Relevant bibliographies by topics / Напівпровідникові шари

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Напівпровідникові шари'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Напівпровідникові шари.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Напівпровідникові шари"

1

Кириченко, О. С. "Термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелементів". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 1 (277) (10 березня 2023): 31–37. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2023-277-1-31-37.

Full text
Abstract:
У статті проаналізовано термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелектричних елементів. Наведено деякі основні області застосування термоелектричних модулів, наприклад, в загальнопромислових блоках та вузлах, загальнопромисловій і судновій енергетиці, на транспорті, у вимірювальній техніці, в медичній техніці і харчовій промисловості. Широта та специфіка застосування термоелектричних модулів зумовлюють необхідність подальших пошукових досліджень по підвищенню термоелектричних ефектів та зменшенню термічних напружень в них.
 Створено тривимір
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Кириченко, О. С. "Термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелементів". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 1 (277) (10 березня 2023): 31–37. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2023-277-1-31-37.

Full text
Abstract:
У статті проаналізовано термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелектричних елементів. Наведено деякі основні області застосування термоелектричних модулів, наприклад, в загальнопромислових блоках та вузлах, загальнопромисловій і судновій енергетиці, на транспорті, у вимірювальній техніці, в медичній техніці і харчовій промисловості. Широта та специфіка застосування термоелектричних модулів зумовлюють необхідність подальших пошукових досліджень по підвищенню термоелектричних ефектів та зменшенню термічних напружень в них.
 Створено тривимір
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Комаров, А. В., А. В. Лось, С. М. Рябченко та С. М. Романенко. "Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn і Fe". Ukrainian Journal of Physics 56, № 10 (2022): 1056. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.10.1056.

Full text
Abstract:
Cпектри пропускання і фарадеївського обертання площини поляризації світла, виміряні при температурі 2 K, порівняно для монокристалів 4H–SiC, імплантованих іонами Mn і 6H–SiC, імплантованих іонами Fe і контрольних зразків тих же монокристалів, що не піддавалися імплантації. Імплантацію проводили при енергії пучка 190 кеВ і з повними дозами опромінення 3,8 · 1016 см–2 і 5,5 · 1016 см–2. Вона приводить до створення поверхневих шарів з товщиною близько 0,2 мкм, легованих цими іонами, із середньою концентрацією іонів Mn або Fe близько 1021 см–3. Пропускання світла через імплантовані кристали змінил
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Кузавков, Василь, Марія Романенко та Юлія Болотюк. "Умови застосування методу власного випромінювання при вирішенні задач технічної діагностики напівпровідникових структур". Сучасні інформаційні технології у сфері безпеки та оборони 42, № 3 (2021): 55–62. http://dx.doi.org/10.33099/2311-7249/2021-42-3-55-62.

Full text
Abstract:
В статті розглянуто особливості застосування методу власного випромінювання для складних напівпровідникових структур (мікропроцесорів, мікроконтролерів, програмовано-логіних інтегральних схемах та ін.) 
 Метод власного випромінювання пов’язаний з реєстрацією параметрів електромагнітного поля в інфрачервоному діапазоні хвиль. Параметри цього випромінювання безпосередньо залежать від температури об’єкту контролю – температури напівпровідникової структури. Використання температури в якості діагностичного параметру вимагає аналітичного опису процесів в напівпровідникових структурах, а саме фі
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Удовицька Ю.А., Луньов С.В., Кашицький В.П., та Назарчук П.Ф. "РОЗРАХУНОК ВТРАТ ЕНЕРГІЇ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ ПРИ ПРОХОДЖЕННІ ЧЕРЕЗ ЕПОКСИКОМПОЗИТ". Перспективні технології та прилади, № 16 (31 серпня 2020): 141–48. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2020-16-20.

Full text
Abstract:
Проведені розрахунки коефіцієнта пропускання, радіаційних, іонізаційних та сумарних втрат для електронів з енергіями 10 МеВ та 12 МеВ при проходженні шару епоксидної смоли товщиною 5 мм з твердником ПЕПА 12 мас. ч. та з наповнювачами порошків алюмінію та заліза вмістом 30 мас.ч. Було встановлено, що іонізаційні втрати енергії швидких електронів значно перевищують радіаційні і зростають при введені в полімерну матрицю наповнювачів порошків алюмінію та заліза. При цьому коефіцієнт пропускання електронного пучка стає меншим. Для шару епоксикомпозиту з наповнювачем порошу заліза такі втрати енергі
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Литвиненко, В. М., та В. О. Зубенко. "ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ НАДВИСОКОЧАСТОТНОГО ДІОДА". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 524–30. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.54.

Full text
Abstract:
Надвисокочастотний напівпровідниковий діод (НВЧ-діод) – це напівпровідниковий діод, призначений для перетворення і обробки надвисокочастотного сигналу. Напівпровідникові НВЧ-діоди застосовують в різній радіоелектронній апаратурі і вимірювальній техніці НВЧ-діапазону, тобто на частотах більше 300 МГц. Спочатку НВЧ-діоди використовували для детектування і змішування сигналів. Для цих цілей застосовували точкові діоди, випрямляючий електричний перехід в яких виникав між кристалом напівпровідника і притискним металевим електродом у вигляді загостреної пружинки. Створені останнім часом нові типи НВ
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Tsyzh, B. R., M. R. Dzeryn та Yu Yu Horbenko. "Газочутливість плівок поліортотолуїдину". Scientific Messenger of LNU of Veterinary Medicine and Biotechnologies 19, № 75 (2017): 59–64. http://dx.doi.org/10.15421/nvlvet7512.

Full text
Abstract:
Електропровідні полімери, в тому числі поліпірол, поліанілін, політіофен та їхні похідні, використовують як активні шари для газових сенсорів ще з 1980-х років. Порівняно з комерційно доступними сенсорами на основі неорганічних речовин, зокрема високовартісних напівпровідників і оксидів металів, чутливі елементи, отримані на основі спряжених полімерів, привертають увагу завдяки простішому та дешевшому способу виготовлення. У цій роботі запропоновано чутливі елементи сенсорних пристроїв на основі електропровідного полімеру – поліортотолуїдину (ПоТ) та вивчено зміну оптичних характеристик тонких
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Shekhovtsov, L. V. "TRANSITION LAYER AND LATERAL PHOTO-EMF IN SEMICONDUCTOR HETEROSYSTEMS." Optoelektronìka ta napìvprovìdnikova tehnìka 57 (December 30, 2022): 114–20. http://dx.doi.org/10.15407/iopt.2022.57.114.

Full text
Abstract:
A photo-emf in the NbN–GaAs Schottky contact samples studied. This photo-emf is generated along the metalsemiconductor interface. It is shown that a semiconductor transition layer formed near the Schottky contact interface has a pronounced effect on the form of spectral characteristics. The feature of the photoemf spectral characteristics is a variations its appearance when changing the thermal annealing temperature of the studied heterosystems. If the spectral characteristic has one maximum and amplitude, which several times exceeds the amplitude of a significant characteristic, which means t
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Pritchin, Sergey, Alexey Bobryshev, Aleksandr Sorokun, and Tymur Zhumatii. "SOFTWARE AND HARDWARE AUTOMATED CONTROL COMPLEX FOR THE FORMATION OF A CRACKED LAYER ON SEMICONDUCTOR PLATES." Transactions of Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University, no. 6(131) (December 26, 2021): 128–32. http://dx.doi.org/10.30929/1995-0519.2021.6.128-132.

Full text
Abstract:
Purpose. Porous silicon is widely used in devices such as light emitters, sensors, and medical devices. The quality of operation of these devices depends on the diameter of the pore, the uniformity of its surface, and the thickness of the layer. To control the characteristics of the porous layer, the current density, etching time, and current shape are changed. As a rule, the growth is carried out using a constant current density. In this case, hydrogen bubbles are formed in the pores with a simultaneous decrease in the etching rate, which leads to the formation of small pores. This limits the
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Литвиненко, В. М. "ПОКРАЩЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ДІОДА З БАР’ЄРОМ ШОТТКІ". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 516–23. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.53.

Full text
Abstract:
Діод Шотткі – це напівпровідниковий діод, випрямні властивості якого засновані на взаємодії металу та збідненого шару напівпровідника. Для створення діодів Шотткі використовується перехід метал-напівпровідник. Робота цих діодів заснована на пере- несенні основних носіїв заряду і характеризується високою швидкодією, так як в них від- сутнє характерне для р-n переходів накопичення неосновних носіїв заряду. Діоди Шотткі використовують як елементи інтегральних мікросхем, а також як дискретні прилади.Найчастіше для виготовлення діодів з бар’єром Шотткі використовують підкладки з кремнію з низьким о
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Напівпровідникові шари"

1

Цибуленко, В. В., та С. В. Шутов. "Особливості вирощування напівпровідникових шарів імпульсними методами рідиннофазної епітаксії". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45794.

Full text
Abstract:
Вирощування напівпровідникових епітаксійних шарів імпульсними методами з рідинної фази має свої особливості. Справа в тому, що через малі розміри контейнерів і самого розчину-розплаву, а також , в деяких методах, через короткочасність контакту розчину-розплаву з робочою підкладкою, теплові процеси відбуваються набагато швидше за дифузійні процеси в розчині-розплаві. Метою роботи є дослідження фазової рівноваги при використанні імпульсних методів вирощування напівпровідникових епітаксійних шарів з рідинної фази.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Напівпровідникові шари' for particular source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography