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Dissertations / Theses on the topic 'Oxidação de carbeto de silício'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 11 February 2022

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1

Martin, Diego Rodrigues. "O uso de B4C como aditivo de sinterização de SiC-Si3N4 visando o aumento da resistência à oxidação." Universidade Federal de São Carlos, 2010. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/940.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:12:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6543.pdf: 4737897 bytes, checksum: bbbcbfbe652f9e62291ea3c6b3e8f57a (MD5) Previous issue date: 2010-02-04<br>In order to fulfill modern market requirements based on increased search for SiC Si3N4 products with high performance and good cost/benefit ratio, there is a natural need for additives able to sinter as well as decrease the inherent oxidation tendency of this products. Refractories based on SiC Si3N4 present several important thermal and mechanical properties at high temperatures which lead them to be use

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Rodrigues, Cesar Augusto Frasson. "Estudo da influência da adição de compostos de boro na resistência à oxidação de refratários a base de carbeto de silício-liga de nitreto." Universidade Federal de São Carlos, 2004. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/801.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:12:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissCAFR.pdf: 8245112 bytes, checksum: 4a6c62a64a540bbde3148391ebbe9b4a (MD5) Previous issue date: 2004-08-06<br>In this work, boron was added in a commercial silicon carbide bonded silicon nitride refractory and its influence has been evaluated. These materials have been used as high temperature structural ceramic due to their properties combination, as the hot modulus of rupture, abrasion resistance, excellent thermal conductivity, good thermal shock resistance and good corrosion resistance. To prepare the studied

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3

Palmieri, Rodrigo. "Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2009. http://hdl.handle.net/10183/18412.

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Abstract:

O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o SiO2. No entanto, as propriedades elétricas de estruturas de SiO2/SiC são degradadas pela alta concentração de estados eletricamente ativos na interface dielétrico/semicondutor. Tal característica representa uma barreira para a fabricação de dispositivos bas

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4

Pitthan, Filho Eduardo. "Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2017. http://hdl.handle.net/10183/156795.

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Abstract:

O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é possível crescer termicamente um filme de dióxido de silício (SiO2) sobre o SiC de maneira análoga ao silício. Porém, esses filmes apresentam maior densidade de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC que no caso do SiO2/Si, o que limita a qualidade dos dispositivos formados. Assim, compreender a origem da degradação elétrica e desenvolver métodos para passi

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5

Pitthan, Filho Eduardo. "Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2013. http://hdl.handle.net/10183/72590.

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Abstract:

O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme de dióxido de silício (SiO2) pode ser crescido termicamente sobre o SiC de maneira análoga a sobre silício, permitindo que a tecnologia já existente para a fabricação de dispositivos utilizando Si possa ser adaptada para o caso do SiC. No entanto, filmes crescidos termicamente sobre SiC apresentam maior densidade de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC

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6

Carvalho, Luiz Eduardo de. "Obtenção e caracterização do compósito de carbeto de silício com fibras ocas de carbeto de silício." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2009. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=3057.

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Abstract:

O compósito SiC/SiC formado por uma matriz de carbeto de silicio (SiC) reforçada com fibras de SiC, é um material de grande interesse para a área aeroespacial e para aplicações em altas temperaturas, por exibir excelente resistência ao choque térmico, baixo peso, boa resistência ao desgaste e ao impacto, alta dureza específica e relativa inércia química, que é mantida também em ambientes oxidantes. A resistência à oxidação e alta emissividade de calor colocam o compósito SiC/SiC como um material potencial para o uso como blindagem térmica de veículos de reentrada atmosférica. A condutividade t

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7

Corrêa, Silma Alberton. "Efeitos da interação de vapor d’água, de nitrogênio e de hidrogênio com estruturas dielétrico/SiC." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2013. http://hdl.handle.net/10183/78482.

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Abstract:

No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou depositadas por sputtering sobre lâminas de carbeto de silício. A caracterização foi realizada antes e após tratamentos térmicos nesses ambientes através de técnicas que utilizam feixes de íons. Em alguns casos, a caracterização elétrica também foi realizada. A investigação da incorporação e distribuição em profundidade de hidrogênio e oxigênio após tratamentos de SiO2/SiC e S

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8

Gozzi, Mauricio Fernando. "Polissilanos como precursores para carbeto de silicio." [s.n.], 1995. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/249785.

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Abstract:

Orientador: Inez Valeria Pagotto Yoshida<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica<br>Made available in DSpace on 2018-07-19T22:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gozzi_MauricioFernando_M.pdf: 2169831 bytes, checksum: 5dc8cb664bc1c946e61e9f4e78f8acac (MD5) Previous issue date: 1995<br>Mestrado

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9

Magalhães, Cristiana Schmidt de. "Fotoluminescência estacionária em carbeto de silício amorfo hidrogenado." [s.n.], 1994. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277703.

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Abstract:

Orientador: Fernando Alvarez<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghi<br>Made available in DSpace on 2018-07-19T06:19:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Magalhaes_CristianaSchmidtde_M.pdf: 1214946 bytes, checksum: b85ce5e191679971fdd96f49c6762007 (MD5) Previous issue date: 1994<br>Resumo: Neste trabalho, através da técnica de fotoluminescência estacionária (PL), extraímos informações sobre os mecanismos de recombinação radiativa e não-radiativa no a-Si:H e nas ligas a-SiC:H, depositadas por 'glow discharge' com alta diluição (HD) de hidrogê

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Regiani, Inacio. ""Películas Espessas de Carbeto de Silício, SiC, sobre Mulita"." Universidade de São Paulo, 2001. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-25042002-092742/.

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Abstract:

Filmes de carbeto de silício, SiC, cristalinos foram depositados sobre peças de mulita por meio da técnica de deposição química por vapor (CVD) a pressão atmosférica. As características da superfície do substrato determinam se o filme será denso ou poroso, enquanto a temperatura define a cristalinidade e a taxa de nucleação para formação do filme. Durante os procedimentos de preparação do substrato de mulita para a deposição do filme, observou-se o fenômeno da formação de whiskers de mulita quando adicionados 3%mol de terras raras a peça. O fenômeno de crescimento destes whiskers foi sistemati

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Salgado, Elizabeth Godoy Cezar. "Síntese de carbeto de silício via reações gás/sólido." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2010. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=3316.

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Abstract:

O pó de carbeto de silício-beta (SiC-?) de alta pureza e reatividade é um material de grande interesse para aplicações em engenharia, na compactação de peças a serem destinadas a operação em meios agressivos tais como: altas temperaturas, meios corrosivos e de elevado desgaste, principalmente nas áreas aeroespacial, nuclear e eletro/eletrônica. A qualidade destas peças está diretamente associada às características do pó utilizado. O SiC produzido no Brasil tem características que atendem a indústria de abrasivos, mas para as aplicações em engenharia é necessário a aquisição no comércio exterio

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12

Silva, Douglas Soares da 1984. "Camadas antirrefletoras de carbono amorfo e carbeto de silício para células solares de silício cristalino." [s.n.], 2009. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277773.

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Abstract:

Orientador: Francisco das Chagas Marques<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin<br>Made available in DSpace on 2018-08-12T20:56:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_DouglasSoaresda_M.pdf: 1607458 bytes, checksum: 64efea4eea6490352c0cec9182778a67 (MD5) Previous issue date: 2009<br>Resumo: Nesta tese estamos propondo o uso de carbono amorfo como um possível candidato para uso como camada antirrefletora em células solares de silício cristalino. O carbono amorfo pode ser preparado com alta banda proibida e tem propriedades importantes co

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Azevedo, Nágilla Huerb de. "Incorporação de nanobastões de carbeto de silício em matrizes cimentícias." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 2015. https://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/156884.

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Abstract:

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Civil, Florianópolis, 2015.<br>Made available in DSpace on 2015-12-08T03:10:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 336282.pdf: 2177110 bytes, checksum: c6abf1d9c59b495cbef472ef1d560ca4 (MD5) Previous issue date: 2015<br>Desde a sua descoberta, os nanomateriais vêm despertando interesse no desenvolvimento tecnológico de várias áreas. As características peculiares do nanobastões de SiC os tornam materiais promissores para reforço de matrizes. A utilização dos nanobastões de SiC

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Prado, Rogério Junqueira. "Propriedades químicas e morfológicas de filmes hidrogenados de carbeto de silício amorfo." Universidade de São Paulo, 1997. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-07032002-142147/.

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Abstract:

Nesta dissertação discorremos acerca do crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H), crescidos pelo método de deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD) no regime de baixa densidade de potência a partir de misturas de silano e metano. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades ópticas, morfológicas e composicionais de filmes depositados em diferentes condições de fluxo de silano e concentração de metano. Os resultados não apenas confirmaram dados anteriores obtidos em filmes de a-Si1-xCx:H similares, mas possibilitara

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Mello, Roberta Monteiro de. "Resistência ao choque térmico de carbeto de silício sinterizado via fase líquida." Universidade de São Paulo, 2016. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-23022016-104221/.

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Abstract:

O comportamento dos materiais cerâmicos quanto à resistência ao choque térmico é um tema de grande interesse, devido às aplicações em que a confiabilidade frente a variações bruscas de temperatura é necessária. Neste trabalho foi estudado como a variação na proporção dos aditivos Y2O3:Al2O3 e diferentes parâmetros no processamento do carbeto de silício sinterizado via fase líquida como, tipo e temperatura de sinterização, podem influenciar na resistência ao choque térmico deste material. As misturas foram preparadas com 90%SiC+10%Y2O3:Al2O3 em mol, variando as proporções molares dos óxidos ent

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Santana, Jerusa Góes Aragão [UNESP]. "Desenvolvimento de cerâmicas multicamadas de carbeto de silício destinadas a aplicações térmicas." Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2010. http://hdl.handle.net/11449/103760.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:32:51Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2010-04-28Bitstream added on 2014-06-13T19:22:34Z : No. of bitstreams: 1 santana_jga_dr_guara.pdf: 3216476 bytes, checksum: e873d90ab626be457200e6023fa5308c (MD5)<br>Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)<br>Companhia Siderurgica de Tubarao<br>Cerâmicas multicamadas de carbeto de silício foram obtidas por conformação por consolidação ou prensagem e utilizando diferentes técnicas de adesão das camadas. Produzidas com duas ou três camadas e apresentando gradientes de p

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MELLO, ROBERTA M. de. "Resistência ao choque térmico de carbeto de silício sinterizado via fase líquida." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2016. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/26375.

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Abstract:

Submitted by Claudinei Pracidelli (cpracide@ipen.br) on 2016-06-22T11:45:07Z No. of bitstreams: 0<br>Made available in DSpace on 2016-06-22T11:45:07Z (GMT). No. of bitstreams: 0<br>Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)<br>IPEN/T<br>Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

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Santana, Jerusa Góes Aragão. "Desenvolvimento de cerâmicas multicamadas de carbeto de silício destinadas a aplicações térmicas /." Guaratinguetá : [s.n.], 2010. http://hdl.handle.net/11449/103760.

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Abstract:

Resumo: Cerâmicas multicamadas de carbeto de silício foram obtidas por conformação por consolidação ou prensagem e utilizando diferentes técnicas de adesão das camadas. Produzidas com duas ou três camadas e apresentando gradientes de porosidades, a sistemática para obtenção destas cerâmicas teve início com o estudo individual das amostras. Para atender a níveis de porosidades previamente estabelecidos (15, 30 e 50%), foram conformadas amostras com diferentes composições e percentuais de sólidos. Na prensagem uniaxial utilizou-se um aditivo de sinterização (YAG) para controle do nível de porosi

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Pinto, Diego Kops. "Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM." Universidade de São Paulo, 2007. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-154136/.

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Abstract:

A oxidação anódica local utilizando o Microscópio de Força Atômica (AFM - Atomic Force Microscopy) foi investigada aplicando-se uma tensão negativa entre sonda de nitreto de silício e superfícies de Si. Todas as amostras foram limpas em uma solução de 1 NH4OH (30%): 1H2O2 (38%): 4H2O(DI) a 80ºC conhecida na literatura como SC1 (Standard Cleaning 1) ou, alternativamente, uma imersão em solução diluída de ácido hidrofluorídrico seguido de SC1 ou fervura em álcool isopropílico. As nano-oxidações consistiram de padrões quadrados localizados de óxido com área de 0,25 µm² e foram obtidos através do

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Assafrão, Alberto da Costa. "Determinação de parâmetros térmicos do carbeto de silício via espectroscopia de lente térmica." Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF), 2008. https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/4937.

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Abstract:

Submitted by Renata Lopes (renatasil82@gmail.com) on 2017-06-09T17:55:37Z No. of bitstreams: 1 albertodacostaassafrao.pdf: 4495135 bytes, checksum: 5ab4aaeb0158a82b55c78625e09b36ac (MD5)<br>Approved for entry into archive by Adriana Oliveira (adriana.oliveira@ufjf.edu.br) on 2017-06-29T12:07:56Z (GMT) No. of bitstreams: 1 albertodacostaassafrao.pdf: 4495135 bytes, checksum: 5ab4aaeb0158a82b55c78625e09b36ac (MD5)<br>Made available in DSpace on 2017-06-29T12:07:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 albertodacostaassafrao.pdf: 4495135 bytes, checksum: 5ab4aaeb0158a82b55c78625e09b36ac (MD5) Previous i

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Leal, Gabriela. "Estudo de filmes finos de carbeto de silício para aplicação em sensores piezoresistivos." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2013. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2260.

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Abstract:

Neste trabalho filmes finos de SiC amorfo foram depositados sobre substratos de silício pela técnica de magnetron sputtering com intuito de verificar a influência de fontes de potência DC e HiPIMS na qualidade dos filmes depositados. Também foi realizada a deposição de filmes de SiC sobre silício pela técnica de dual magnetron sputtering, os quais foram dopados por implantação iônica com nitrogênio, fósforo e boro, e em seguida recozidos termicamente. O comportamento das características morfologicas, estruturais, químicas e elétricas dos filmes foi observado pelas técnicas de microscopia eletr

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Morais, Túlio Lissandro Melo de. "Inteligência competitiva a tecnologias do carbeto de silício para o setor de abrasivos." Universidade Federal de São Carlos, 2005. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/945.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:12:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissTLMM.pdf: 2906921 bytes, checksum: 65a1498b52fe72cb783e53d8e3682bbc (MD5) Previous issue date: 2005-03-04<br>Because the fact we don t have studies about Silicon Carbide ( SiC ) to abrasives in Brasil, this study sought to accomplish the SiC technological search in abrasives using Competitive Intelligence. The necessity to know the SiC application trends and threat in bonded abrasives in Brasil It was the decision detanier necessity showed by focal company. In addition, it was objective from focal company to k

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Portella, Filho Luiz Ferreira. "Reação-difusão com difusividade variável para oxidação de silício." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2001. http://hdl.handle.net/10183/1939.

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Abstract:

Neste trabalho, propomos uma modificação do modelo de reação-difusão (R. M. C. de Almeida et al., Physics Review B, 61, 19 (2000)) incluindo difusividade variável com o objetivo principal de predizer, ou no mínimo descrever melhor, o crescimento de oxido de Si no regime de filmes nos. Estudamos o modelo reação-difusão a coeficiente de difusão, D, fixo e D variável. Estudamos extensivamente o modelo reação-difusão com D fixo caracterizando seu comportamento geral, e resolvendo numericamente o modelo com D variável para um intervalo amplo de relações DSiO2=DSi. Ambos casos apresentam comportamen

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Santos, Marcos Valentim Ribeiro dos. "Acabamento superficial em carbeto de silício para aplicação em componentes ópticos de uso aeroespacial." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2013. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2757.

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Abstract:

O carbeto de silício (SiC) pode ser destacado como um ótimo candidato a substrato para espelhos, devido às suas propriedades térmicas e mecânicas superiores quando comparado aos materiais ópticos convencionais. A tecnologia de materiais refratários como a do SiC, disponível hoje no país, está voltada estritamente para a produção de fornos, material para corte e material para acabamento. O presente trabalho é um estudo sobre a viabilidade do desenvolvimento de acabamento superficial em componentes cerâmicos de SiC, utilizando técnicas de manufatura aplicadas aos materiais ópticos convencionai

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Müller, Cristiano Cabral. "Determinação de boro em amostras de carbeto de silício utilizando piroidrólise e ICP OES." Universidade Federal de Santa Maria, 2012. http://repositorio.ufsm.br/handle/1/10526.

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Abstract:

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior<br>In this work a procedure for boron determination in samples of silicon carbide by pyrohydrolysis and detection by inductively coupled plasma optical emission spectrometry was developed. The silicon carbide samples were also decomposed by microwave assisted wet digestion in closed vessels and alkaline fusion. However, complete digestion was not observed under the conditions used for wet digestion and for fusion. Regarding the proposed pyrohydrolysis procedure important variables were initially investigated such as: oven temperature,

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Rajab, Samir Munir. "Efeitos do recozimento térmico nas propriedades fisícas e elétricas do filme de carbeto de silício." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2005. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=208.

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Abstract:

Este trabalho descreve o estudo de filmes de carbeto de silício (SiC) depositados sobre substratos de silício e carbono vítreo por meio de sputtering de um alvo de SiC com pureza de 99,5%, localizado sobre o catodo magnetron de uma descarga de rádio-freqüência do gás argônio. As deposições foram realizadas variando-se a potência entre 100W e 500W, temperatura de substrato entre 100C e 500C e o tempo de deposição entre 15min e 60min. Durante as deposições a pressão de trabalho e a vazão argônio foram mantidas constantes em 3x10-3 Torr e 45 sccm, respectivamente. Os filmes depositados foram ana

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Soares, Gabriel Vieira. "Propriedades físico-químicas e características elétricas de estruturas dielétrico/SiC." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2008. http://hdl.handle.net/10183/13662.

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Abstract:

Na presente Tese, foi investigado o efeito de tratamentos térmicos reativos nas propriedades físico-químicas e, em alguns casos, nas propriedades elétricas de filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre carbeto de silício. Foram abordados os principais processos que visam melhorar as propriedades elétricas da interface SiO2/SiC: reoxidação em O2 e H2O (vapor d’água) e tratamentos térmicos em H2 e NO. Na etapa em que foi investigado o efeito da temperatura de reoxidação em estruturas SiO2/SiC, foram utilizadas técnicas de microscopia de força atômica e análise por reação nuclear, que nos permit

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Rosso, Eduardo Fuzer. "Estudo de primeiros princípios da estabilidade e funcionalização da superfície e nanofitas de carbeto de silício." Universidade Federal de Santa Maria, 2014. http://repositorio.ufsm.br/handle/1/3926.

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Abstract:

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior<br>We use first principles calculations based upon the density functional theory to investigate the stability, geometry, electronic and magnetic properties of cibic silicon carbide (SiC) surfaces aligned along the (001) direction (β−SiC(001)) and nanoribbons (SiCNRs). The β−SiC(001) can be terminated in C or Si. For both terminations a great number of possible reconstruction are studied. To study the stability of the β−SiC(001) surface the formation energy is calculated, which shows that the two terminations (C or Si) have similar sta

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Tatsch, Peter Jürgen 1949. "Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar." [s.n.], 1988. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260389.

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Abstract:

Orientador : Edmundo da Silva Braga<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica<br>Made available in DSpace on 2018-07-16T17:45:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_D.pdf: 5603453 bytes, checksum: 40261195b8c66f7bce35d36b326f4359 (MD5) Previous issue date: 1988<br>Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma, em reator planar, como prcesso de baixa temperatura para a fabricação de circuitos integrados. No capítulo inicial coloca-se o contexto do trabalho assim como a sua proposiçao

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Oliveira, Erlania Lima de. "Propriedades Eletrônicas de Dispositivos MOS Baseados em SiC." reponame:Repositório Institucional da UFC, 2005. http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/11943.

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Abstract:

OLIVEIRA, Erlania Lima de. Propriedades Eletrônicas de Dispositivos MOS Baseados em SiC. 2005. 95 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2005.<br>Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-07T17:23:34Z No. of bitstreams: 1 2005_dis_eloliveira.pdf: 1943111 bytes, checksum: 4c7f59af1ab6ffe6fa88b03b1c341459 (MD5)<br>Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-07T17:24:15Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2005_dis_eloliv

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Bittencourt, Evandro. "Elaboração e caracterização de um cerâmico de alumina pura e de compósitos de alumina/carbeto de Silício." Universidade do Estado de Santa Catarina, 1997. http://tede.udesc.br/handle/handle/1797.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2016-12-08T17:19:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Evandro Bittencourt - Resumo.pdf: 66194 bytes, checksum: 5fcb96b474c22c7b95869e391ce30e24 (MD5) Previous issue date: 1997-02-09<br>Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior<br>Um estudo bibliográfico preliminar permitiu estabelecer um estado de conhecimento sobre as técnicas de elaboração e de reforçamento de materiais cerâmicos. Foram elaborados via técnicas barbotina um cerâmico de alumina, compósito alumina/SiCm e nanocompósito alumina/SiCn, com 5% EM VOLUME DE SiC. Os pós-obtidos da mistura mec

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Duda, Norberto Toazza. "Ensaio clínico randomizado comparando implante de próteses intracoronárias com e sem revestimento de carbeto de silício amorfo." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2001. http://hdl.handle.net/10183/16857.

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Santos, Carlos Augusto Xavier. ""Estudo do compósito 3Y-TZP/Sl2N2O obtido por sinterização sem pressão"." Universidade de São Paulo, 2006. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-04062007-152214/.

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Abstract:

Zircônia 3YTZP apresenta propriedades excelentes à temperatura ambiente, mas estas propriedades são afetadas pelo aumento da temperatura pois esta age negativamente sobre o mecanismo de transformação de fase induzida por tensão, que fortalece a tenacidade da matriz. A adição de Si3N4 e SiC em uma matriz de 3YTZP é muito interessante porque conduz à formação de oxinitreto de silício, melhorando as propriedades mecânicas tais como dureza e tenacidade, mas esta adição está limitada por várias dificuldades que se apresentam durante o processamento e sinterização destes materiais. Neste trabalho fo

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Corrêa, Silma Alberton. "Propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e da camada interfacial formada." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2009. http://hdl.handle.net/10183/17486.

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Abstract:

Nesta Dissertação, foram investigadas propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e das camadas interfaciais formadas. Utilizando análises por reação nuclear, verificou-se que a presença de uma camada interfacial de oxicarbetos de silício, gerados durante a oxidação térmica do SiC, e não removidos através de ataque químico por via úmida, reduz a taxa de crescimento térmico de óxido sobre esse substrato. O efeito da utilização de atmosfera contendo nitrogênio nas características do dielétrico e na espessura da camada interfacial formada foi investigado por análises com feixes de í

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Oliveira, Alessandro Ricardo de. "Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD." Universidade de São Paulo, 2006. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/.

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Abstract:

Neste trabalho é estudada a viabilidade de produção de dispositivos eletrônicos baseados em filmes semicondutores de carbeto de silício estequiométrico (a-Si0,5C0,5:H) obtidos por deposição química por vapor assistida por plasma, PECVD. A proposta do projeto envolve a realização de uma série de trabalhos que permitam avaliar as potencialidades do a-SiC:H para a fabricação de dispositivos semicondutores simples. Deste modo, desenvolvemos as principais etapas para a construção de dispositivos, as quais envolveram a dopagem elétrica por diferentes técnicas com a utilização de diferentes elementos

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Taborda, Barraza Madeleing. "Desempenho mecânico de um compósito de matriz geopolimérica à base de metacaulim e nanobastões de carbeto de silício." reponame:Repositório Institucional da UFSC, 2016. https://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/173265.

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Abstract:

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Civil, Florianópolis, 2016.<br>Made available in DSpace on 2017-02-14T03:06:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 343674.pdf: 3762813 bytes, checksum: 68e4899b4df7871f71a8da0250675bd1 (MD5) Previous issue date: 2016<br>Com a intenção de desenvolver materiais alternativos para a engenharia foi elaborado um compósito geopolimérico à base de metacaulim e nanobastões de carbeto de silício. Com uma dosagem de base, foi analisada a resposta mecânica do compósito com adição de dife

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Freitas, Nilton de. "INFLUÊNCIA DA CONCENTRAÇÃO DE CAULIM CAMPO ALEGRE NAS PROPRIEDADES FÍSICAS E MECÂNICAS DE COMPÓSITOS DE CARBETO DE SILÍCIO/ALUMÍNIO." UNIVERSIDADE ESTADUAL DE PONTA GROSSA, 2007. http://tede2.uepg.br/jspui/handle/prefix/1384.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2017-07-21T20:42:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NILTONFREITAS.pdf: 2083861 bytes, checksum: d52afed9d0d17f4cfa134ceb52505edb (MD5) Previous issue date: 2007-11-23<br>Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior<br>The process of ceramics infiltration for casting metal is one sufficiently promising technique for manufacture of composites. Also known for squeezecasting, it allows the infiltration of high porous ceramic preforms or particulate systems of the most diverse natures, with the main objective of obtaining special properties such as low dens

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Gonçalves, Erika Peterson. "Estudo das reações interfaciais na obtenção de compósitos de matriz de titânio reforçados com fibras de carbeto de silício." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2012. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2188.

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Abstract:

O grande desafio para a produção de compósitos de titânio reforçados por fibras de carbeto de silício é a elevada reatividade do metal da matriz com a fase reforço.Essa interação é baseada em processos difusivos, que são ativados a temperaturas de processamento convencional das ligas de titânio. A fim de solucionar esta questão, sugeriu-se que os compósitos fossem obtidos pela aplicação das técnicas de metalurgia do pó, que possibilitam a densificação do metal sem que este alcance a temperatura de fusão. Porém, mesmo nestas condições observou-se a formação de compostos frágeis, tais como Ti5Si

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Marins, Eleasar Martins [UNESP]. "Otimização e caracterização microestrutural de cerâmicas de carbeto de silício obtidas com material nacional para uso em blindagem balística." Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2008. http://hdl.handle.net/11449/103735.

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Made available in DSpace on 2014-06-11T19:32:50Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2008-10-10Bitstream added on 2014-06-13T19:03:29Z : No. of bitstreams: 1 marins_em_dr_guara_prot.pdf: 7283473 bytes, checksum: 080948824f946973e97d101c513ae685 (MD5)<br>Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)<br>Armas de fogo têm sido usadas em periódo dificeis da história, nos quais conflitos entre países têm ocorrido, ou no cotidiano cada vez amis violento das grandes cidades. Neste sentido, a blindagem de veículos, aeronaves e de pessoas é uma necessidade cada vez

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Marins, Eleasar Martins. "Otimização e caracterização microestrutural de cerâmicas de carbeto de silício obtidas com material nacional para uso em blindagem balística /." Guaratinguetá : [s.n.], 2008. http://hdl.handle.net/11449/103735.

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Abstract:

Resumo: Armas de fogo têm sido usadas em periódo dificeis da história, nos quais conflitos entre países têm ocorrido, ou no cotidiano cada vez amis violento das grandes cidades. Neste sentido, a blindagem de veículos, aeronaves e de pessoas é uma necessidade cada vez maior. Das cerâmicas utilizadas para esse fim, o carbeto de silício tem um excelente desempenho devido à alta dureza e baixa densidade. O objetivo desse trabalho é otimizar a manufatura de cerâmicas de carbeto de silício feitas de matéria prima nacional, caracterizá-las tanto quanto comparar suas características com aquelas de mat

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Rosa, Aline Tais da. "Investigação da interface entre filmes dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial uso em microeletrônica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2012. http://hdl.handle.net/10183/49746.

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Abstract:

Na presente Dissertação, foram caracterizadas as estruturas dos filmes dielétricos (dióxido de silício) crescidos termicamente sobre carbeto de silício monocristalino (c-SiC) e as interfaces formadas. Através de análises por Espectroscopia de Fotoelétrons Induzidos por Raios X, foi verificada a presença de uma camada interfacial de oxicarbeto de silício, gerado durante a oxidação térmica do c-SiC. Com técnicas de análise com feixe de íons (Análise por Reação Nuclear e Espectroscopia de Retroespalhamento Rutherford em geometria canalizada) foi possível determinar a espessura do filme dielétrico

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Machado, Glauson Aparecido Ferreira. "Recobrimentos à base de mulita em refratário de carbeto de silício obtidos a partir de PMSQ [POLI (METILSILSESQUIOXANO)] e alumínio." Universidade de São Paulo, 2017. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-05062017-145946/.

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Abstract:

O carbeto de silício (SiC) é um material que apresenta baixa expansão térmica, altas resistências mecânica e ao choque térmico e alta condutividade térmica. Em razão disto é empregado na confecção de mobília de fornos de sinterização. O SiC no entanto sofre degradação a altas temperaturas quando submetido a atmosferas agressivas. A utilização de recobrimentos protetores evita a exposição direta da superfície do material à atmosfera dos fornos; a mulita pode ser um recobrimento protetor apropriado em razão de sua alta estabilidade em temperaturas elevadas e seu coeficiente de expansão térmica c

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Gonçalves, Erika Peterson. "Obtenção do compósito SICF/Ti por infiltração da pré-forma de carbeto de silício com titânio via suspensão de TiH2." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2007. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=771.

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Abstract:

O desenvolvimento de compósitos SiCF/Ti é de interesse para a indústria aeroespacial por ser um material leve, com elevada resistência mecânica e à oxidação. A obtenção desse material é conseguida, de uma maneira inovadora, pela infiltração da matriz de titânio em uma pré-forma de carbeto de silício biorientada. A elevada reatividade do titânio com as fibras de carbeto de silício torna necessária a proteção das fibras de carbeto de silício obtida por meio de recobrimento com carbeto de titânio. O carbeto de titânio diminui a taxa de reação interfacial fibra/matriz, inibindo o processo de difus

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Pereira, Gualter Silva. "Manufatura e caracterização de compósito de matriz de alumínio reforçado com partículas de carbeto de silício, obtido por laminação acumulativa." Universidade de São Paulo, 2016. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-162606/.

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Abstract:

O presente trabalho teve como objetivo a caracterização mecânica, microestrutural e inspeção fratográfica do compósito de matriz de alumínio Al-1100 reforçado com partículas de carbeto de silício-SiC (40 μm) fabricados por meio de laminação acumulativa (ARB- do inglês Accumulative Roll Bonding), assim como, para efeito comparativo, foram estudados o Al-1100 processado por ARB sem adição de partículas e Al-1100 como recebido. Ensaio de desgaste microadesivo com esfera fixa e ensaio de tração unidirecional quase estático que foram realizados em amostras sem entalhes e em amostras contendo d

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MACHADO, GLAUSON A. F. "Recobrimentos à base de mulita em refratário de carbeto de silício obtidos a partir de PMSQ [POLI (METILSILSESQUIOXANO)] e alumínio." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2017. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/27969.

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Submitted by Marco Antonio Oliveira da Silva (maosilva@ipen.br) on 2017-11-08T16:39:39Z No. of bitstreams: 0<br>Made available in DSpace on 2017-11-08T16:39:39Z (GMT). No. of bitstreams: 0<br>O carbeto de silício (SiC) é um material que apresenta baixa expansão térmica, altas resistências mecânica e ao choque térmico e alta condutividade térmica. Em razão disto é empregado na confecção de mobília de fornos de sinterização. O SiC no entanto sofre degradação a altas temperaturas quando submetido a atmosferas agressivas. A utilização de recobrimentos protetores evita a exposição direta da superfí

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Felicio, Alexandre Gorni. "Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica." [s.n.], 2003. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259173.

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Orientador: Jose Alexandre Diniz<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-03T16:19:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Felicio_AlexandreGorni_M.pdf: 3627115 bytes, checksum: 94d240c3e9bde7ece4a7aaa2e987b0a9 (MD5) Previous issue date: 2003<br>Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através de implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2+) com baixa energia em substrato de silício com posterior oxidação t

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Luíz, Sandro Galisteu. "Preparação e caracterização térmica e mecânica de compósitos de matriz polimérica de alumina e carbeto de silício para aplicação em ferramentas abrasivas." Universidade de São Paulo, 2015. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/97/97134/tde-03122015-155527/.

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Abstract:

As ferramentas abrasivas são largamente utilizadas na indústria, entretanto muito pouco de seu processo de fabricação é cientificamente estudado e publicado. Visando esclarecer a forma como são manufaturados os compósitos de abrasivos, neste trabalho foram realizados vários ensaios de caracterização térmica e mecânica destes materiais. O estudo térmico da cura das resinas fenólicas, utilizadas na produção de compósitos de alumina e carbeto de silício, foi realizado por DSC. As propriedades mecânicas foram analisadas por testes de resistência à flexão e ao impacto; as propriedades termo-mecânic

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Filla, Juline. "Efeito da oxidação nas análises de dureza e atrito em filmes finos de Si3N4." reponame:Repositório Institucional da UCS, 2011. https://repositorio.ucs.br/handle/11338/708.

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Abstract:

Revestimentos duros são altamente utilizados na engenharia de superfície de componentes mecânicos devido à proteção contra o desgaste e à redução do coeficiente de atrito. Atualmente, as técnicas de usinagem a seco estão exigindo novos materiais com propriedades mecânicas e tribológicas inteligentes visando reduções de custos e de impacto ambiental. No entanto, o excelente desempenho dos revestimentos de nitreto de silício em termos de sua resistência ao desgaste e à oxidação nas ferramentas de cortes não foram totalmente entendidas. Neste trabalho, filmes finos de nitreto de silício for

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Gonçalves, Adriano. "Caracterização de materiais termoestruturais a base de compósitos carbono reforçados com fibras de carbono (CRFC) e carbonos modificados com carbeto de silício (SiC)." Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2008. http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=536.

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Abstract:

No setor aeroespacial inúmeros componentes são submetidos a altas temperaturas e a ambientes térmicos agressivos. Visando atender a estes requisitos, há uma considerável ênfase nas pesquisas que envolvem o desenvolvimento de materiais compósitos a base de Carbono Reforçado com Fibras de Carbono (CRFC) e de Carbonos Modificados, principalmente com Carbeto de Silício (SiC). A obtenção de materiais resistentes ao calor a serem utilizados em componentes de veículos espaciais, tais como em proteções para estruturas sujeitas à reentrada atmosférica, em tubeiras de exaustão de gases aplicadas a fogue

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Faria, Júlio César de. "Efeito do SiC na microestrutura e propriedades de rolos cerâmicos de Al2O3/mulita." Universidade Federal de São Carlos, 2005. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/751.

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Abstract:

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:11:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissJCF.pdf: 3440273 bytes, checksum: 86eb3aec37f72960d548d2434d68b1ec (MD5) Previous issue date: 2005-08-01<br>This dissertation discusses the effect of the addition of silicon carbide (SiC) on the microstructure and properties of Al2O3/mullite ceramic rolls obtained by the extrusion process. The purpose of adding SiC was to render the material more heat-resistant without affecting its mechanical properties, thereby increasing the range of the end product s industrial applications. The starting materials used here

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