Книги з теми "Semiconductor II-VI"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Semiconductor II-VI.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Semiconductor II-VI".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Adachi, Sadao. Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Adachi, Sadao. Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Ignatowicz, Stanisław. Semiconducting thin films of A II B VI compounds. Chichester: E. Horwood, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy (6th 1995 Strasbourg, France). Selected topics in group IV and II-VI semiconductors: Proceedings of Symposium L, 6th International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy, and Symposium D on Purification, Doping and Defects in II-VI Materials of the 1995 E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, May 22-26, 1995. Amsterdam: Elsevier, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Jacoboni, Carlo. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation. Wein: Springer-Verlag, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Boyce, Paul John. Raman spectroscopy of II-VI semiconductors. Norwich: University of East Anglia, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Graham, Paul Andrew. A feasibility study of a simulated low level optical architecture based on the performance of II-VI semiconductor devices in close proximity with dichromated gelatin holographic interconnects. Manchester: University of Manchester, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Bhargava, Rameshwar. Properties of wide bandgap II-VI semiconductors. London, U.K: IEE, INSPEC, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

International Conference on II-VI Compounds (4th 1989 Berlin). II-VI compounds 1989: Proceedings of the Fourth International Conference on II-VI Compounds, Berlin (West), 17-22 September 1989. Amsterdam: North-Holland, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

International Conference on II-VI Compounds (4th 1989 Berlin). II-VI compounds 1989: Proceedings of the Fourth International Conference on II-VI Compounds, Berlin (West), 17-22 September 1989. Amsterdam: North-Holland, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

International, Conference on II-VI Compounds (5th 1991 Okayama Japan). II-VI compounds 1991: Proceedings of the Fifth International Conference on II-VI Compounds, Tamano, Okayama, Japan, 8-13 September 1991. Amsterdam: North-Holland, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

International Conference on II-VI Compounds (5th 1991 Okayama, Japan). II-VI compounds 1991: Proceedings of the Fifth International Conference on II-VI Compounds, Tamano, Okayama, Japan, 8-13 September 1991. Amsterdam: North-Holland, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

International Conference on II-VI Compounds (9th 1999 Kyoto, Japan). II-VI compounds 1999: Proceedings of the Ninth International Conference on II-VI Compounds, Kyoto, Japan, 1-5 November 1999. Amsterdam: Elsevier, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

International Conference on II-VI Compounds (9th 1999 Kyoto, Japan). II-VI compounds 1999: Proceedings of the Ninth International Conference on II-VI Compounds, Kyoto, Japan, 1-5 November 1999. Amsterdam: Elsevier, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

International Conference on II-VI Compounds (8th 1997 Grenoble, France). II-VI compounds 1997: Proceedings of the Eighth International Conference on II-VI Compounds, Grenoble, France, 25-29 August 1997. Amsterdam: Elsevier, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

International Conference on II-VI Compounds (8th 1997 Grenoble, France). II-VI compounds 1997: Proceedings of the Eighth International Conference on II-VI Compounds, Grenoble, France, 25-29 August 1997. Amsterdam: Elsevier, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

International Conference on II-VI Compounds and Devices (7th 1995 Edinburgh, Scotland). II-VI compounds 1995: Proceedings of the Seventh International Conference on II-VI Compounds and Devices, Edinburgh, Scotland, UK, August 13-18, 1995. Amsterdam: Elsevier, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

International Conference on II-VI Compounds and Devices (7th 1995 Edinburgh, Scotland). II-VI compounds 1995: Proceedings of the Seventh International Conference on II-VI Compounds and Devices, Edinburgh, Scotland, UK, August 13-18, 1995. Amsterdam: Elsevier, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Adachi, Sadao. Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2005. http://dx.doi.org/10.1002/0470090340.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

International, Conference on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials (6th 1993 Newport R. I. ). II-VI compounds 1993: Proceedings of the Sixth International Conference on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials, Newport, RI, USA, 13-17 September 1993. Amsterdam: Elsevier, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

International Conference on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials (6th 1993 Newport, R.I.). II-VI compounds 1993: Proceedings of the Sixth International Conference on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials, Newport, RI, USA, 13-17 September 1993. Amsterdam: Elsevier, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

NATO Advanced Research Workshop on Growth and Optical Properties of Wide-Gap II-VI Low-Dimensional Semiconductors (1988 Regensburg, Germany). Growth and optical properties of wide-gap II-VI low-dimensional semiconductors. New York: Plenum Press, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Bressler, Patrick R. Electronic structure of epitaxially grown magnetic semiconductors on II-VI compounds: Manganese-Chalcogenides. Aachen: Verlag Shaker, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

McGill, T. C. Growth and Optical Properties of Wide-Gap II-VI Low-Dimensional Semiconductors. Boston, MA: Springer US, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

McGill, T. C., C. M. Sotomayor Torres, and W. Gebhardt, eds. Growth and Optical Properties of Wide-Gap II–VI Low-Dimensional Semiconductors. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-5661-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Rössler, U., ed. New Data and Updates for several Semiconductors with Chalcopyrite Structure, for several II-VI Compounds and diluted magnetic IV-VI Compounds. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-28531-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Symposium D on Purification, Doping and Defects in II-VI Materials (1995 Strasbourg, France). Purification, doping and defects in II-VI Materials: Proceedings of Symposium D on Purification, Doping and Defects in II-VI Materials of the 1995 E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, May 22-24, 1995. Amsterdam: Elsevier, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

E-MRS Advanced Research Workshop (1991 Montpellier, France). Wide gap II-VI semiconductors: Proceedings of the E-MRS Advanced Research Workshop, Montpellier, 16-18 January, 1991. Bristol: Adam Hilger, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Telahun, Tesfaye. The Cu²⁺ center in the II-VI semiconductors ZnS and CdS calculation of the fine structure and Zeeman behavior. Berlin: Verlag Köster, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Rössler, U., ed. New Data and Updates for IV-IV, III-V, II-VI and I-VII Compounds, their Mixed Crystals and Diluted Magnetic Semiconductors. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14148-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials (1997 Santa Barbara, Calif.). Proceedings of the 1997 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials: 21-23 October 1997, Santa Barbara, California. Edited by Amirtharaj Paul M and Bhat Iahwara B. Warrendale, PA: Minerals, Metals & Materials Society, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

U, S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials (1996 Las Vegas Nev ). Proceedings of the 1996 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials: 22-24 October 1996, Las Vegas, Nevada. Warrendale, PA: Minerals, Metals & Materials Society, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride (8th 1989 San Diego, Calif.). Proceedings of the 1989 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and Related II-VI Compounds, 3-5 October 1989, San Diego, California. Edited by Schaake Herbert F, Center for Night Vision & Electro-Optics (U.S.), and American Vacuum Society. New York: Published for the American Vacuum Society by the American Institute of Physics, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Goumri-Said, Souraya. Investigation of electronic, magnetic and elastic properties using first principles calculations and new empirical approach: Application to III-V, II-VI semiconductors and perovskite-like fluorides materials, 2006. Kerala, India: Transworld Research Network, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Kumar, Jain Mukesh, ed. II-VI semiconductor compounds. Singapore: World Scientific, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Birkmire, Robert, Rommel Noufi, Daniel Lincot, and Hans-Werner Shock. II-VI Compound Semiconductor Photovoltaic Materials. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

L, Gunshor Robert, and Nurmikko Arto V, eds. II-VI blue/green light emitters: Device physics and epitaxial growth. San Diego: Academic Press, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Ii-Vi Semiconductor Blue/Green Light Emitters, Volume 44 (Semiconductors and Semimetals). Academic Press, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Tamargo, MariaC. II-VI Semiconductor Materials and Their Applications. Edited by Maria C. Tamargo. Routledge, 2018. http://dx.doi.org/10.1201/9780203751305.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Chang, Kow-Ming. Thermodynamics of groups III-V and II-VI compound semiconductors. 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Tomashyk, Vasyl, Petro Feychuk, and Larysa Shcherbak. Ternary Alloys Based on II-VI Semiconductor Compounds. Taylor & Francis Group, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Capper, Peter, Safa Kasap, Sadao Adachi, and Arthur Willoughby. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

L, Gunshor Robert, Nurmikko Arto V, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. II-VI blue/green laser diodes: 2 November 1994, Boston, Massachusetts. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Yang, Heesun. Syntheses and applications of Mn-doped II-VI semiconductor nanocrystals. 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Tamargo, Maria C. II-VI Semiconductor Materials and their Applications (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, V. 12). CRC, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Steele, Mark Raymond. Intrazeolite topotactic MOCVD 3-dimensional structure controlled synthesis of II-VI semiconductor nanoclusters. 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Li, Jing, and Xiao-Ying Huang. Nanostructured crystals: An unprecedented class of hybrid semiconductors exhibiting structure-induced quantum confinement effect and systematically tunable properties. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.16.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Анотація:
This article describes the structure-induced quantum confinement effect in nanostructured crystals, a unique class of hybrid semiconductors that incorporate organic and inorganic components into a single-crystal lattice via covalent (coordinative) bonds to form extended one-, two- and three-dimensional network structures. These structures are comprised of subnanometer-sized II-VI semiconductor segments (inorganic component) and amine molecules (organic component) arranged into perfectly ordered arrays. The article first provides an overview of II-VI and III-V semiconductors, II-VI colloidal quantum dots, inorganic-organic hybrid materials before discussing the design and synthesis of I-VI-based inorganic-organic hybrid nanostructures. It also considers the crystal structures, quantum confinement effect, bandgaps, and optical properties, thermal properties, thermal expansion behavior of nanostructured crystals.
48

Lincot, D., Robert Birkmire, and H. W. Schock. II-VI Compound Semiconductor Photovoltaic Materials (Materials Research Society Symposium Proceedings Series, Volume 668). Materials Research Society, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Fukuda, Mitsuo, Osamu Ueda, Kenji Shiojima, and Edwin Piner. Reliability and Materials Issues of III-V and II-VI Semiconductor Optical and Electron Devices and Materials II. Materials Research Society, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

II-VI compound semiconductor photovoltaic materials: Symposium held April 16-20, 2001, San Francisco, California, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

До бібліографії