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Dissertations / Theses on the topic 'Tunnel diodes'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 25 July 2025

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1

Wengler, Michael James Phillips Thomas G. Phillips Thomas G. "Heterodyne detection with superconducting tunnel diodes /." Diss., Pasadena, Calif. : California Institute of Technology, 1988. http://resolver.caltech.edu/CaltechETD:etd-02012007-084647.

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Jin, Niu. "Si-based quantum functional tunneling devices and their applications to logic and other future circuit topologies." Connect to this title online, 2004. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=osu1092769809.

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Abstract:
Thesis (Ph. D.)--Ohio State University, 2004.<br>Title from first page of PDF file. Document formatted into pages; contains xxv, 201 p.; also includes graphics Includes bibliographical references (p. 188-201). Available online via OhioLINK's ETD Center
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Belhadj-Yahya, Chedly. "Evaluation of the quantum well tunneling diode and the quantum electron-wave interference diode as high speed devices." Diss., Georgia Institute of Technology, 1992. http://hdl.handle.net/1853/15348.

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4

Slovick, Brian Alan. "Infrared phased-array antenna-coupled tunnel diodes." Doctoral diss., University of Central Florida, 2011. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/5049.

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Abstract:
Infrared (IR) dipole antenna-coupled metal-oxide-metal (MOM) tunnel diodes provide a unique detection mechanism that allows for determination of the polarization and wavelength of an optical field. By integrating the MOM diode into a phased-array antenna, the angle of arrival and degree of coherence of received IR radiation can be determined. The angular response characteristics of IR dipole antennas are determined by boundary conditions imposed by the surrounding dielectric or conductive environment on the radiated fields. To explore the influence of the substrate configuration, single dipole
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Bouregba, Rachid. "Études théorique et expérimentale des diodes à effet tunnel résonnant : utilisation en oscillation et en multiplication." Lille 1, 1991. http://www.theses.fr/1991LIL10094.

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Abstract:
L'objectif de ce travail est d'étudier le fonctionnement des diodes tunnel résonnant en vue d'applications hyperfréquences. L'idée est de tirer parti de l'effet de Résistance Différentielle Négative (RDN) et de la très faible inertie des mécanismes mis en jeu pour réaliser un oscillateur ou un multiplicateur de fréquence. A cette fin, nous présentons tout d'abord des résultats de calculs de probabilités de transmission et de caractéristiques de conduction d'une structure double barrière générique. Cette analyse nous permet de dégager des éléments d'optimisation en vue d'obtenir les fréquences
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Florence, Louis A. "Infrared Tapered Slot Antennas Coupled to Tunnel Diodes." Doctoral diss., University of Central Florida, 2012. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/5209.

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Abstract:
Tapered slot antennas (TSAs) have seen considerable application in the millimeter-wave portion of the spectrum. Desirable characteristics of TSAs include symmetric E- and H-plane antenna patterns, and broad non-resonant bandwidths. We investigate extension of TSA operation toward higher frequencies in the thermal infrared (IR), using a metal-oxide-metal diode as the detector. Several different infrared TSA design forms are fabricated using electron-beam lithography and specially developed thin-film processes. The angular antenna patterns of TSA-coupled diodes are measured at 10.6 micrometer wa
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Zhang, Yuewei. "Tunnel Junction-based Ultra-violet Light Emitting Diodes." The Ohio State University, 2018. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1525423981882141.

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8

Chung, Sung-Yong. "Si/SiGe heterostructures materials, physics, quantum functional devices and their integration with heterostructure bipolar transistors /." Columbus, Ohio : Ohio State University, 2005. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=osu1132244278.

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9

Zuo, Dingli. "Manufacturability of circuits based on resonant (interband) tunnelling diodes." Thesis, University of Cambridge, 2014. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.648793.

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Chevoir, François. "Effet tunnel resonnant assiste par diffusio dans les diodes double-barriere." Paris 11, 1992. http://www.theses.fr/1992PA112102.

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Abstract:
Depuis une dizaine d'annees, les composants a effet tunnel resonnant, dont la diode double-barriere constitue le prototype, suscitent de nombreux travaux de recherche, tant pour leurs applications potentielles (haute frequence et logique ultrarapide) que pour la comprehension du transport quantique. Nous proposons une theorie simple du transport electronique stationnaire prenant en compte la diffusion dans la region quantique. Ce modele est fonde sur une equation maitresse exprimant la transmission incoherente en fonction de la transmission coherente et des taux de transition entre etats coher
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11

Kia, Arash. "Modeling the effects of many valley electron scattering on the current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes /." Thesis, Connect to this title online; UW restricted, 1994. http://hdl.handle.net/1773/6060.

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Iovan, Adrian Ounadjela Kamel Stoeffler Daniel. "Elaboration et caractérisation de jonctions tunnel à plusieurs barrières pour l'intégration dans une nouvelle génération de mémoires magnétiques." Strasbourg : Université Louis Pasteur, 2008. http://eprints-scd-ulp.u-strasbg.fr:8080/940/01/thesis_Iovan_Adrian.pdf.

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Yu, Ronghua. "Phonon-assisted tunneling in silicon/silicon-germanium resonant interband tunnel diodes." Columbus, Ohio : Ohio State University, 2007. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=osu1190145556.

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14

Teherani, James Towfik. "Band-to-band tunneling in silicon diodes and tunnel transistors." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1721.1/60215.

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Abstract:
Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2010.<br>This electronic version was submitted by the student author. The certified thesis is available in the Institute Archives and Special Collections.<br>Cataloged from student submitted PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (p. 82-83).<br>This work studies the effect of mechanically applied uniaxial strain on reverse-bias band-to-band tunneling current in n+/p+ vertical silicon diodes fabricated on {100} and {110} substrate orientations. The Band Structure L
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Saint, Pol Loïc de. "Modélisation de l'effet tunnel résonnant dans des hétérostructures double barrière en vue d'applications analogiques très hautes fréquences." Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10022.

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Abstract:
Ce travail traite des techniques de modélisation des caractéristiques de conduction par effet tunnel résonnant et non résonnant dans des hétérostructures de semi-conducteurs de type double barrière. Les programmes de simulation donnent accès aux probabilités de transmission en régime établi et transitoire avec pour chacun des apports de modélisation, dans la mesure du possible, une confrontation théorie-expérience. Tout d'abord, nous décrivons les algorithmes basés sur le formalisme des matrices de transfert. Ce type de modélisation permet une étude des caractéristiques de conduction. Une appr
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Dupuis, Olivier. "Technologies et caractérisation hautes fréquences de composants III-V à effet tunnel résonnant." Lille 1, 1999. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1999/50376-1999-381.pdf.

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Abstract:
L'objectif de ce travail de thèse a consisté à explorer les techniques avancées de fabrication de dispositifs très hautes fréquences aussi bien actifs que passifs. Pour les composants actifs, le travail a concerné les diodes à effet tunnel résonnant qui présentent des effets de conductance différentielle négative. Concernant les dispositifs passifs, nous nous sommes intéressés principalement aux guides d'ondes coplanaires sur membrane diélectrique. Au préalable, nous avons effectué une étude théorique des non linéarités de conduction dans les hétérostructures de semi-conducteurs à puits quanti
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Abdel, Rahman Mohamed. "ANTENNA-COUPLED TUNNEL DIODES FOR DUAL-BAND MILLIMETER-WAVE/INFRARED F." Doctoral diss., University of Central Florida, 2004. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/2597.

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Abstract:
The infrared and millimeter-wave portions of the spectrum both have their advantages for development of imaging systems. Because of the difference in wavelengths, infrared imagers offer inherently high resolution, while millimeter-wave systems have better penetration through atmospheric aerosols such as fog and smoke. Shared-aperture imaging systems employing a common focal-plane array that responds to both wavebands are desirable from the viewpoint of overall size and weight. We have developed antenna-coupled sensors that respond simultaneously at 30 THz and at 94 GHz, utilizing electron-beam
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Vanbésien, Olivier. "Simulation et caractérisation des diodes double barrière à effet tunnel résonnant." Lille 1, 1991. http://www.theses.fr/1991LIL10033.

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Abstract:
Ce travail est consacré à la simulation et à la caractérisation électrique de diodes double barrière à effet tunnel résonnant. Ces composants tirent parti des effets d'interférence des ondes associées aux électrons et nous analysons ces phénomènes en régime indépendant du temps et en régime dynamique. Dans ce but, nous présentons des logiciels de simulation permettant de calculer les probabilités de passage par effet tunnel ainsi que les flux de transfert de charges pour des transports cohérent et incohérent. A l'aide de ces formalismes, nous avons étudié les propriétés bidimensionnelles du co
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Sudirgo, Stephen. "The integration of Si-based resonant interband tunnel diodes with CMOS /." Online version of thesis, 2003. http://hdl.handle.net/1850/5192.

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Mounaix, Patrick. "Hétérostructures double barrière pour la réalisation de diodes et de transistors à effet tunnel résonnant." Lille 1, 1992. http://www.theses.fr/1992LIL10051.

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Abstract:
Ce travail est axé sur la modélisation, sur la technologie et la caractérisation électrique d'hétérostructures à effet tunnel résonnant dans des configurations dipôle et tripôle. L'objectif est de réaliser des composants performants dans un environnement où les éléments parasites sont suffisamment faibles pour exploiter les potentialités fréquentielles associées à l'effet tunnel résonnant. Dans ce but, nous présentons tout d'abord des résultats de simulations autocohérentes de probabilités de transmission et de caractéristiques de conduction. Cette analyse, qui tient compte de la structure dan
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Gelinas, Robert. "A novel approach to modeling tunnel junction diodes using Silvaco Atlas software /." Monterey, Calif. : Springfield, Va. : Naval Postgraduate School ; Available from National Technical Information Service, 2005. http://library.nps.navy.mil/uhtbin/hyperion/05Dec%5FGelinas.pdf.

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Guttman, Jeremy. "Polymer-based Tunnel Diodes Fabricated using Ultra-thin, ALD Deposited, Interfacial Films." The Ohio State University, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1469125487.

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Gelinas, Robert J. "A novel approach to modeling tunnel junction diodes using Silvaco Atlas software." Thesis, Monterey, California. Naval Postgraduate School, 2005. http://hdl.handle.net/10945/1784.

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Abstract:
This thesis investigates the ability to model a tunnel junction device using the ATLAS device simulator by Silvaco International. The tunnel junction is a critical component of a multijunction solar cell. This thesis will concentrate on simulating the tunnel junction for application as part of a multijunction solar cell. It will try several methods, in ATLAS device simulator, to produce a model of the tunnel junction that can later be used while designing multijunction devices. These methods will consist of the review of past work, attempting to modify past work to be applied in the current de
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Chan, Chi Lun. "Alp-CuInSe2 tunnel MIS Schottky diodes & surface properties of crystalline p-CuInSe2." Thesis, McGill University, 1989. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=61911.

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Iovan, Adrian. "Elaboration et caractérisation de jonctions tunnel à plusieurs barrières pour l'intégration dans une nouvelle génération de mémoires magnétiques." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2004. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2004/IOVAN_Adrian_2004.pdf.

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Abstract:
Après la découverte d'une grande magnétorésistance tunnel (MRT) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) à température ambiante, beaucoup d’applications potentielles basées sur le transport polarisé ont émergé, en particulier pour l’utilisation des jonctions tunnel au sein de mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM). Cependant, les MRAM actuellement proposées, nécessitent d’ajouter un commutateur semi-conducteur (un transistor CMOS ou une diode PN ) en série avec la cellule mémoire (JTM). En effet, dans une matrice de JTM, il faut supprimer (ou bloquer) les courants parasites provenant
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Lenfant, Stéphane. "Monocouches organiques auto-assemblées pour la réalisation de diodes moléculaires." Lille 1, 2001. https://ori-nuxeo.univ-lille1.fr/nuxeo/site/esupversions/2ab011dd-aca5-48e7-ba3f-979ec0027e85.

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Abstract:
Ce travail se situe dans le cadre des recherches en électronique moléculaire. Après une présentation des enjeux et des challenges, nous décrirons les principales réalisations dans ce domaine. Dans un premier temps, nous avons entrepris la réalisation par silanisation de monocouches auto-assemblées sur silicium. Ces monocouches de différentes épaisseurs (8, 14 et 17 carbones) ont été fonctionnalisées en trois étapes chimiques à l'aide de 6 groupements aromatiques. Les caractérisations structurales (mouillage, ellipsométrie, FTIR, AFM, diffraction X) valident la réalisation des structures. L'étu
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Lenfant, Stéphane Vuillaume Dominique. "Monocouches organiques auto-assemblées pour la réalisation de diodes moléculaires." [S.l.] : [s.n.], 2001. http://www.univ-lille1.fr/bustl-grisemine/pdf/extheses/50376-2001-159-160.pdf.

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Бондаренко, И. Н., В. А. Николаенко, and А. В. Полищук. "The cavity with the Tunnel Diodes and Corbino-Electrodes for Analyze Dielectrics and Semiconductors." Thesis, Sumy State University, 2019. http://openarchive.nure.ua/handle/document/10409.

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Abstract:
. Study of nano structures is importance as bind the nanotechnology and applying. Many methods and tools use here (EPA); (NMR); AFM, X-ray so on. The high frequency (HF) resonance method at low temperature is sensitive and exact method because high quality of resonance and neglecting both the device noise and losses in matter. The “gaga – nano” conception take a place here too. The using little tunnel diodes as the generator and the detector in cavity is ideal for that aim. In this project cavity bottom is system of coaxial insulated rings (Corbino geometry) which applied as the low freq
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Ramesh, Anisha. "TUNNELING BASED QUANTUM FUNCTIONAL DEVICES AND CIRCUITS FOR LOW POWER VLSI DESIGN." The Ohio State University, 2012. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1338315073.

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Zarea, A. "Small signal analysis of GaAs/Al(Ga)As resonant tunnel diodes and their circuit applications." Thesis, University of Nottingham, 1993. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.335796.

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Leconte, Sylvain. "Étude du transport vertical dans les hétérostructures à base de GaN pour les applications opto- et micro-électronique." Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10039.

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Abstract:
L'objet de ce travail est d'étudier les propriétés de transport électronique le long de l'axe de croissance dans des hétérostructures à base de semi-conducteurs nitrures. La compréhension de ces phénomènes est de première importance dans l'amélioration du design de composants unipolaires, tels que les diodes tunnel résonantes, les photodétecteurs infrarouges à puits quantiques ou encore les lasers à cascade quantiques. Ce travail débute sur l'étude d'échantillons de GaN avec une barrière simple d'AlN ou d'AlGaN dont la croissance est effectuée par épitaxie par jets moléculaires à base de plasm
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Mattei, Ryan M. "Investigation of Photonic Annealing on the Atomic Layer Deposition Metal-Oxides Incorporated in Polymer Tunnel Diodes." The Ohio State University, 2019. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1574691625451168.

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Do, Amaral Pereira Wilton Ney. "Étude du fonctionnement d'un mélangeur à diode MIM en ondes infrarouges et conditions de réalisation en structure planar." Toulouse, ENSAE, 1989. http://www.theses.fr/1989ESAE0004.

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Abstract:
On utilise l'effet tunnel, pour décrire la non-linéarité d'une diode MIM (metal-isolant-metal). Le schéma équivalent est amélioré en incluent une capacité non linéaire dont l'origine est la force image de la barrière de potentiel dans la jonction. La diode est couplée au rayonnement incident au moyen d'un couplage quasi-optique. Les jonctions sont caracterisées en tant que mélangeur ou video-détecteur grâce à un logiciel d'équilibrage harmonique. On peut ainsi obtenir les pertes de conversion et le facteur de bruit du mélangeur ou bien la tension détectée par la diode. Les valeurs obtenues mon
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Cavill, Stuart Alan. "A phonon study of semiconductor tunnelling devices." Thesis, University of Nottingham, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.325724.

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Alandia, Bárbara Siano. "Fabricação e caracterização experimental de diodos túnel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p)." Universidade de São Paulo, 2016. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/.

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Abstract:
Neste trabalho foram fabricados diodos túnel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) com áreas de 300µm x 300?m e de 700?m x 700µm. Para o crescimento do oxinitreto de silício (SiOxNy), como dielétrico de porta, foi utilizado um forno térmico junto com um aparato de quartzo para processamento de apenas uma lâmina por vez. Foi empregada uma temperatura de processamento de 850°C e fluxos de gases ultrapuros ajustados na proporção em volume de 5N2 : 1O2 (2 l/min. de N2 e 0,4 l/min. de O2). Foi constatado que a nitretação térmica rápida do silício introduz armadilhas no dielétrico de porta de duas
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Wang, Yuekun. "In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As multiple quantum well THz photoconductive switches and In0.53Ga0.47As-AlAs asymmetric spacer layer tunnel (ASPAT) diodes for THz electronics." Thesis, University of Manchester, 2017. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/in053ga047asin052al048as-multiple-quantum-well-thz-photoconductive-switches-and-in053ga047asalas-asymmetric-spacer-layer-tunnel-aspat-diodes-for-thz-electronics(5fd73bd5-aef3-476b-be1b-7498da3f9627).html.

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Abstract:
This thesis is concerned with terahertz (THz) technology from both optical and electronic approaches. On the optical front, the investigation of optimised photoconductive switches included the characterisation, fabrication and testing of devices which can generate and detect THz radiation over the frequency range from DC to ~ 2.5 THz. These devices incorporated semiconductor photoconductors grown under low temperature (LT) Molecular Beam Epitaxy (MBE) conditions and using distributed Bragg reflectors (DBRs). The material properties were studied via numerous characterisation techniques which in
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Briones, Edgar. "Anisotropie de magnéto-résistance de diodes tunnel ferromagnétiques zener-esaki p-GaMnAs/n-GaAs : spectroscopie des anisotropies de bandes de GaMnAs." Paris 11, 2010. http://www.theses.fr/2010PA112074.

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Abstract:
GaMnAs est un semi-conducteur ferromagnétique dilué où l’interaction d’échange est induite par des porteurs délocalisés. Ces derniers sont souvent décrits par des états de Bloch dans la bande de valence, malgré une controverse sur l’influence d’une mini-bande d’impuretés Mn. Une connaissance plus précise de la structure de bandes reste nécessaire pour déterminer à la fois la position du niveau de Fermi et la nature exacte des anisotropies magnétiques, encore mal connues. Nous avons étudié l’anisotropie de magnétorésistance en régime tunnel (TAMR) de diodes Zener-Esaki p++-GaMnAs/n+-GaAs, relié
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Hahn, Wiebke. "Disorder-induced localization effects in nitride semiconductor compounds and devices." Thesis, Institut polytechnique de Paris, 2020. http://www.theses.fr/2020IPPAX049.

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Abstract:
Il y a de plus en plus d'indications que le désordre d’alliage influence fortement les propriétés électriques et optiques des composés semi-conducteurs. Dans les alliages ternaires de nitrures, le désordre intrinsèque de composition, qui résulte de la distribution aléatoire des atomes sur le réseau cristallin, induit de forts effets de localisation électronique. Ces effets semblent avoir un impact majeur sur les performances des diodes électroluminescentes (LED) à base de nitrures, utilisées pour l’éclairage. Il est donc primordial d'aborder cette question car de très importantes économies d'é
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Fan, Arcara Victor. "Jonctions tunnel dans les hétérostructures des matériaux nitrures pour applications optoélectroniques." Thesis, Université Côte d'Azur, 2020. http://www.theses.fr/2020COAZ4010.

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Abstract:
Les jonctions tunnel apportent une solution alternative aux problèmes qui limitent l'efficacité des diodes électroluminescentes émettant dans l’ultraviolet, notamment la forte résistivité des couches d’AlGaN dopées p et la mauvaise injection de trous qui en résulte. L’objectif de cette thèse est l'optimisation des structures LED à jonction tunnel à base de GaN et d’AlGaN et leurs caractérisations structurales et optoélectroniques. La croissance d'une LED à JT entièrement par MOCVD est attrayante sur le plan industriel, mais les couches de (Al)GaN dopées p développées par cette technique souffr
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Abdullah, Mohd. "GaAs/AlAs ASPAT diodes for millimetre and sub-millimetre wave applications." Thesis, University of Manchester, 2018. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/gaasalas-aspat-diodes-for-millimetre-and-submillimetre-wave-applications(89581b9e-edc9-4eb6-9392-e466a0f8de81).html.

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Abstract:
The Asymmetric Spacer layer Tunnel (ASPAT) diode is a new diode invented in the early 90s as an alternative to the Schottky barrier diode (SBD) technology for microwave detector applications due to its highly stable temperature characteristics. The ASPAT features a strong non-linear I-V characteristic as a result of tunnelling through a thin barrier, which enables RF detection at zero bias from microwaves up to submillimetre wave frequencies. In this work, two heavily doped GaAs contact layer on top and bottom layers adjacent to lightly doped GaAs intermediate layers, enclose undoped GaAs spac
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Pinaud, Olivier. "Analyse mathématique et numérique de quelques problèmes de transport dans les nanostructures." Toulouse 3, 2003. http://www.theses.fr/2003TOU30104.

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Sharma, Saumya. "Design, Fabrication and Characterization of MIM Diodes and Frequency Selective Thermal Emitters for Solar Energy Harvesting and Detection Devices." Scholar Commons, 2015. https://scholarcommons.usf.edu/etd/5579.

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Abstract:
Energy harvesting using rectennas for infrared radiation continues to be a challenge due to the lack of fast switching diodes capable of rectification at THz frequencies. Metal insulator metal diodes which may be used at 30 THz must show adequate nonlinearity for small signal rectification such as 30 mV. In a rectenna assembly, the voltage signal received as an output from a single nanoantenna can be as small as ~30µV. Thus, only a hybrid array of nanoantennas can be sufficient to provide a signal in the ~30mV range for the diode to be able to rectify around 30THz. A metal-insulator-metal diod
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Kefi, Jihène. "Analyse mathématique et numérique de modèles quantiques pour les semiconducteurs." Toulouse 3, 2003. http://www.theses.fr/2003TOU30186.

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Nicol, David Brackin. "A Novel Solid State General Illumination Source." Diss., Georgia Institute of Technology, 2006. http://hdl.handle.net/1853/14032.

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Abstract:
A novel solid state illumination source has been developed. A two terminal dual LED has been created with the ability to control the relative intensities of the two emission peaks by varying drive current. Doping profiles have been used to extend the dynamic range of the dual LED over other reported devices. Operation of the dual LEDs is explained as a function of drive current. In addition, novel use of phosphor mixtures allows the creation of a broadband spectral power distribution that can be varied using a dual LED as an excitation source. Combinations of phosphors that have varied excita
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Rascol, Jérôme. "Magnétotransport dans les dispositifs à effets quantiques à base de GaAs et GaInAs." Toulouse, INSA, 1990. http://www.theses.fr/1990ISAT0011.

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Abstract:
Nous presentons des etudes de magnetotransport dans des dispositifs a multiples puits quantiques a base des systemes gaas/algaas et ingaas/inalas. Dans ce type d'heterostructure tres complexe, les effets quantiques affectent la structure de bande et la densite d'etats, et l'effet tunnel resonnant controle le transport. Une etude magneto-spectrale nous permet d'identifier les principaux phenomenes de collisions responsables de la deterioration des caracteristiques statiques de tels dispositifs. Nous caracterisons les differentes regions ou des accumulations de charges conduisent a une important
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Gallego, Samy Degond Pierre Méhats Florian. "Modélisation mathématique et simulation numérique de systèmes fluides quantiques." Toulouse (Université Paul Sabatier, Toulouse 3), 2008. http://thesesups.ups-tlse.fr/98.

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Bucamp, Alexandre. "Croissance sélective et caractérisation de nanostructures de matériaux III-V élaborées par épitaxie par jets moléculaires." Thesis, Lille 1, 2019. http://www.theses.fr/2019LIL1I067/document.

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Abstract:
Que ce soit pour la fabrication de transistors ultimes fonctionnant à haute fréquence et faible consommation d’énergie ou pour celle de composants quantiques exploitant le transport balistique d’électrons, l’élaboration de nanostructures de semiconducteurs III-V à faible masse effective électronique est aujourd’hui un enjeu majeur. Différentes approches existent pour atteindre des dimensions caractéristiques largement sub-100nm. Les nanostructures peuvent être définies par une approche descendante en combinant gravure sèche anisotrope et amincissement chimique digital d’une couche semiconductr
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Omar, Abderrahim. "Contribution à l'étude des propriétés électromagnétitques des couches et multicouches supraconductrices à haute Tc : mesure d'impédance de surface par oscillateur à diode tunnel." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10168.

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Abstract:
Nous avons concu et realise un systeme de mesure d'impedance de surface z#s de films minces conducteurs ou supraconducteurs par couplage electromagnetique de ces films a un oscillateur a diode tunnel. La mesure de la resistance de films metalliques (or et aluminium) par cette technique inductive (sans contact) nous a permis, en comparant aux mesures directes (4 fils), de valider cette methode. Nous avons ensuite etudie la reponse electromagnetique de films supraconducteurs d'yba#2cu#3o#7 et de multicouches yba#2cu#3o#7/la#2##xsr#xcuo#4. Cette etude a mis en evidence le caractere granulaire de
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Boucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.

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Abstract:
Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport él
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Soubiron, Thibaut. "Jonctions nanométriques à base d'électrodes ou de nanofils en siliciure de titane." Lille 1, 2006. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2006/50376-2006-Soubiron.pdf.

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Abstract:
Les techniques de mesure du transport dans des nano-objets telles que la jonction brisée, le nanopore ou les électrodes planaires séparées par quelques nanomètres souffrent toutes de la même restriction : l'impossibilité d'observer les nano-objets au sein même du dispositif de mesure et par conséquent, l'incapacité d'interpréter précisément les phénomènes de conduction dans ces jonctions nanométriques. Aussi, nous avons envisagé de réaliser un dispositif permettant d'observer des nano-objets connectés à deux électrodes conductrices. L'idée proposée est d'utiliser la microscopie à effet tunnel
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