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Dissertations / Theses on the topic 'Diode structure'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 18 July 2025

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Rimmer, Nicholas. "Structure-property relationships in a resonant tunnelling diode." Thesis, University of Cambridge, 1993. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.308244.

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Perez, Gaëtan. "Caractérisation de diodes Schottky en diamant de structure pseudo-verticale." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT051/document.

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Abstract:
Le diamant est souvent défini comme le matériau ultime pour la réalisation de composants à semi-conducteurs pour des applications d'électronique de puissance. Bien que plusieurs interrupteurs de puissance en diamant soient parus à l'échelle mondiale, ils sont à l'heure actuelle à l'état de prototype et de preuve de concept. Il est donc nécessaire de comprendre leurs mécanismes de fonctionnement afin de pouvoir utiliser tout leur potentiel dans des convertisseurs de puissance. Dans cette thèse, l'analyse se focalise sur des diodes Schottky en diamant de structure pseudo-verticale. Des caractéri
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Sicard, Lambert. "Assemblages linéaires et cycliques d’unités fluorènes pour l’électronique organique : relations structure-propriétés." Thesis, Rennes 1, 2018. http://www.theses.fr/2018REN1S066/document.

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Abstract:
Les oligophénylènes constituent une classe de molécules centrale dans la conception de semi-conducteurs organiques pour des applications optoélectroniques. Ces travaux portent sur la synthèse et l’étude approfondie de dérivés linéaires et cycliques du fluorène (un biphényle rigidifié par un pont méthylène), fragment constitutif essentiel dans l’électronique organique. Nous nous intéressons en particulier aux relations structure-propriétés de ces systèmes π-conjugués. Dans une première partie, avec comme cadre le développement de matériaux hôtes pour diodes électroluminescentes (PhOLEDs), nous
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Wang, Jinghui. "Fabrication, Characterization and Simulation of Sandwich Structure GaN Schottky Diode Ionizing Radiation Detectors." The Ohio State University, 2014. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1405497243.

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Boukadida, Nourredine. "Etude d'une structure a effet de diode thermique : application au chauffage solaire d'un local." Poitiers, 1986. http://www.theses.fr/1986POIT2287.

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Abstract:
Etude de l'optimisation de l'effet de diode thermique d'une structure pouvant servir de paroi d'un local. Definition d'une structure alveolaire a lamelles. Etude numerique approchee du comportement thermique journalier et annuel d'un local a structure a effet diode
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Boukadida, Nourredine. "Etude d'une structure à effet de diode thermique application au chauffage solaire d'un local." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37596309f.

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Crow, Martin Brian. "High resolution diode laser spectroscopy of transient species." Thesis, University of Oxford, 2012. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:64bd9688-fdb3-4d05-ac2b-2a9bb621bb7c.

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Abstract:
This thesis presents applications of near infrared diode lasers to high resolution spectroscopy of transient radical species. Firstly, time resolved near infrared laser gain versus absorption is utilised in Chapter 2 to determine the I∗ quantum yield following ultraviolet photolysis of iodobenzene and its fluorinated analogues. The experimental method is first confirmed by comparison with literature values of the quantum yield for iodomethane photolysis, returning a quantum yield of Φ(I∗) = 0.71 ± 0.04 in good agreement with the literature, before being applied to determine the I∗ quantum yiel
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Baran, Stuart George. "Gas-phase detection methods using diode lasers." Thesis, University of Oxford, 2009. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:43e8ec07-9e1a-4060-bc8b-be75c8565600.

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Abstract:
Diode lasers are a convenient and economical source of near-infrared radiation, which may usefully be applied to a host of different sensitive detection methods; this thesis presents novel extensions of these methods, making use of the favourable characteristics of this type of light source. The first part of this thesis details the development of an optical feedback cavity-enhanced absorption spectroscopy (OF-CEAS) apparatus, including the development of the optical system, the sample handling, and the electronics for feedback phase control. A preliminary demonstration of the system is reported
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Skřínský, Jan. "Microwave and diode laser spectroscopy of discharge and flame plasma." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10151.

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Abstract:
Deux études principales ont été menées au cours de ce travail. D’une part, le spectre de rotation pure du radical iodomethyle (état fondamental : X̃ 2B1) a été identifié pour la première fois dans le domaine des ondes millimétriques. Ce radical a été produit en phase gazeuse par réaction d’atomes de chlore (obtenus par décharge micro-ondes dans Cl2 à 2450 MHz) avec CH3I ou CH2I2 comme précurseurs. Au total 331 transitions rotationnelles de type a de la branche R ont été observées, et les structures fines et hyperfines ont été résolues. Ces résultats ont ainsi permis de compléter l’étude des ra
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Zheng, Yexin. "Novel RTD-Based Threshold Logic Design and Verification." Thesis, Virginia Tech, 2008. http://hdl.handle.net/10919/32011.

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Abstract:
Innovative nano-scale devices have been developed to enhance future circuit design to overcome physical barriers hindering complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology. Among the emerging nanodevices, resonant tunneling diodes (RTDs) have demonstrated promising electronic features due to their high speed switching capability and functional versatility. Great circuit functionality can be achieved through integrating heterostructure field-effect transistors (HFETs) in conjunction with RTDs to modulate effective negative differential resistance (NDR). However, RTDs are intrinsically
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Do, Amaral Pereira Wilton Ney. "Étude du fonctionnement d'un mélangeur à diode MIM en ondes infrarouges et conditions de réalisation en structure planar." Toulouse, ENSAE, 1989. http://www.theses.fr/1989ESAE0004.

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Abstract:
On utilise l'effet tunnel, pour décrire la non-linéarité d'une diode MIM (metal-isolant-metal). Le schéma équivalent est amélioré en incluent une capacité non linéaire dont l'origine est la force image de la barrière de potentiel dans la jonction. La diode est couplée au rayonnement incident au moyen d'un couplage quasi-optique. Les jonctions sont caracterisées en tant que mélangeur ou video-détecteur grâce à un logiciel d'équilibrage harmonique. On peut ainsi obtenir les pertes de conversion et le facteur de bruit du mélangeur ou bien la tension détectée par la diode. Les valeurs obtenues mon
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Yerochin, S. Y., A. N. Demenskiy, V. A. Krasnov, S. V. Shutov, and Y. M. Shwarts. "Minimal operation current estimation for the temperature sensors based on p+-n GaP diode structures." Thesis, Sumy State University, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65214.

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Abstract:
A decrease of the operation current of diode temperature sensors (DTS) allows to considerably reduce the systematic measurement error of the sensors. In this connection we have made an estimation of the minimum operation current magnitude for p+-n GaP DTS. Thus there is an operation current I at which the total systematic error is minimal. This value I = Imin is taken as the desired current value.
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Tang, Jing. "Les modifications de la structure du collagène dans la paroi des artères après soudure au laser diode 830 nm : études biochimique et morphologique." Montpellier 1, 1997. http://www.theses.fr/1997MON1T011.

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Neri, Lorenzo. "Time Resolved Single Photon Imaging Device with Single Photon Avalanche Diode." Thesis, Università degli Studi di Catania, 2011. http://hdl.handle.net/10761/183.

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Abstract:
We have studied a new optical sensor characterized by performances that will extend the capabilities of several new physical investigation techniques. Our imaging device is based on a two-dimensional array of Single Photon Avalanche Diode (SPAD), sensitive to the single photon with a subnanosecond timing precision. It is able to perform a continuous photon acquisition without the necessity to break to perform the readout process. Moreover it is not damageable by intense light sources. The proposed solution constitutes a step forward for all Time Correlated Single Photon Counting analysis, as F
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Denis, Grégoire. "Etude d'une nouvelle famille d'aluminosilicates de baryum et strontium dopés à l'europium : structure, fluorescence, phosphorescence et thermoluminescence." Phd thesis, Université de Nantes, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557138.

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Abstract:
Dans le cadre de la recherche de matériaux fluorescents et/ou phosphorescents à émission blanche, une nouvelle famille d'aluminosilicate de baryum/strontium dopée à l'europium (Ba/Sr)13-xAl22+2xSi10+2xO66:Eu a été étudiée. La première partie de ce mémoire rappelle les mécanismes d'émissions de fluorescence de l'ion Eu2+ et les processus de thermoluminescence (TL). La seconde partie est quant-à-elle consacrée aux conditions de synthèse des matériaux étudiés, à leur caractérisation structurale et leurs propriétés optiques. Typiquement, sous illumination UV, un matériau de la famille sus-mentionn
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Jimenez, Alvaro. "Une biocapteur à base de résonance de plasmons de surface intégré monolithiquement avec une source d'excitation." Thèse, Université de Sherbrooke, 2015. http://hdl.handle.net/11143/8178.

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Abstract:
Le champ biomédical n’a pas échappé à l’évolution de la technologie, elle cherche aussi à intégrer plusieurs fonctions dans un espace restreint. Un des points forts du développement est la massification de points de service, afin d'obtenir un diagnostic rapide des maladies. Le diagnostique aux premières étapes de son évolution permettra réduire considérablement les coûts associés aux traitements des patients. Le présent document exprimera une alternative à l'évolution de la technologie des biocapteurs qui sont basés sur le phénomène optique appelé résonance par plasmons
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Mokbel, Haifaa. "Vers de nouveaux systèmes amorceurs pour la photopolymérisation radicalaire et/ou cationique dans des conditions plus respectueuses de l’environnement." Thesis, Mulhouse, 2015. http://www.theses.fr/2015MULH8954/document.

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Abstract:
Les procédés de photopolymérisation connaissent un développement important avec des applications considérables dans le milieu industriel en raison de ses avantages économiques et écologiques. Les réactions de photopolymérisation sont très représentées, elles reposent sur l’utilisation d’un composé ou d'un système photosensible sous irradiation, générant des espèces réactives capables d’amorcer la polymérisation et de réagir avec le monomère. Le principal objectif de ce travail de thèse consiste à développer des molécules efficaces comme photoamorceurs (PA) pour la photopolymérisation radicalai
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Benjelloun, Meriem. "Élaboration et caractérisation d'une structure GaAs par épitaxie en phase vapeur par organo-métallique à basse pression pour la fabrication d'une diode électroluminescente infrarouge." Mémoire, Université de Sherbrooke, 2001. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1147.

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Abstract:
Les matériaux semiconducteurs composés tels l'arséniure de gallium GaAs permettent de fabriquer des dispositifs performants pour la microélectronique. Nous avons étudié l'élaboration d'une structure d'une diode électroluminescente (LED) émettant dans l'infrarouge à base de GaAs obtenue par la technique d'organométalliques à basse pression (LP-MOCVD). Cette technique offre l'avantage d'une épitaxie sélective, et permet un bon contrôle du niveau du dopage et de la composition de l'alliage. Afin de réduire l'incorporation de carbone provenant de la décomposition des radicaux organiques, on a trav
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Benjelloun, Meriem. "Élaboration et caractérisation d'une structure GaAs par épitaxie en phase vapeur par organo-métallique à basse pression pour la fabrication d'une diode électroluminescente infrarouge." Sherbrooke : Université de Sherbrooke, 2001.

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Hamel, Alain. "Propriétés d'un résonateur atomique à jet de césium pompé optiquement et à structure de champ longitudinale." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112204.

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Abstract:
Caractérisation du résonateur, génération du champ magnétique statique et performance du système optique de détection. Mesure de la distribution des vitesses des atomes dans le jet. Rapport signal sur bruit lors de la détection de la frange de Ramsey. Mesures de stabilité pour confirmer les prédictions théoriques. On montre que l'emploi du pompage optique dans la configuration la plus simple (une seule diode laser) permet d'accroitre considérablement les performances des horloges à jet de césium<br>Ln this thesis, we study from the experimental and theoretical point of view, the clock signal c
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Zare, Firuz. "Multilevel converter structure and control." Thesis, Queensland University of Technology, 2001. https://eprints.qut.edu.au/36142/7/36142_Digitsed%20Thesis.pdf.

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Abstract:
In recent years, multilevel converters are becoming more popular and attractive than traditional converters in high voltage and high power applications. Multilevel converters are particularly suitable for harmonic reduction in high power applications where semiconductor devices are not able to operate at high switching frequencies or in high voltage applications where multilevel converters reduce the need to connect devices in series to achieve high switch voltage ratings. This thesis investigated two aspects of multilevel converters: structure and control. The first part of this thesis foc
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Hajlaoui, Riadh. "Effet de la structure sur les propriétés électriques et optiques d'oligomères conjugués semi-conducteurs. Application à la réalisation de transistors à effet de champ et de diode électroluminescentes." Rouen, 1995. http://www.theses.fr/1995ROUES005.

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Abstract:
L'étude structurale des polymères conjugués montre que leur désordre moléculaire et structural limite la qualité de leurs propriétés électroniques, et restreint donc leur éventuelle application à des composants électroniques. L'utilisation de systèmes moléculaires structuralement bien définis devrait par contre permettre de s'affranchir de ces défauts chimiques et physiques, et d'améliorer ainsi l'efficacité du transport de charges dans ces matériaux semi-conducteurs. Cette démarche est illustrée ici par l'étude du sexithiophène (6T) et de ses dérivés substitués. La première partie est consacr
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Ramsbrock, Jens. "Fabrication and characterisation of a novel blue organic light-emitting diode (OLED)-structure : glass/Indium-Tin oxide/Poly (N-vinylcarbazole) doped with dye p-Bis(o-methylstyryl)benzeneAluminium." Thesis, Edinburgh Napier University, 2000. http://researchrepository.napier.ac.uk/Output/4166.

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Kleider, Jean-Paul. "Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrogène a-Si:H par des mesures d'admittances de diodes Schottky : caractérisation d'interfaces SI::(X)-N::(1-X):H/A-SI:H sur des structures MIS." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066015.

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Abstract:
DDétermination des caractéristiques du silicium amorphe hydrogène par mesure et analyse des admittances de diodes Schottky fournies sur ce matériau: densité d'états en-dessous et au niveau de fermi avec section de capture efficace des électrons et énergie d'activation du matériel.
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Richard, Soline. "Modélisation physique de la structure électronique, du transport et de l'ionisation par choc dans les matériaux IV-IV massifs, contraints et dans les puits quantiques." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008310.

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Abstract:
Ce travail est consacré à l'étude des phénomènes physiques dans les composants à base d'alliage SiGe en présence de fort champ électrique donc mettant en jeu des porteurs très énergétiques susceptibles d'induire de l'ionisation par choc. A l'aide d'une méthode k.p à 30 bandes, nous avons modélisé les structures électroniques complètes du Si, du Ge et des alliages Si1-xGex massifs et contraints sur une large gamme d'énergie (11 eV autour de la bande interdite) avec une très grande précision sur les paramètres de Luttinger ou les masses effectives. Associée au formalisme de la fonction enveloppe
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Boulkroun, Khaled. "Contribution à la caractérisation des diodes Schottky oxydées : application au phosphure d'indium." Nancy 1, 1996. http://www.theses.fr/1996NAN10339.

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Abstract:
L’action de l'interface isolant-(n) InP dans les structures Schottky-MIS ou l'isolant est un oxyde formé dans un plasma multi-polaire d'oxygène est examinée. L’étude est essentiellement assurée par des méthodes de caractérisation électrique développées afin de tenir compte de l'aspect non idéal de ces structures. Une meilleure compréhension des phénomènes de transport, très variés dans ces structures, est acquise à l'aide des mesures électriques I(V), C(V) et la conductance à différentes températures. Des corrélations sont établies entre les différents paramètres de la structure (facteur d'idé
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Pan, Jin 1959. "Characteristics of selenium schottky diode structures." Thesis, McGill University, 1988. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=61722.

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LOPEZ, MARCIO A. P. A. "Simulação e bombeio de cavidade OPO por um laser @1064nm CW multimodo de alta potência e polarizado." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2017. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/28043.

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Abstract:
Submitted by Pedro Silva Filho (pfsilva@ipen.br) on 2017-11-22T17:35:38Z No. of bitstreams: 0<br>Made available in DSpace on 2017-11-22T17:35:38Z (GMT). No. of bitstreams: 0<br>O projeto de doutorado tem como objetivo estudo e montagem de um sistema laser que gere feixe laser de comprimento de onda sintonizável continuamente, com intervalo espectral na região infravermelho (IV) próximo e médio. O trabalho foi dividido em três partes: (i) laser de Nd:YAG @1064nm, (ii) aplicação deste sobre uma cavidade ressonante OPO e (iii) simulação de cavidades laser em anel. O laser de Nd:YAG foi montado e
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Modi, Nihar Triplett Gregory Edward. "Thermal management in GaAs/AlGaAs laser diode structures." Diss., Columbia, Mo. : University of Missouri--Columbia, 2007. http://hdl.handle.net/10355/6262.

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Abstract:
Title from PDF of title page (University of Missouri--Columbia, viewed on Feb. 16, 2010). The entire thesis text is included in the research.pdf file; the official abstract appears in the short.pdf file; a non-technical public abstract appears in the public.pdf file. Thesis supervisor: Dr. Gregory Triplett. Includes bibliographical references.
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Donchev, Evgeniy. "Thin-film diode structures for advanced energy applications." Thesis, Imperial College London, 2015. http://hdl.handle.net/10044/1/25297.

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Abstract:
Presented within this thesis is the work towards studies on thin-film diode structures for use in advanced energy applications. The main energy application pursued within this study is the solar rectenna device, considered to be next-generation in energy harvesting due to promises of efficiencies beyond the Shokley-Queisser limit for solar cells. A RECTifying antENNA (RECTENNA) is a device consisting of an antenna, with dimensions scaled to the wavelength of the electromagnetic wave to be absorbed, and the resulting signal rectified by a diode of sufficient cut-off frequency to efficiently ope
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O'Prey, Shane Martin. "Optical tunnelling studies of Schottky diode structures and YBCO." Thesis, Queen's University Belfast, 2002. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.246471.

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Mirzoyan, Rafayel. "Study of the coherent effects in rubidium atomic vapor under bi-chromatic laser radiation." Phd thesis, Université de Bourgogne, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00934648.

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Abstract:
The effect of electromagnetically induced transparency is observed, using nanocelland microcell. The EIT-resonance with good parameters (high contrast and small FWHM) is obtained in thick cells. The EIT-resonance splitting in magnetic field is observed for the cases of D1-line of 85Rb and 85Rb. The theoretical model, explaining the EIT-resonance components frequency shift dependence on magnetic field strength is presented. The theoretical and experimental results are compared and good agreement is shown. Also the EIT-resonance behavior in hyperfine Paschen-Back regime is presented and explaine
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RANIERI, IZILDA M. "Crescimento de cristais de LiY sub(1-x) TR sub(x) F sub(4):Nd (TR=Lu ou Gd) para aplicacoes opticas." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2001. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/10935.

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Abstract:
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:45:47Z (GMT). No. of bitstreams: 0<br>Made available in DSpace on 2014-10-09T14:07:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 07149.pdf: 7899411 bytes, checksum: 6ba368602f98f29e9401ef54276cdb45 (MD5)<br>Tese (Doutoramento)<br>IPEN/T<br>Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
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Piccardo, Marco. "Spectroscopie des processus photoélectriques dans les structures et dispositifs III-N." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLX056/document.

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Abstract:
Malgré les rapides progrès technologiques dans les nitrures, les propriétés intrinsèques des alliages de nitrures et les processus physiques qui gouvernent la physique de ces dispositifs sont encore mal connus. Au cours de mon travail de thèse, de nouvelles approches expérimentales et théoriques ont été développées pour aborder l’étude des mécanismes microscopiques qui gouvernent les propriétés électroniques des dispositifs à base de nitrures semi-conducteurs. Une nouvelle technique expérimentale permettant de mesurer directement la distribution en énergie des électrons de conduction d’une LED
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Khan, Kamruzzaman. "NiOx Based Device Structures." University of Toledo / OhioLINK, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=toledo1469380686.

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Crispin, Annica. "Chemical and electronic structure of interfaces in organic-based devices /." Linköping : Univ, 2002. http://www.bibl.liu.se/liupubl/disp/disp2002/tek781s.pdf.

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Hakhumyan, Hrant. "Study of optical and magneto processes in Rb atomic vapor layer of nanometric thickness." Phd thesis, Université de Bourgogne, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00764958.

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Abstract:
Using a narrow-band resonant fluorescence spectra from a nano-cell with a thickness of L= [lambda]/2, and VSOP resonances formed at a thickness L =[lambda] ([lambda] is the wavelength of the resonant radiation), for the first time it was experimentally investigated the behaviour of the frequency and intensity (transition probabilities) of the atomic hyperfine structure transitions between the 85Rb, 87Rb, D1 and D2 lines Zeeman sublevels in external magnetic fields in range 5 - 7000G. The behaviour of tens of previously unstudied atomic transitions was analyzed and it is demonstrated that the i
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Tseng, Yi-Hui, and 曾翊惠. "GaN light-emitting diode with embedded air-gapdisks structure." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/64437787828051342746.

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Abstract:
碩士<br>國立中興大學<br>材料科學與工程學系所<br>103<br>InGaN-based light-emitting diode (LED) with an embedded air-gap disks structure was fabricated through a laser drilling process and an electrochemical (EC) wet etching process to enhance the light extraction of mesa region. After laser drilling process, the drilling hole create the path for the electrochemical wet etching process occurred at the high doping GaN layer. The LED with embedded the air-gap disks has high light scattering process compared with the non-treated standard LED(ST-LED). At 20mA operating current, the
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LU, YONG-CHENG, and 呂泳成. "The Performance Analyses on High-power Diode Package Structure." Thesis, 2016. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/22097087087214298066.

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Abstract:
碩士<br>國防大學理工學院<br>機械工程碩士班<br>104<br>With the advent of vigorous development of the electronics industry, all kinds of smart phones, laptop, tablet and other electronic products are quite popular, but the common thing is that they all need the charger. High-power diode is a very important element in the charger. It plays a role of switch and the rectifier in charger. A good design of high-power diode has several advantages include good heat dissipation and low thermo-stress characteristic, because the temperature and thermo-stress of diode that produced between the different layer materials wil
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Chen, Ming-Hsiang, and 陳銘祥. "The Study of Graded Structure in Organic Light-Emitting Diode." Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/13896546263267136195.

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Abstract:
碩士<br>南榮技術學院<br>工程科技研究所碩士在職專班<br>97<br>OLED (Organic Light-Emitting Diode) is a kind of Organic Electroluminescence component. The devices have more advantages in the capability of self-emission, flexibility, full colors, high brightness, high contrast, low power, viewing angle, and response time. This paper is making a study of organic light emitting diodes (OLED) structure. First step, to investigate the factors of traditional structure and find out the optimization traditional structure. Use this fabrication for the basis of graded structure. To investigate ten kinds of structure that d
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Wu, Pei-Hsuan, and 吳珮瑄. "Mechanical Property Analyses of the High-power Diode Package Structure." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/33713079165366719214.

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Abstract:
碩士<br>國防大學理工學院<br>機械工程碩士班<br>101<br>As the trend of the semiconductor components was developed toward smaller and lighter, the thermal and thermo-stress problems on microelectronic packaging increase at the same time. Consequently, stresses are generated between the material in a packaging structure due to the differences on temperature distributions and the thermal expansion coefficient during manufacturing, testing and operation, and the problems need to be overcome for the packaging products. This thesis uses the commercial ANSYS 13.0 finite element software to analyse the thermal and therm
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Wu, Shang-Yen, and 吳尚彥. "A Study of Imprint Structure Applied to GaN Light-Emitting Diode." Thesis, 2008. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/65025094088061539890.

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Abstract:
碩士<br>國立中央大學<br>光電科學研究所<br>96<br>In this study, micro-structures were fabricated on wire bonding LED. Light extraction efficiency enhancement and far field pattern modulation can be achieved by such micro-structures. Different to traditional surface roughness and chip shaping, we use embossing technique to make micro-structures. Embossing technique possesses large area, high yield, and low fabrication cost. Most important of all the method will not damage the electrical performance of LED. The index of imprinting material, SOG, is 1.4 which is smaller than transparent conduction layer and air,
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GA-HING, YANG, and 楊家慶. "The Study of Semiconductor Ring Laser Diode Structure and its Fabrication." Thesis, 2000. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/21332607364975389780.

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Wu, Chung-I., and 吳忠益. "Thermal Performance Analyses on New Diode Structure Designs for Power Adapter." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/89707149005289649607.

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Abstract:
碩士<br>國防大學理工學院<br>機械工程碩士班<br>101<br>This thesis focus on thermal and thermo-stress analyses on Schottky Diode and Bridge Rectifier manufactured by Z company, and both of the components are applying on power adapters of the Apple products. Through thermal and thermal-stress simulations on the two components during operation, this thesis first studies the thermal resistance of different packing designs, and whether the products are beyond the material limitations. Secondly, Schottky diode and Bridge Rectifier from Z company and K Company are compared to study the differences. Based on the works
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Wu, Shin-Bin, and 吳世彬. "The design and analysis of acoustic diode of one-dimensional structure." Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/56019372874836398449.

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Abstract:
碩士<br>國立中央大學<br>光電科學研究所<br>99<br>We discuss the design and analysis of acoustic diodes consisted of one-dimensional elastic periodic structure. An acoustic diode is formed by coupling a periodic medium that consists of water and glass layers with an appropriately chosen nonlinear acoustic medium. The rectifying efficiency of acoustic wave is determined by the band-gap effect of the phononic crystal and the properties of the nonlinear acoustic medium. We compare the results of different incidence angles of the acoustic wave and analyze the influences of various physical parameters on the rectif
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Hwa, Ming-Cheng, and 華明正. "Fabrication and Characterization of Gallium Nitride Nano-Structure Light-Emitting Diode." Thesis, 2007. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/72353143697693000182.

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Abstract:
碩士<br>臺灣大學<br>光電工程學研究所<br>95<br>In this thesis, I present the growth, analyzing, fabrication, and characterization of gallium nitride (GaN) nano-crystal light emitting devices. The growth of GaN nano-crystal structures was conducted in a home-built vapor-liquid-solid (VLS) system. The following spectroscopic instrument of scanning electron microscopy (SEM), photoluminescence (PL), x-ray diffraction (XRD), energy dispersive spectrometer (EDS), Auger, and transmission electron microscopy (TEM) were used to characterize the morphology, composition, and crystalline properties of the GaN nano-stru
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Feng, Hui-Ching, and 馮輝慶. "Characteristics of the near-ultraviolet light-emitting diode with meshed structure." Thesis, 2007. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/87503914413783187197.

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Abstract:
碩士<br>國立中央大學<br>光電科學研究所碩士在職專班<br>95<br>The purpose of this study was to increase the External Quantum Efficiency(E.Q.E.) of LED by applying meshed structure on Transparent Conduct Layer(TCL)、p-GaN layer and M.Q.W. Layer. In the begging, We fabricated the planar ITO LED then meshed ITO LED. The comparison showed that meshed ITO LED improved 2.5% on E.Q.E.、19.6% on light output power and 2.1% on power efficiency. Analysis showed the reasons were the removed ITO reduces the absorption of light and the meshed structure reduces the reflection light. Secondly, due to the same reasons, we fabricated
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Hsiao, Huang Chi, and 蕭煌錡. "Study on the organic light emitting diode device structure versus luminance." Thesis, 2012. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/25216606224132461529.

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Abstract:
碩士<br>長庚大學<br>光電工程研究所<br>100<br>The thesis contains two parts, the first part is use magnetron co-sputtering system deposited IZTO film as anode of transparent PLED can really improve the brightness of the devices, because IZTO work function is higher, so hole injection efficiency is increased, therefore increase electron and hole recombination rate, if IZTO thickness reduced and deposited on commercial ITO substrate, not only brightness can enhance and leakage current can be decreased. The second part is 1 nm of the different metal particles of gold and silver deposits on the commercial ITO
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Chou, Yu-Ting, and 周裕庭. "High Performance AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Slanted Anode Structure." Thesis, 2012. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/51827136873551904808.

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Abstract:
碩士<br>國立交通大學<br>材料科學與工程學系<br>101<br>Recently, high power devices have expanded into a new generation of applications. Among various devices, GaN power electronics have demonstrated a high profit gaining in current market. In this study, we have high breakdown voltage, high operation current, and low turn-on voltage AlGaN/GaN heterostructure Schottky barrier diodes design. For our slated Schottky anode SBDs, the polarization will induce charges to form high electron concentration and high mobility 2DEG channel at AlGaN/GaN interface, reducing the on-state resistance (Ron). For device structure,
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Yeh, Chung-Lin, and 葉重麟. "Large-area organic light-emitting diode with multilayer structure by solution process." Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/34469579991647765053.

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