peso). Após obtenção das composições, foi feita cura, pirólise (500 ºC e 900 ºC/1 h) e sinterização dos materiais compactados (1850 ºC e 1950 ºC/1 h, sob Ar). A maior densidade obtida foi 3,0 g/cm³ para as amostras
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Oliveira, I. R. de, P. Sepulveda, and V. C. Pandolfelli. "Heterodefloculação no sistema Al2O3 - SiC." Cerâmica 44, no. 290 (1998): 238–43. http://dx.doi.org/10.1590/s0366-69131998000600006.

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Abstract:
Um estudo do comportamento reológico de suspensões aquosas de alumina e carbeto de silício foi desenvolvido, afim de se encontrar condições de processamento que otimizem a dispersão simultânea dessas matérias-primas. Os agentes dispersantes utilizados foram os polieletrólitos: sal de ácido polimetacrílico e polietilenoimina. Os pontos isoelétricos (pie) dos pós em suspensão aquosa e seus deslocamentos na presença dos defloculantes utilizados foram determinados. Obteve-se através de medidas de viscosidade e potencial zeta a concentração de defloculante que proporciona melhor dispersão de ambas
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Santos, M. A. P. dos, and C. A. Costa. "Moagem de pós de carbeto de silício em moinho planetário." Cerâmica 51, no. 320 (2005): 393–98. http://dx.doi.org/10.1590/s0366-69132005000400014.

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Abstract:
Pó de alfa carbeto de silício (alfa-SiC) foi cominuído em moinho planetário durante os períodos de tempo de ½, 2, 4 e 6 h. A velocidade de rotação foi de 300 rpm, o meio de moagem foi álcool isopropílico e os corpos moedores foram esferas de zircônia estabilizada com céria. Os pós cominuídos foram caracterizados quanto ao tamanho e distribuição de tamanho de partícula, a composição química, as fases cristalinas e a morfologia. Observou-se uma grande redução no tamanho de partículas, que passaram de micrométricas para submicrométricas e até nanométricas, alteração da distribuição das mesmas de
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Silva, M. V. da, D. Stainer, H. A. Al-Qureshi, and D. Hotza. "Blindagens cerâmicas para aplicações balísticas: uma revisão." Cerâmica 60, no. 355 (2014): 323–31. http://dx.doi.org/10.1590/s0366-69132014000300003.

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Abstract:
A combinação de propriedades físicas e mecânicas qualificam as cerâmicas para aplicações em sistemas de proteção balística. Materiais cerâmicos normalmente formam a primeira camada de um sistema de blindagem mista, recebendo o impacto inicial do projétil, e dissipando grande parte da energia cinética ao fragmentar o projétil. Os principais materiais cerâmicos para blindagem balística são a alumina, o carbeto de silício e o carbeto de boro. Novas técnicas de processamento de materiais cerâmicos além do modelamento do mecanismo de fratura sob alto impacto energético são áreas que têm sido amplam
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Zucuni, C. P., L. F. Guilardi, S. Fraga, L. G. May, G. K. R. Pereira, and L. F. Valandro. "Usinagem em CAD/CAM x Técnicas de Fabricação Pré-Sinterização." Journal of Health Sciences 19, no. 5 (2018): 38. http://dx.doi.org/10.17921/2447-8938.2017v19n5p38.

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Abstract:
Este estudo teve por objetivo avaliar e comparar o efeito de diferentes técnicas de fabricação de espécimes de cerâmica Y-TZP pré- sinterizada (usinagem em CAD/CAM Vs técnicas de fabricação in-lab) na rugosidade superficial, transformação de fase, topografia de superfície e comportamento mecânico. Para isso, discos pré-sinterizados de cerâmica Y-TZP (IPS e.max ZirCAD, Ivoclar Vivadent) foram confeccionados segundo as normas da ISO 6872-2008 para flexão biaxial de corpos cerâmicos (piston-on-three balls - 18 mm de diâmetro x 1.5 mm de espessura) através de diferentes técnicas: Machined- usinado
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Castro, Larissa Nogueira de, Eduardo Carlos Bianchi, Ricardo Bega de Andrade, Hamilton José de Mello, Paulo Roberto Aguiar, and Luiz Maurício Gonçalves Neto. "Análise de diferentes métodos de lubri-refrigeração no processo de retificação cilíndrica do aço ABNT 52100 com rebolo de carbeto de silício com liga resinoide." Matéria (Rio de Janeiro) 21, no. 3 (2016): 691–705. http://dx.doi.org/10.1590/s1517-707620160003.0066.

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Abstract:
RESUMO A retificação é um processo de usinagem por abrasão destinada a obtenção de peças com baixas tolerâncias dimensionais e de acabamento superficial. Neste processo é indispensável para garantir a qualidade superficial da peça, a lubri-refrigeração, proporcionada pela ação do fluido de corte. Entretanto, o uso de tal fluido gera elevado custo de descarte, risco para o meio ambiente e a saúde dos operadores. O objetivo deste trabalho é o estudo de métodos que minimizem tais desvantagens através da otimização da aplicação do fluido de corte (método otimizado) ou através da redução de consumo
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Vasconcelos, Jackelinne Lares, and Clóves Gonçalves Rodrigues. "TRANSPORTE DE CARGA ELÉTRICA NO SEMICONDUTOR 4H-SiC DOPADO TIPO p." Interfaces Científicas - Exatas e Tecnológicas 4, no. 1 (2020): 144–59. http://dx.doi.org/10.17564/2359-4942.2020v4n1p144-159.

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Abstract:
Neste trabalho foi realizado um estudo teórico sobre o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A pesquisa foi realizado utilizando-se uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado e da temperatura foi analisada. Foi obtido que a maior mobilidade ocorre quando a direção do campo elétrico aplicado é perpendicular ao eixo cristalográfico c do cristal semicondutor 4H-SiC, e esta sofre uma redução de apr
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Dissertations / Theses on the topic "Oxidação de carbeto de silício"

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Martin, Diego Rodrigues. "O uso de B4C como aditivo de sinterização de SiC-Si3N4 visando o aumento da resistência à oxidação." Universidade Federal de São Carlos, 2010. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/940.

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Abstract:
Made available in DSpace on 2016-06-02T19:12:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6543.pdf: 4737897 bytes, checksum: bbbcbfbe652f9e62291ea3c6b3e8f57a (MD5) Previous issue date: 2010-02-04<br>In order to fulfill modern market requirements based on increased search for SiC Si3N4 products with high performance and good cost/benefit ratio, there is a natural need for additives able to sinter as well as decrease the inherent oxidation tendency of this products. Refractories based on SiC Si3N4 present several important thermal and mechanical properties at high temperatures which lead them to be use
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Rodrigues, Cesar Augusto Frasson. "Estudo da influência da adição de compostos de boro na resistência à oxidação de refratários a base de carbeto de silício-liga de nitreto." Universidade Federal de São Carlos, 2004. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/801.

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Abstract:
Made available in DSpace on 2016-06-02T19:12:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissCAFR.pdf: 8245112 bytes, checksum: 4a6c62a64a540bbde3148391ebbe9b4a (MD5) Previous issue date: 2004-08-06<br>In this work, boron was added in a commercial silicon carbide bonded silicon nitride refractory and its influence has been evaluated. These materials have been used as high temperature structural ceramic due to their properties combination, as the hot modulus of rupture, abrasion resistance, excellent thermal conductivity, good thermal shock resistance and good corrosion resistance. To prepare the studied
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Palmieri, Rodrigo. "Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2009. http://hdl.handle.net/10183/18412.

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Abstract:
O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o SiO2. No entanto, as propriedades elétricas de estruturas de SiO2/SiC são degradadas pela alta concentração de estados eletricamente ativos na interface dielétrico/semicondutor. Tal característica representa uma barreira para a fabricação de dispositivos bas
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Pitthan, Filho Eduardo. "Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2017. http://hdl.handle.net/10183/156795.

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Abstract:
O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é possível crescer termicamente um filme de dióxido de silício (SiO2) sobre o SiC de maneira análoga ao silício. Porém, esses filmes apresentam maior densidade de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC que no caso do SiO2/Si, o que limita a qualidade dos dispositivos formados. Assim, compreender a origem da degradação elétrica e desenvolver métodos para passi
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Pitthan, Filho Eduardo. "Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2013. http://hdl.handle.net/10183/72590.

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Abstract:
O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme de dióxido de silício (SiO2) pode ser crescido termicamente sobre o SiC de maneira análoga a sobre silício, permitindo que a tecnologia já existente para a fabricação de dispositivos utilizando Si possa ser adaptada para o caso do SiC. No entanto, filmes crescidos termicamente sobre SiC apresentam maior densidade de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC
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Carvalho, Luiz Eduardo de. "Obtenção e caracterização do compósito de carbeto de silício com fibras ocas de carbeto de silício." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2009. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=3057.

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Abstract:
O compósito SiC/SiC formado por uma matriz de carbeto de silicio (SiC) reforçada com fibras de SiC, é um material de grande interesse para a área aeroespacial e para aplicações em altas temperaturas, por exibir excelente resistência ao choque térmico, baixo peso, boa resistência ao desgaste e ao impacto, alta dureza específica e relativa inércia química, que é mantida também em ambientes oxidantes. A resistência à oxidação e alta emissividade de calor colocam o compósito SiC/SiC como um material potencial para o uso como blindagem térmica de veículos de reentrada atmosférica. A condutividade t
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Corrêa, Silma Alberton. "Efeitos da interação de vapor d’água, de nitrogênio e de hidrogênio com estruturas dielétrico/SiC." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2013. http://hdl.handle.net/10183/78482.

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Abstract:
No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou depositadas por sputtering sobre lâminas de carbeto de silício. A caracterização foi realizada antes e após tratamentos térmicos nesses ambientes através de técnicas que utilizam feixes de íons. Em alguns casos, a caracterização elétrica também foi realizada. A investigação da incorporação e distribuição em profundidade de hidrogênio e oxigênio após tratamentos de SiO2/SiC e S
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Gozzi, Mauricio Fernando. "Polissilanos como precursores para carbeto de silicio." [s.n.], 1995. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/249785.

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Abstract:
Orientador: Inez Valeria Pagotto Yoshida<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica<br>Made available in DSpace on 2018-07-19T22:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gozzi_MauricioFernando_M.pdf: 2169831 bytes, checksum: 5dc8cb664bc1c946e61e9f4e78f8acac (MD5) Previous issue date: 1995<br>Mestrado
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Magalhães, Cristiana Schmidt de. "Fotoluminescência estacionária em carbeto de silício amorfo hidrogenado." [s.n.], 1994. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277703.

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Abstract:
Orientador: Fernando Alvarez<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghi<br>Made available in DSpace on 2018-07-19T06:19:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Magalhaes_CristianaSchmidtde_M.pdf: 1214946 bytes, checksum: b85ce5e191679971fdd96f49c6762007 (MD5) Previous issue date: 1994<br>Resumo: Neste trabalho, através da técnica de fotoluminescência estacionária (PL), extraímos informações sobre os mecanismos de recombinação radiativa e não-radiativa no a-Si:H e nas ligas a-SiC:H, depositadas por 'glow discharge' com alta diluição (HD) de hidrogê
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Regiani, Inacio. ""Películas Espessas de Carbeto de Silício, SiC, sobre Mulita"." Universidade de São Paulo, 2001. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-25042002-092742/.

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Abstract:
Filmes de carbeto de silício, SiC, cristalinos foram depositados sobre peças de mulita por meio da técnica de deposição química por vapor (CVD) a pressão atmosférica. As características da superfície do substrato determinam se o filme será denso ou poroso, enquanto a temperatura define a cristalinidade e a taxa de nucleação para formação do filme. Durante os procedimentos de preparação do substrato de mulita para a deposição do filme, observou-se o fenômeno da formação de whiskers de mulita quando adicionados 3%mol de terras raras a peça. O fenômeno de crescimento destes whiskers foi sistemati
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Conference papers on the topic "Oxidação de carbeto de silício"

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viana, damaris, and Ernane Rodrigues da Silva. "NITRETAÇÃO POR DESCARGAS ELÉTRICAS DO AÇO AISI H13 COM ADIÇÃO DE CARBETO DE SILÍCIO EM PÓ AO FLUIDO DIELÉTRICO." In COBEF 2019. ABCM, 2019. http://dx.doi.org/10.26678/abcm.cobef2019.cof2019-0416.

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Camargo Melo, Heitor, and Leandro José da Silva. "MATERIAL COMPÓSITO DE MATRIZ CIMENTÍCIA REFORÇADO COM PARTÍCULAS DE CARBETO DE SILÍCIO PARA APLICAÇÃO COMO RESTRITOR POROSO EM MANCAIS AEROSTÁTICOS." In IX CONGRESSO DE ENGENHARIAS DA UNIVERSIDADE FEDERAL DE SãO JOãO DEL-REI. Galoa, 2019. http://dx.doi.org/10.17648/coen-2019-115403.

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Lara de Carvalho, Alisson, Júlia Assunção de Castro Oliveira, Cecília Sosa Arias Peixoto, and Jorge Nei Brito. "ANÁLISE DO MERCADO BRASILEIRO DE PROTEÇÃO BALÍSTICA E A VIABILIDADE DA APLICAÇÃO DO CARBETO DE SILÍCIO EM PROTEÇÕES DO TIPO MISTA." In XIX CONGRESSO NACIONAL DE ENGENHARIA MECâNICA E INDUSTRIAL. Galoa, 2019. http://dx.doi.org/10.17648/conemi-2019-108676.

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Beatriz Aparecida Pinto and Paulo Cezar Tulio. "COMPÓSITOS DE MATRIZ METÁLICA CuNi COM PARTÍCULAS CERÂMICAS DURAS DE CARBETO DE SILÍCIO (SiC) OBTIDOS POR ELETRODEPOSIÇÃO. OBTENÇÃO E AVALIAÇÃO DA MICRODUREZA." In XX Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR. Universidade Tecnológica Federal do Paraná - UTFPR, 2015. http://dx.doi.org/10.20906/cps/sicite2015-0758.

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Ana Paula Rocha de Almeida and Paulo Cezar Tulio. "Compósitos de matriz metálica CuZn com partículas cerâmicas duras de Carbeto de Silício (SiC) obtidos por eletrodeposição. Obtenção e caracterização de propriedades mecânicas." In XX Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR. Universidade Tecnológica Federal do Paraná - UTFPR, 2015. http://dx.doi.org/10.20906/cps/sicite2015-0824.

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